MOSFET እንዴት እንደሚመረጥ?

ሁለት አይነት MOSFETs፣ N-channel እና P-channel አሉ። በኃይል ስርዓቶች ውስጥ,MOSFETsእንደ ኤሌክትሪክ መቀየሪያዎች ሊቆጠር ይችላል. የ N-channel MOSFET ማብሪያ / ማጥፊያ / ማብሪያ / ማጥፊያ የሚከናወነው በበሩ እና በምንጩ መካከል አዎንታዊ ቮልቴጅ ሲጨመር ነው። በመምራት ላይ እያለ ጅረት ከውሃ ማፍሰሻ ወደ ምንጩ በማብሪያው በኩል ሊፈስ ይችላል። በፍሳሹ እና በምንጩ መካከል ኦን-ተከላካይ RDS (ON) ተብሎ የሚጠራ ውስጣዊ ተቃውሞ አለ።

 

MOSFET እንደ የኤሌክትሪክ አሠራሩ መሠረታዊ አካል ፣ ጓንዋ ዌይዬ በመለኪያዎቹ መሠረት ትክክለኛውን ምርጫ እንዴት እንደሚያደርጉ ይነግሩዎታል?

I. የሰርጥ ምርጫ

ለንድፍዎ ትክክለኛውን መሳሪያ ለመምረጥ የመጀመሪያው እርምጃ N-channel ወይም P-channel MOSFET መጠቀምን መወሰን ነው. በኃይል አፕሊኬሽኖች ውስጥ MOSFET ዝቅተኛ-ቮልቴጅ የጎን ማብሪያ / ማጥፊያ ሲፈጥር ፣ MOSFET መሬት ላይ እና ጭነቱ ከግንዱ ቮልቴጅ ጋር ይገናኛል። መሳሪያውን ለማጥፋት ወይም ለማብራት የሚያስፈልገውን ቮልቴጅ ግምት ውስጥ በማስገባት የ N-channel MOSFETs ዝቅተኛ ቮልቴጅ የጎን መቀያየርን መጠቀም ያስፈልጋል. ከፍተኛ የቮልቴጅ ጎን መቀየር MOSFET ከአውቶቡስ እና ከመሬት ጭነት ጋር ሲገናኝ ጥቅም ላይ መዋል አለበት.

 

II. የቮልቴጅ እና የአሁኑን መምረጥ

ከፍተኛ ደረጃ የተሰጠው የቮልቴጅ መጠን, የመሳሪያው ዋጋ ከፍ ያለ ነው. በተግባራዊ ልምድ, ደረጃ የተሰጠው ቮልቴጅ ከግንዱ ቮልቴጅ ወይም የአውቶቡስ ቮልቴጅ የበለጠ መሆን አለበት. ከዚያ በኋላ ብቻ ከMOSFET ውድቀት በቂ ጥበቃ ሊሰጥ ይችላል። MOSFETን በሚመርጡበት ጊዜ ከፍተኛውን የቮልቴጅ ከፍሳሽ ወደ ምንጭ መወሰን ያስፈልጋል.

በተከታታይ የማስተላለፊያ ሁነታ, የMOSFETየአሁኑ በመሣሪያው ውስጥ ያለማቋረጥ ሲያልፍ በተረጋጋ ሁኔታ ላይ ነው። የpulse spikes በመሳሪያው ውስጥ የሚፈሱ ትላልቅ ሞገዶች (ወይም ከፍተኛ ሞገዶች) ሲኖሩ ነው። በእነዚህ ሁኔታዎች ውስጥ ከፍተኛው ጅረት ከተወሰነ በኋላ, ከፍተኛውን የአሁኑን መቋቋም የሚችል መሳሪያ ብቻ ይምረጡ.

 

ሦስተኛ, የመምራት ኪሳራ

በተቃውሞው ላይ ያለው የሙቀት መጠን ስለሚለያይ የኃይል መጥፋት በተመጣጣኝ መጠን ይለያያል. ለተንቀሳቃሽ ዲዛይን ዝቅተኛ የቮልቴጅ አጠቃቀም በጣም የተለመደ ነው, ለኢንዱስትሪ ዲዛይን ደግሞ ከፍተኛ ቮልቴጅ መጠቀም ይቻላል.

 

የስርዓት ሙቀት መስፈርቶች

የስርዓት ማቀዝቀዣ መስፈርቶችን በተመለከተ፣ Crown Worldwide ከግምት ውስጥ መግባት ያለባቸው ሁለት የተለያዩ ሁኔታዎች እንዳሉ ያስታውስዎታል፣ በጣም የከፋው እና ትክክለኛው ሁኔታ። በጣም የከፋውን ስሌት ተጠቀም ምክንያቱም ይህ ውጤት ትልቅ የደህንነት ልዩነት ስለሚሰጥ እና ስርዓቱ እንደማይሳካ ዋስትና ሊሰጥ ይችላል.

የMOSFETዝቅተኛ የኃይል ፍጆታ ፣ የተረጋጋ አፈፃፀም እና የጨረር መከላከያ ስላለው ሶስትዮድ በተቀናጁ ወረዳዎች ውስጥ ቀስ በቀስ ይተካል። ግን አሁንም በጣም ስስ ነው, እና አብዛኛዎቹ ቀድሞውኑ አብሮገነብ መከላከያ ዳዮዶች ቢኖራቸውም, ጥንቃቄ ካልተደረገላቸው ሊበላሹ ይችላሉ. ስለዚህ, በመተግበሪያው ውስጥም ጥንቃቄ ማድረግ ጥሩ ነው.