WSD30300DN56G ኤን-ቻናል 30V 300A DFN5X6-8 ዊንሶክ MOSFET
WINSOK MOSFET የምርት አጠቃላይ እይታ
የ WSD20100DN56 MOSFET ቮልቴጅ 20V ነው, የአሁኑ 90A ነው, የመቋቋም 1.6mΩ ነው, ሰርጥ N-ቻናል ነው, እና ጥቅል DFN5X6-8 ነው.
WINSOK MOSFET መተግበሪያ ቦታዎች
የኤሌክትሮኒክስ ሲጋራዎች MOSFET፣ drones MOSFET፣ የኤሌክትሪክ መሳሪያዎች MOSFET፣ fascia guns MOSFET፣ PD MOSFET፣ አነስተኛ የቤት ዕቃዎች MOSFET።
WINSOK MOSFET ከሌሎች የምርት ስም ቁሶች ጋር ይዛመዳል
AOS MOSFET AON6572.
POTENS ሴሚኮንዳክተር MOSFET PDC394X.
MOSFET መለኪያዎች
| ምልክት | መለኪያ | ደረጃ መስጠት | ክፍሎች |
| ቪዲኤስ | የፍሳሽ-ምንጭ ቮልቴጅ | 20 | V |
| ቪጂኤስ | በር-ምንጭ ቮልቴጅ | ±12 | V |
| ID@TC=25℃ | ቀጣይነት ያለው የውሃ ፍሳሽ ወቅታዊ1 | 90 | A |
| ID@TC=100℃ | ቀጣይነት ያለው የውሃ ፍሳሽ ወቅታዊ1 | 48 | A |
| IDM | Pulsed Drain Current2 | 270 | A |
| ኢ.ኤስ | ነጠላ የልብ ምት አቫላንቼ ኢነርጂ3 | 80 | mJ |
| አይኤስ | Avalanche Current | 40 | A |
| PD@TC=25℃ | ጠቅላላ የኃይል ብክነት4 | 83 | W |
| TSTG | የማከማቻ ሙቀት ክልል | -55-150 | ℃ |
| TJ | የስራ መስቀለኛ መንገድ የሙቀት ክልል | -55-150 | ℃ |
| RθJA | Thermal Resistance Junction-Ambient1(t≦10 ሰ) | 20 | ℃/W |
| RθJA | Thermal Resistance Junction-Ambient1(የተረጋጋ ሁኔታ) | 55 | ℃/W |
| Rኦ.ጄ.ሲ | Thermal Resistance Junction-case1 | 1.5 | ℃/W |
| ምልክት | መለኪያ | ሁኔታዎች | ደቂቃ | ተይብ | ከፍተኛ | ክፍል |
| BVDSS | የፍሳሽ-ምንጭ መሰባበር ቮልቴጅ | VGS=0V፣ ID=250uA | 20 | 23 | --- | V |
| ቪጂኤስ(ኛ) | የበር ገደብ ቮልቴጅ | VGS=VDS፣ መታወቂያ =250uA | 0.5 | 0.68 | 1.0 | V |
| RDS(በርቷል) | የማይንቀሳቀስ የፍሳሽ-ምንጭ በተቃውሞ ላይ2 | VGS=10V፣ ID=20A | --- | 1.6 | 2.0 | mΩ |
| RDS(በርቷል) | የማይንቀሳቀስ የፍሳሽ-ምንጭ በተቃውሞ ላይ2 | VGS=4.5V፣ ID=20A | 1.9 | 2.5 | mΩ | |
| RDS(በርቷል) | የማይንቀሳቀስ የፍሳሽ-ምንጭ በተቃውሞ ላይ2 | VGS=2.5V፣ ID=20A | --- | 2.8 | 3.8 | mΩ |
| መታወቂያ | የፍሳሽ-ምንጭ መፍሰስ ወቅታዊ | VDS=16V፣ VGS=0V፣TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=16V፣ VGS=0V፣TJ=125℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | የበር-ምንጭ መፍሰስ ወቅታዊ | VGS=±10V፣ VDS=0V | --- | --- | ±10 | uA |
| Rg | የበር መቋቋም | VDS=0V፣ VGS=0V፣f=1MHz | --- | 1.2 | --- | Ω |
| Qg | ጠቅላላ የበር ክፍያ (10 ቪ) | VDS=15V፣ VGS=10V፣ ID=20A | --- | 77 | --- | nC |
| Qgs | የጌት-ምንጭ ክፍያ | --- | 8.7 | --- | ||
| ኪ.ጂ.ዲ | የጌት-ፍሳሽ ክፍያ | --- | 14 | --- | ||
| ቲዲ (በርቷል) | የማብራት መዘግየት ጊዜ | VDD=15V፣ VGS=10V፣ RG=3፣ መታወቂያ=20A | --- | 10.2 | --- | ns |
| Tr | መነሳት ጊዜ | --- | 11.7 | --- | ||
| ቲዲ (ጠፍቷል) | የማጥፋት መዘግየት ጊዜ | --- | 56.4 | --- | ||
| Tf | የውድቀት ጊዜ | --- | 16.2 | --- | ||
| ሲስ | የግቤት አቅም | VDS=10V፣ VGS=0V፣f=1MHz | --- | 4307 | --- | pF |
| ኮስ | የውጤት አቅም | --- | 501 | --- | ||
| Crss | የተገላቢጦሽ የማስተላለፊያ አቅም | --- | 321 | --- | ||
| IS | ቀጣይነት ያለው ምንጭ ወቅታዊ1፣5 | VG=VD=0V , አስገድድ የአሁኑ | --- | --- | 50 | A |
| ቪኤስዲ | Diode ወደፊት ቮልቴጅ2 | VGS=0V፣ IS=1A፣ TJ=25℃ | --- | --- | 1.2 | V |
| trr | የተገላቢጦሽ የማገገሚያ ጊዜ | IF=20A፣ di/dt=100A/µs፣ TJ=25℃ | --- | 22 | --- | nS |
| Qrr | የተገላቢጦሽ መልሶ ማግኛ ክፍያ | --- | 72 | --- | nC |
