ፈጣን የኃይል መሙያ ቴክኖሎጂ እንደ የዘመናዊ ኤሌክትሮኒክስ መሳሪያዎች ዋና አካል በፍጥነት እያደገ እና እያደገ ነው።በፈጣን ቻርጅ ገበያ በመመራት እንደ ስማርት ፎኖች እና ኤሌክትሪክ ተሽከርካሪዎች ያሉ ኢንዱስትሪዎች ፈጣን እና ቀልጣፋ የኃይል መሙያ መፍትሄዎችን ይፈልጋሉ።በፈጣን የኃይል መሙያ ቴክኖሎጂ ውስጥ ያለው ፈጠራ የኃይል መሙያ ፍጥነትን ማሻሻል ላይ ብቻ ሳይሆን ደህንነትንም አፅንዖት ይሰጣል።የወደፊቱን ጊዜ ስንመለከት ፈጣን የኃይል መሙያ ቴክኖሎጂ ከገመድ አልባ ባትሪ መሙላት እና የበለጠ ቀልጣፋ የባትሪ ቴክኖሎጂን በማጣመር ጥራት ያለው ዝላይ ለማግኘት እና ተጠቃሚዎችን የበለጠ ምቹ እና ለአካባቢ ተስማሚ የሆነ የኃይል መሙያ ተሞክሮ ያመጣል።በቴክኖሎጂ ልማት እና በገበያው መስፋፋት ፈጣን የኃይል መሙያ ኢንዱስትሪ ፈጣን እድገትን ማስቀጠል ይጠበቃል።
ስለ አተገባበር ስንነጋገርMOSFETበፈጣን የኃይል መሙያ ቴክኖሎጂ ውስጥ ብዙ ራስ ምታት አሉ።
በመጀመሪያ ደረጃ, ፈጣን ባትሪ መሙላት ትልቅ ጅረት ስለሚፈልግ, የMOSFETበጣም ይሞቃል, እና ይህን ሙቀት እንዴት መቋቋም እንደሚቻል ትልቅ ችግር ይሆናል.ከዚያ የውጤታማነት ፈተናዎችም አሉ።በፍጥነት ሲቀያየር MOSFET በቀላሉ የኃይል መሙያውን ቅልጥፍና የሚጎዳውን የተወሰነውን ሃይል ያጣል።በተጨማሪም ፈጣን የኃይል መሙያ መሳሪያዎች በተቻለ መጠን ትንሽ እንደሚሆኑ ተስፋ ያደርጋሉ, ነገር ግን ይህ MOSFET አነስተኛ እንዲሆን እና እንዲሁም የሙቀት ችግሩን ለመቋቋም ይፈልጋል.MOSFET በፍጥነት ስለሚቀያየር፣ በሌሎች የኤሌክትሮኒክስ ዕቃዎች ላይ ጣልቃ ሊገባ ይችላል፣ ይህ ደግሞ ችግር ነው።በመጨረሻም ፈጣን የኃይል መሙያ አካባቢ በ MOSFET ዎች የቮልቴጅ መቋቋም እና ወቅታዊ ሁኔታ ላይ ከፍተኛ መስፈርቶች አሉት, ይህም ለአፈፃፀማቸው ፈተና ነው.በዚህ አካባቢ ውስጥ ለረጅም ጊዜ መሥራት የአገልግሎት ህይወታቸውን እና አስተማማኝነታቸውን ሊጎዳ ይችላል.ባጭሩ ምንም እንኳን MOSFET ለፈጣን ባትሪ መሙላት ወሳኝ ቢሆንም ብዙ ፈተናዎች አሉት።
WINSOKMOSFET ከላይ ያሉትን ችግሮች ለመፍታት ሊረዳህ ይችላል።የ WINSOK MOSFET በፈጣን ኃይል መሙላት ዋናዎቹ የመተግበሪያ ሞዴሎች፡-
| ክፍል ቁጥር | ማዋቀር | ዓይነት | ቪዲኤስ | መታወቂያ (ሀ) | ቪጂኤስ(ኛ)(ቁ) | RDS(ON)(mΩ) | ሲስ | ጥቅል | |||
| @10 ቪ | |||||||||||
| (V) | ከፍተኛ. | ደቂቃ | ተይብ። | ከፍተኛ. | ተይብ። | ከፍተኛ. | (ፒኤፍ) | ||||
| ነጠላ | ኤን-ቸ | 30 | 50 | 1.5 | 1.8 | 2.5 | 6.7 | 8.5 | 1200 | DFN3X3-8 | |
| ነጠላ | ፒ-ቸ | -30 | -40 | -1.3 | -1.8 | -2.3 | 11 | 14 | 1380 | DFN3X3-8 | |
| ነጠላ | ኤን-ቸ | 60 | 18 | 1 | 2 | 3 | 7 | 9 | 3760 | SOP-8 | |
| ነጠላ | ኤን-ቸ | 100 | 16 | 1.4 | 1.7 | 2.5 | 8.9 | 11 | 4000 | SOP-8 | |
| ነጠላ | ፒ-ቸ | -30 | -8.2 | -1.5 | -2 | -2.5 | 16 | 20 | 2050 | SOP-8 | |
| ነጠላ | ፒ-ቸ | -30 | -13 | -1.2 | -2 | -2.5 | 9.6 | 15 | 1550 | SOP-8 | |
| N+P | ኤን-ቸ | 30 | 7 | 1 | 1.5 | 2.5 | 18 | 28 | 550 | SOP-8 | |
| ፒ-ቸ | -30 | -6 | -1 | -1.5 | -2.5 | 30 | 38 | 645 | |||
| ነጠላ | ኤን-ቸ | 100 | 85 | 2 | 3 | 4 | 10 | 13 | 2100 | TO-220 | |
ከላይ ካለው WINSOK MOSFET ጋር የሚዛመዱ ሌሎች የምርት ስም ቁሶች፡-
ተዛማጅ የዊንሶክ MOSFET WSD3050DN የቁሳቁስ ቁጥሮች፡AOS AON7318፣AON7418፣AON7428፣AON7440፣AON7520፣AON7528፣AON7544፣AON7542.Onsemi፣FAIRCHILD NTTFS493NPES40 N9R8-30MLC.TOSHIBA TPN4R303NL.PANJIT PJQ4408P.NIKO- ሴም PE5G6EA
የWINSOK MOSFET WSD30L40DN ተጓዳኝ የቁሳቁስ ቁጥሮች AOS AON7405፣AONR21357፣AON7403፣AONR21305C.ST ማይክሮኤሌክትሮኒክስ STL9P3LLH6.PANJIT PJQ4403P.NIKO-ሴም P12503EEA
የWINSOK MOSFET WSP6020 ተዛማጅ የቁሳቁስ ቁጥሮች AOS AO4262E፣AO4264E፣AO4268.Onsemi፣FaIRCHILD FDS86450.PANJIT PJL9436.NIKO-SEM P0706BV.Potens Semiconductor-PDS6.
የWINSOK MOSFET WSP16N10 ተዛማጅ የቁሳቁስ ቁጥሮች AOS AO4290, AO4290A, AO4294, AO4296.VISHAY Si4190ADY.Potens Semiconductor PDS0960.DINTEK ኤሌክትሮኒክስ DTM1012.
የWINSOK MOSFET WSP4435 ተጓዳኝ የቁሳቁስ ቁጥሮች፡-AOS AO4335፣AO4403፣AO4405፣AO4411፣AO4419፣AO4435፣AO4449፣AO4459፣AO4803፣AO4803A፣34803A፣4803A፣4803AO480 Z፣FDS6685.VISHAY Si4431CDY.ST ማይክሮኤሌክትሮኒክስ STS10P3LLH6፣STS5P3LLH6 ,STS6P3LLH6,STS9P3LLH6.TOSHIBA TPC8089-H.PANJIT PJL9411.Sinopower SM4310PSK.NIKO-ሴም P3203EVG.Potens ሴሚኮንዳክተር PDS3907.DINTEK ኤሌክትሮኒክስ DTM44437.DTM44435
የWINSOK MOSFET WSP4407 ተዛማጅ የቁሳቁስ ቁጥሮች፡-AOS AO4407፣AO4407A፣AOSP21321፣AOSP21307.Onsemi፣FAIRCHILD FDS6673BZ.VISHAY Si4825DDY.ST ማይክሮኤሌክትሮኒክስ STS10STPS33LL H6.TOSHIBA TPC8125.PANJIT PJL94153.Sinopower SM4305PSK.NIKO-SEM PV507BA ,P1003EVG.Potens ሴሚኮንዳክተር PDS4903.DINTEK ኤሌክትሮኒክስ DTM4407,DTM4415,DTM4417.
የWINSOK MOSFET WSP4606 ተዛማጅ የቁሳቁስ ቁጥሮች፡AOS AO4606፣AO4630፣AO4620፣AO4924፣AO4627፣AO4629፣AO4616.Onsemi፣FAIRCHILD ECH8661፣FDS8958AVINSHA 6ፓወር.5ሲ. 4901CSK.NIKO-ሴም P5003QVG.Potens ሴሚኮንዳክተር PDS3710. ዲንተክ ኤሌክትሮኒክስ DTM4606፣DTM4606BD፣DTM4606BDY።
የWINSOK MOSFET WSR80N10 ተዛማጅ የቁሳቁስ ቁጥሮች፡AOS AOTF290L.Onsemi፣FAIRCHILD-FDP365IU.ST ማይክሮኤሌክትሮኒክስ STP80N10F7.Nxperian PSMN9R5-100PS.INFINEON፣IR IPP086N10N3 ጂ.ፒ.ኤስ.ኤም.ኤን. PS.TOSHIBA TK100E08N1,TK100A08N1.Potens ሴሚኮንዳክተር PDP0966.
የልጥፍ ሰዓት፡- ህዳር-28-2023
