WSD100N15DN56G ኤን-ቻናል 150V 100A DFN5X6-8 ዊንሶክ MOSFET

ምርቶች

WSD100N15DN56G ኤን-ቻናል 150V 100A DFN5X6-8 ዊንሶክ MOSFET

አጭር መግለጫ፡-

ክፍል ቁጥር፡-WSD100N15DN56G

BVDSS150 ቪ

መታወቂያ፡100A

RDSON6mΩ

ቻናል፡ኤን-ቻናል

ጥቅል፡DFN5X6-8


የምርት ዝርዝር

መተግበሪያ

የምርት መለያዎች

WINSOK MOSFET የምርት አጠቃላይ እይታ

የ WSD100N15DN56G MOSFET ቮልቴጅ 150V, የአሁኑ 100A ነው, ተቃውሞው 6mΩ ነው, ሰርጡ N-channel ነው, እና ጥቅሉ DFN5X6-8 ነው.

WINSOK MOSFET መተግበሪያ ቦታዎች

የሕክምና ኃይል MOSFET፣ PDs MOSFET፣ drones MOSFET፣ የኤሌክትሮኒክስ ሲጋራዎች MOSFET፣ ዋና ዕቃዎች MOSFET፣ እና የኃይል መሣሪያዎች MOSFET።

MOSFET መለኪያዎች

ምልክት

መለኪያ

ደረጃ መስጠት

ክፍሎች

ቪዲኤስ

የፍሳሽ-ምንጭ ቮልቴጅ

150

V

ቪጂኤስ

በር-ምንጭ ቮልቴጅ

± 20

V

ID

ቀጣይነት ያለው የፍሳሽ ማስወገጃ፣ ቪGS@ 10 ቪ (ቲC=25℃)

100

A

IDM

Pulsed Drain Current

360

A

ኢ.ኤስ

ነጠላ ምት አቫላንቼ ኢነርጂ

400

mJ

PD

ጠቅላላ የኃይል ብክነት...C=25℃)

160

W

RθJA

የሙቀት መቋቋም, መገናኛ-ድባብ

62

℃/ደብሊው

RθJC

የሙቀት መቋቋም, መጋጠሚያ - መያዣ

0.78

℃/ደብሊው

TSTG

የማከማቻ ሙቀት ክልል

-55-175

TJ 

የስራ መስቀለኛ መንገድ የሙቀት ክልል

-55-175

 

 

ምልክት

መለኪያ

ሁኔታዎች

ደቂቃ

አይነት

ከፍተኛ.

ክፍል

BVDSS 

የፍሳሽ-ምንጭ መሰባበር ቮልቴጅ VGS=0 ቪ፣ አይD=250UA

150

---

---

V

RDS(በርቷል)

የማይንቀሳቀስ የፍሳሽ-ምንጭ በተቃውሞ ላይ2  VGS= 10 ቪ, አይD=20A

---

9

12

ቪጂኤስ(ኛ)

የበር ገደብ ቮልቴጅ VGS=VDS፣ ID=250UA

2.0

3.0

4.0

V

መታወቂያ

የፍሳሽ-ምንጭ መፍሰስ ወቅታዊ VDS= 100 ቪ, ቪGS=0 ቪ፣ ቲJ=25℃

---

---

1

uA

IGSS

የበር-ምንጭ መፍሰስ ወቅታዊ VGS=±20V፣VDS=0 ቪ

---

---

± 100

nA

Qg 

ጠቅላላ የበር ክፍያ VDS= 50 ቪ, ቪGS= 10 ቪ, አይD=20A

---

66

---

nC

Qgs 

የጌት-ምንጭ ክፍያ

---

26

---

Qgd 

የጌት-ፍሳሽ ክፍያ

---

18

---

ቲዲ (በርቷል)

የማብራት መዘግየት ጊዜ VDD= 50 ቪ,VGS= 10 ቪ

RG=2Ω፣

ID=20A

---

37

---

ns

Tr 

መነሳት ጊዜ

---

98

---

ቲዲ (ጠፍቷል)

የመዘግየት ጊዜን ያጥፉ

---

55

---

Tf 

የውድቀት ጊዜ

---

20

---

Ciss 

የግቤት አቅም VDS=30 ቪ፣ ቪGS=0V፣ f=1MHz --- 5450

---

pF

ኮስ

የውጤት አቅም

---

በ1730 ዓ.ም

---

Crss 

የተገላቢጦሽ የማስተላለፊያ አቅም

---

195

---


  • ቀዳሚ፡
  • ቀጣይ፡-

  • መልእክትህን እዚህ ጻፍ እና ላኩልን።