WSD30160DN56 N-channel 30V 120A DFN5X6-8 ዊንሶክ MOSFET
WINSOK MOSFET የምርት አጠቃላይ እይታ
የ WSD30160DN56 MOSFET ቮልቴጅ 30V, የአሁኑ 120A ነው, መከላከያው 1.9mΩ ነው, ሰርጡ N-channel ነው, እና እሽጉ DFN5X6-8 ነው.
WINSOK MOSFET መተግበሪያ ቦታዎች
ኢ-ሲጋራዎች MOSFET፣ ገመድ አልባ ባትሪ መሙላት MOSFET፣ drones MOSFET፣ የህክምና አገልግሎት MOSFET፣ የመኪና ቻርጀሮች MOSFET፣ ተቆጣጣሪዎች MOSFET፣ ዲጂታል ምርቶች MOSFET፣ አነስተኛ የቤት እቃዎች MOSFET፣ የሸማች ኤሌክትሮኒክስ MOSFET።
WINSOK MOSFET ከሌሎች የምርት ስም ቁሶች ጋር ይዛመዳል
AOS MOSFET AON6382፣AON6384፣AON644A፣AON6548።
ኦንሴሚ፣ FAIRCHILD MOSFET NTMFS4834N፣NTMFS4C5N
TOSHIBA MOSFET TPH2R93PL
PANJIT MOSFET PJQ5426.
ኒኮ-ሴም MOSFET PKE1BB.
POTENS ሴሚኮንዳክተር MOSFET PDC392X.
MOSFET መለኪያዎች
ምልክት | መለኪያ | ደረጃ መስጠት | ክፍሎች |
ቪዲኤስ | የፍሳሽ-ምንጭ ቮልቴጅ | 30 | V |
ቪጂኤስ | ጌት-ሱrce ቮልቴጅ | ±20 | V |
ID@TC=25℃ | ቀጣይነት ያለው የፍሳሽ ማስወገጃ፣ ቪGS@ 10 ቪ1፣7 | 120 | A |
ID@TC=100℃ | ቀጣይነት ያለው የፍሳሽ ማስወገጃ፣ ቪGS@ 10 ቪ1፣7 | 68 | A |
IDM | Pulsed Drain Current2 | 300 | A |
ኢ.ኤስ | ነጠላ ምት አቫላንቼ ኢነርጂ3 | 128 | mJ |
አይኤስ | አቫላንቸ የአሁኑ | 50 | A |
PD@TC=25℃ | ጠቅላላ የኃይል ብክነት4 | 62.5 | W |
TSTG | የማከማቻ ሙቀት ክልል | -55-150 | ℃ |
TJ | የስራ መስቀለኛ መንገድ የሙቀት ክልል | -55-150 | ℃ |
ምልክት | መለኪያ | ሁኔታዎች | ደቂቃ | አይነት | ከፍተኛ. | ክፍል |
BVDSS | የፍሳሽ-ምንጭ መሰባበር ቮልቴጅ | VGS=0 ቪ፣ አይD=250UA | 30 | --- | --- | V |
△BVDSS/△ ቲጄ | BVDSSየሙቀት መጠን Coefficient | ማጣቀሻ 25℃፣ ID=1ኤምኤ | --- | 0.02 | --- | V/℃ |
RDS(በርቷል) | የማይንቀሳቀስ የፍሳሽ-ምንጭ በተቃውሞ ላይ2 | VGS= 10 ቪ, አይD=20A | --- | 1.9 | 2.5 | mΩ |
VGS=4.5V፣ ID=15A | --- | 2.9 | 3.5 | |||
ቪጂኤስ(ኛ) | የበር ገደብ ቮልቴጅ | VGS=VDS፣ ID=250UA | 1.2 | 1.7 | 2.5 | V |
△Vጂኤስ(ኛ) | Vጂኤስ(ኛ)የሙቀት መጠን Coefficient | --- | -6.1 | --- | mV/℃ | |
መታወቂያ | የፍሳሽ-ምንጭ መፍሰስ ወቅታዊ | VDS=24 ቪ፣ ቪGS=0 ቪ፣ ቲJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
VDS=24 ቪ፣ ቪGS=0 ቪ፣ ቲJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
IGSS | የበር-ምንጭ መፍሰስ ወቅታዊ | VGS=±20 ቪ፣ ቪDS=0 ቪ | --- | --- | ±100 | nA |
gfs | ወደፊት ትራንስፎርመር | VDS= 5 ቪ ፣ አይD=10A | --- | 32 | --- | S |
Rg | የበር መቋቋም | VDS=0 ቪ፣ ቪGS=0V፣ f=1MHz | --- | 0.8 | 1.5 | Ω |
Qg | ጠቅላላ የበር ክፍያ (4.5 ቪ) | VDS=15 ቪ፣ ቪGS=4.5V፣ ID=20A | --- | 38 | --- | nC |
Qgs | የጌት-ምንጭ ክፍያ | --- | 10 | --- | ||
Qgd | የጌት-ፍሳሽ ክፍያ | --- | 13 | --- | ||
ቲዲ (በርቷል) | የማብራት መዘግየት ጊዜ | VDD=15 ቪ፣ ቪጄኔራል=10 ቪ፣ አርG=6Ω፣ ID=1A፣ RL=15Ω | --- | 25 | --- | ns |
Tr | መነሳት ጊዜ | --- | 23 | --- | ||
ቲዲ (ጠፍቷል) | የመዘግየት ጊዜን ያጥፉ | --- | 95 | --- | ||
Tf | የውድቀት ጊዜ | --- | 40 | --- | ||
Ciss | የግቤት አቅም | VDS=15 ቪ፣ ቪGS=0V፣ f=1MHz | --- | 4900 | --- | pF |
ኮስ | የውጤት አቅም | --- | 1180 | --- | ||
Crss | የተገላቢጦሽ የማስተላለፊያ አቅም | --- | 530 | --- |