WSD40120DN56G N-channel 40V 120A DFN5X6-8 ዊንሶክ MOSFET

WSD40120DN56G N-channel 40V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET ተለይቶ የቀረበ ምስል

አጭር መግለጫ፡-

ክፍል ቁጥር፡-WSD40120DN56G

BVDSS40 ቪ

መታወቂያ፡120 ኤ

RDSON1.4mΩ

ቻናል፡ኤን-ቻናል

ጥቅል፡DFN5X6-8

ኢሜይል ይላኩልን። ፒዲኤፍ

የምርት ዝርዝር

መተግበሪያ

የምርት መለያዎች

WINSOK MOSFET የምርት አጠቃላይ እይታ

የ WSD40120DN56G MOSFET ቮልቴጅ 40V, የአሁኑ 120A ነው, መከላከያው 1.4mΩ ነው, ሰርጡ N-channel ነው, እና እሽጉ DFN5X6-8 ነው.

WINSOK MOSFET መተግበሪያ ቦታዎች

ኢ-ሲጋራዎች MOSFET፣ ገመድ አልባ ባትሪ መሙላት MOSFET፣ drones MOSFET፣ የህክምና አገልግሎት MOSFET፣ የመኪና ቻርጀሮች MOSFET፣ ተቆጣጣሪዎች MOSFET፣ ዲጂታል ምርቶች MOSFET፣ አነስተኛ የቤት እቃዎች MOSFET፣ የሸማች ኤሌክትሮኒክስ MOSFET።

WINSOK MOSFET ከሌሎች የምርት ስም ቁሶች ጋር ይዛመዳል

AOS MOSFET AON6234፣AON6232፣AON623.STMicroelectronics MOSFET STL14N4F7AG.POTENS ሴሚኮንዳክተር MOSFET PDC496X።

MOSFET መለኪያዎች

ምልክት	መለኪያ	ደረጃ መስጠት	ክፍሎች
ቪዲኤስ	የፍሳሽ-ምንጭ ቮልቴጅ	40	V
ቪጂኤስ	ጌት-ሱrce ቮልቴጅ	±20	V
I_D@T_C=25℃	ቀጣይነት ያለው የፍሳሽ ማስወገጃ፣ ቪ_GS@ 10 ቪ¹	120	A
I_D@T_C=100℃	ቀጣይነት ያለው የፍሳሽ ማስወገጃ፣ ቪ_GS@ 10 ቪ¹	82	A
IDM	Pulsed Drain Current²	400	A
ኢ.ኤስ	ነጠላ የልብ ምት አቫላንቼ ኢነርጂ³	400	mJ
አይኤስ	Avalanche Current	40	A
P_D@T_C=25℃	ጠቅላላ የኃይል ብክነት⁴	125	W
TSTG	የማከማቻ ሙቀት ክልል	-55-150	℃
T_J	የስራ መስቀለኛ መንገድ የሙቀት ክልል	-55-150	℃

ምልክት	መለኪያ	ሁኔታዎች	ደቂቃ	ተይብ።	ከፍተኛ.	ክፍል
BV_DSS	የፍሳሽ-ምንጭ መሰባበር ቮልቴጅ	V_GS=0 ቪ፣ አይ_D=250UA	40	---	---	V
△BVDSS/△ ቲጄ	BV_DSSየሙቀት መጠን Coefficient	ማጣቀሻ 25℃፣ I_D=1ኤምኤ	---	0.043	---	V/℃
RDS(በርቷል)	የማይንቀሳቀስ የፍሳሽ-ምንጭ በተቃውሞ ላይ²	VGS=10V፣ I_D=20A	---	1.4	1.8	mΩ
RDS(በርቷል)	የማይንቀሳቀስ የፍሳሽ-ምንጭ በተቃውሞ ላይ²	VGS=4.5V፣ I_D=20A	---	2.0	2.6	mΩ
ቪጂኤስ(ኛ)	የበር ገደብ ቮልቴጅ	V_GS=V_DS፣ I_D=250UA	1.2	1.6	2.2	V
△V_{ጂኤስ(ኛ)}	V_{ጂኤስ(ኛ)}የሙቀት መጠን Coefficient	V_GS=V_DS፣ I_D=250UA	---	-6.94	---	mV/℃
መታወቂያ	የፍሳሽ-ምንጭ መፍሰስ ወቅታዊ	V_DS=32 ቪ፣ ቪ_GS=0 ቪ፣ ቲ_J=25℃	---	---	1	uA
መታወቂያ	የፍሳሽ-ምንጭ መፍሰስ ወቅታዊ	V_DS=32 ቪ፣ ቪ_GS=0 ቪ፣ ቲ_J=55℃	---	---	5	uA
IGSS	የበር-ምንጭ መፍሰስ ወቅታዊ	V_GS=±20 ቪ፣ ቪ_DS=0 ቪ	---	---	±100	nA
gfs	ወደፊት ትራንስፎርመር	V_DS= 5 ቪ ፣ አይ_D=20A	---	53	---	S
R_g	የበር መቋቋም	V_DS=0 ቪ፣ ቪ_GS=0V፣ f=1MHz	---	1.0	---	Ω
Q_g	ጠቅላላ የበር ክፍያ (10 ቪ)	V_DS=15 ቪ፣ ቪ_GS= 10 ቪ, አይ_D=20A	---	45	---	nC
Q_gs	የጌት-ምንጭ ክፍያ		---	12	---
Q_gd	የጌት-ፍሳሽ ክፍያ		---	18.5	---
ቲዲ (በርቷል)	የማብራት መዘግየት ጊዜ	V_DD=15 ቪ፣ ቪ_ጄኔራል=10 ቪ፣ አር_G=3.3Ω፣ I_D=20A,RL=15Ω.	---	18.5	---	ns
T_r	መነሳት ጊዜ		---	9	---
ቲዲ (ጠፍቷል)	የማጥፋት መዘግየት ጊዜ		---	58.5	---
T_f	የውድቀት ጊዜ		---	32	---
C_iss	የግቤት አቅም	V_DS=20 ቪ፣ ቪ_GS=0V፣ f=1MHz	---	3972	---	pF
ኮስ	የውጤት አቅም		---	1119	---
C_rss	የተገላቢጦሽ የማስተላለፊያ አቅም		---	82	---