WSD6060DN56 ኤን-ቻናል 60V 65A DFN5X6-8 ዊንሶክ MOSFET

WSD6060DN56 N-channel 60V 65A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET ተለይቶ የቀረበ ምስል

አጭር መግለጫ፡-

ክፍል ቁጥር፡-WSD6060DN56

BVDSS60 ቪ

መታወቂያ፡65A

RDSON7.5mΩ

ቻናል፡ኤን-ቻናል

ጥቅል፡DFN5X6-8

ኢሜይል ይላኩልን። ፒዲኤፍ

የምርት ዝርዝር

መተግበሪያ

የምርት መለያዎች

WINSOK MOSFET የምርት አጠቃላይ እይታ

የ WSD6060DN56 MOSFET ቮልቴጅ 60V ነው, የአሁኑ 65A ነው, የመቋቋም 7.5mΩ ነው, ሰርጥ N-ቻናል ነው, እና ጥቅል DFN5X6-8 ነው.

WINSOK MOSFET መተግበሪያ ቦታዎች

ኢ-ሲጋራዎች MOSFET፣ ሽቦ አልባ ባትሪ መሙላት MOSFET፣ ሞተርስ MOSFET፣ ድሮኖች MOSFET፣ የህክምና እንክብካቤ MOSFET፣ የመኪና ቻርጀሮች MOSFET፣ ተቆጣጣሪዎች MOSFET፣ ዲጂታል ምርቶች MOSFET፣ አነስተኛ የቤት እቃዎች MOSFET፣ የሸማች ኤሌክትሮኒክስ MOSFET።

WINSOK MOSFET ከሌሎች የምርት ስም ቁሶች ጋር ይዛመዳል

STMicroelectronics MOSFET STL5DN6F7.PANJIT MOSFET PSMQC73N6NS1.POTENS ሴሚኮንዳክተር MOSFET PDC696X.

MOSFET መለኪያዎች

ምልክት	መለኪያ		ደረጃ መስጠት	ክፍል
የተለመዱ ደረጃዎች
ቪዲኤስኤስ	የፍሳሽ-ምንጭ ቮልቴጅ		60	V
ቪጂኤስኤስ	በር-ምንጭ ቮልቴጅ		± 20	V
T_J	ከፍተኛው የመገናኛ ሙቀት		150	° ሴ
TSTG	የማከማቻ ሙቀት ክልል		-55-150	° ሴ
I_S	Diode ቀጣይነት ያለው ወደፊት የአሁን	T_c=25°ሴ	30	A
ID	ቀጣይነት ያለው የውሃ ፍሳሽ ወቅታዊ	T_c=25°ሴ	65	A
ID	ቀጣይነት ያለው የውሃ ፍሳሽ ወቅታዊ	T_c= 70 ° ሴ	42	A
እኔ DM ለ	Pulse Drain Current ተፈትኗል	T_c=25°ሴ	250	A
P_D	ከፍተኛው የኃይል ብክነት	T_c=25°ሴ	62.5	W
P_D	ከፍተኛው የኃይል ብክነት	T_C= 70 ° ሴ	38	W
R_qJL	የሙቀት መቋቋም - ወደ መሪነት መገናኛ	የተረጋጋ ሁኔታ	2.1	° ሴ/ወ
RqJA	የሙቀት መቋቋም - ወደ ድባብ መገናኛ	t £ 10 ሴ	45	° ሴ/ወ
RqJA	የሙቀት መቋቋም - ወደ ድባብ መገናኛ	የተረጋጋ ሁኔታ^b	50	° ሴ/ወ
I AS^d	Avalanche Current፣ ነጠላ የልብ ምት	L=0.5mH	18	A
ኢ አስ መ	አቫላንቼ ኢነርጂ፣ ነጠላ የልብ ምት	L=0.5mH	81	mJ

ምልክት	መለኪያ	የሙከራ ሁኔታዎች		ደቂቃ	ተይብ።	ከፍተኛ.	ክፍል
የማይንቀሳቀሱ ባህሪያት
BV_DSS	የፍሳሽ-ምንጭ መሰባበር ቮልቴጅ	V_GS=0 ቪ፣ አይ_DS=250mA		60	-	-	V
መታወቂያ	የዜሮ በር የቮልቴጅ ፍሳሽ የአሁኑ	V_DS=48 ቪ፣ ቪ_GS=0 ቪ		-	-	1	mA
መታወቂያ	የዜሮ በር የቮልቴጅ ፍሳሽ የአሁኑ						mA
			T_J= 85 ° ሴ	-	-	30
ቪጂኤስ(ኛ)	የበር ገደብ ቮልቴጅ	V_DS=V_GS፣ I_DS=250mA		1.2	1.5	2.5	V
IGSS	የበር መፍሰስ ወቅታዊ	V_GS=±20V፣V_DS=0 ቪ		-	-	± 100	nA
አር ዲኤስ(ኦን) 3	የፍሳሽ-ምንጭ በግዛት ላይ መቋቋም	V_GS= 10 ቪ, አይ_DS=20A		-	7.5	10	m W
አር ዲኤስ(ኦን) 3	የፍሳሽ-ምንጭ በግዛት ላይ መቋቋም	V_GS=4.5V፣ I_DS=15 አ		-	10	15	m W
Diode ባህሪያት
ቪ ኤስዲ	Diode ወደፊት ቮልቴጅ	I_SD=1A፣ V_GS=0 ቪ		-	0.75	1.2	V
t_rr	የተገላቢጦሽ የማገገሚያ ጊዜ	I_SD=20A፣ dl_SD/dt=100A/µs		-	42	-	ns
Q_rr	የተገላቢጦሽ መልሶ ማግኛ ክፍያ	I_SD=20A፣ dl_SD/dt=100A/µs		-	36	-	nC
ተለዋዋጭ ባህሪያት^3፣4
R_G	የበር መቋቋም	V_GS=0V፣V_DS=0V፣F=1MHz		-	1.5	-	W
C_iss	የግቤት አቅም	V_GS=0 ቪ፣ V_DS= 30 ቪ, ረ=1.0ሜኸ Ω		-	1340	-	pF
C_oss	የውጤት አቅም			-	270	-
C_rss	የተገላቢጦሽ የማስተላለፊያ አቅም			-	40	-
td(በር)	የማብራት መዘግየት ጊዜ	VDD=30V፣ IDS=1A, VGEN=10V, RG=6Ω		-	15	-	ns
t_r	የማብራት መነሳት ጊዜ			-	6	-
td (ጠፍቷል)	የማጥፋት መዘግየት ጊዜ			-	33	-
t_f	የመውደቅ ጊዜን አጥፋ			-	30	-
የጌት ክፍያ ባህሪያት ^3፣4
Q_g	ጠቅላላ የበር ክፍያ	V_DS= 30 ቪ, V_GS=4.5V፣ I_DS=20A		-	13	-	nC
Q_g	ጠቅላላ የበር ክፍያ	V_DS=30 ቪ፣ ቪ_GS=10 ቪ I_DS=20A		-	27	-
Q_gth	የመነሻ በር ክፍያ			-	4.1	-
Q_gs	የጌት-ምንጭ ክፍያ			-	5	-
Q_gd	የጌት-ፍሳሽ ክፍያ			-	4.2	-