WSD60N10GDN56 ኤን-ቻናል 100 ቪ 60A DFN5X6-8 ዊንሶክ MOSFET

ምርቶች

WSD60N10GDN56 ኤን-ቻናል 100 ቪ 60A DFN5X6-8 ዊንሶክ MOSFET

አጭር መግለጫ፡-

ክፍል ቁጥር፡-WSD60N10GDN56

BVDSS100 ቪ

መታወቂያ፡60A

RDSON8.5mΩ

ቻናል፡ኤን-ቻናል

ጥቅል፡DFN5X6-8


የምርት ዝርዝር

መተግበሪያ

የምርት መለያዎች

WINSOK MOSFET የምርት አጠቃላይ እይታ

የ WSD60N10GDN56 MOSFET ቮልቴጅ 100V ነው, የአሁኑ 60A ነው, የመቋቋም 8.5mΩ ነው, ሰርጥ N-ቻናል ነው, እና ጥቅል DFN5X6-8 ነው.

WINSOK MOSFET መተግበሪያ ቦታዎች

ኢ-ሲጋራዎች MOSFET፣ ገመድ አልባ ባትሪ መሙላት MOSFET፣ ሞተርስ MOSFET፣ ድሮኖች MOSFET፣ የህክምና እንክብካቤ MOSFET፣ የመኪና ቻርጀሮች MOSFET፣ ተቆጣጣሪዎች MOSFET፣ ዲጂታል ምርቶች MOSFET፣ አነስተኛ የቤት እቃዎች MOSFET፣ የሸማች ኤሌክትሮኒክስ MOSFET።

MOSFET የትግበራ መስኮች WINSOK MOSFET ከሌሎች የምርት ስም ቁሶች ጋር ይዛመዳል

AOS MOSFET AON6226፣AON6294፣AON6298፣AONS6292፣AONS6692፣AONS66923.Onsemi፣FaIRCHILD MOSFET NTMFS6B14N.VISHAY MOSFET SiR84DP፣SiR87ADP.INFINETONG MOSFET ,TPH8R8ANH.PANJIT MOSFET PJQ5478A.NIKO-SEM MOSFET P81BKA.POTENS ሴሚኮንዳክተር MOSFET PDC92X

MOSFET መለኪያዎች

ምልክት

መለኪያ

ደረጃ መስጠት

ክፍሎች

ቪዲኤስ

የፍሳሽ-ምንጭ ቮልቴጅ

100

V

ቪጂኤስ

በር-ምንጭ ቮልቴጅ

± 20

V

ID@TC=25℃

ቀጣይነት ያለው የውሃ ፍሳሽ ወቅታዊ

60

A

IDP

Pulsed Drain Current

210

A

ኢ.ኤስ

አቫላንቼ ኢነርጂ፣ ነጠላ የልብ ምት

100

mJ

PD@TC=25℃

ጠቅላላ የኃይል ብክነት

125

TSTG

የማከማቻ ሙቀት ክልል

-55-150

TJ 

የስራ መስቀለኛ መንገድ የሙቀት ክልል

-55-150

 

ምልክት

መለኪያ

ሁኔታዎች

ደቂቃ

አይነት

ከፍተኛ.

ክፍል

BVDSS 

የፍሳሽ-ምንጭ መሰባበር ቮልቴጅ VGS=0 ቪ፣ አይD=250UA

100

---

---

V

  የማይንቀሳቀስ የፍሳሽ-ምንጭ በተቃውሞ ላይ VGS=10V፣ID=10A

---

8.5

10.0

RDS(በርቷል)

VGS=4.5V፣ID=10A

---

9.5

12.0

ቪጂኤስ(ኛ)

የበር ገደብ ቮልቴጅ VGS=VDS፣ ID=250UA

1.0

---

2.5

V

መታወቂያ

የፍሳሽ-ምንጭ መፍሰስ ወቅታዊ VDS= 80 ቪ, ቪGS=0 ቪ፣ ቲJ=25℃

---

---

1

uA

IGSS

የበር-ምንጭ መፍሰስ ወቅታዊ VGS=±20V፣VDS=0 ቪ

---

---

± 100

nA

Qg 

ጠቅላላ የበር ክፍያ (10 ቪ) VDS= 50 ቪ, ቪGS= 10 ቪ, አይD=25A

---

49.9

---

nC

Qgs 

የጌት-ምንጭ ክፍያ

---

6.5

---

Qgd 

የጌት-ፍሳሽ ክፍያ

---

12.4

---

ቲዲ (በርቷል)

የማብራት መዘግየት ጊዜ VDD= 50 ቪ, ቪGS= 10 ቪ,RG=2.2Ω፣ ID=25A

---

20.6

---

ns

Tr 

መነሳት ጊዜ

---

5

---

ቲዲ (ጠፍቷል)

የመዘግየት ጊዜን ያጥፉ

---

51.8

---

Tf 

የውድቀት ጊዜ

---

9

---

Ciss 

የግቤት አቅም VDS= 50 ቪ, ቪGS=0V፣ f=1MHz

---

2604

---

pF

ኮስ

የውጤት አቅም

---

362

---

Crss 

የተገላቢጦሽ የማስተላለፊያ አቅም

---

6.5

---

IS 

ቀጣይነት ያለው ምንጭ ወቅታዊ VG=VD=0V , አስገድድ የአሁኑ

---

---

60

A

አይኤስፒ

Pulsed ምንጭ ወቅታዊ

---

---

210

A

ቪኤስዲ

Diode ወደፊት ቮልቴጅ VGS=0 ቪ፣ አይS=12A፣ ቲJ=25℃

---

---

1.3

V

trr 

የተገላቢጦሽ የማገገሚያ ጊዜ IF=12A፣dI/dt=100A/µs፣TJ=25℃

---

60.4

---

nS

Qrr 

መልሶ ማግኛ ክፍያ

---

106.1

---

nC


  • ቀዳሚ፡
  • ቀጣይ፡-

  • መልእክትህን እዚህ ጻፍ እና ላኩልን።