WSD75N12GDN56 ኤን-ቻናል 120 ቪ 75A DFN5X6-8 ዊንሶክ MOSFET

ምርቶች

WSD75N12GDN56 ኤን-ቻናል 120 ቪ 75A DFN5X6-8 ዊንሶክ MOSFET

አጭር መግለጫ፡-

ክፍል ቁጥር፡-WSD75N12GDN56

BVDSS120 ቪ

መታወቂያ፡75A

RDSON6mΩ

ቻናል፡ኤን-ቻናል

ጥቅል፡DFN5X6-8


የምርት ዝርዝር

መተግበሪያ

የምርት መለያዎች

WINSOK MOSFET የምርት አጠቃላይ እይታ

የ WSD75N12GDN56 MOSFET ቮልቴጅ 120V, የአሁኑ 75A ነው, የመቋቋም 6mΩ ነው, ሰርጥ N-ቻናል ነው, እና ጥቅል DFN5X6-8 ነው.

WINSOK MOSFET መተግበሪያ ቦታዎች

የሕክምና መሣሪያዎች MOSFET፣ drones MOSFET፣ PD የኃይል አቅርቦቶች MOSFET፣ የ LED የኃይል አቅርቦቶች MOSFET፣ የኢንዱስትሪ መሣሪያዎች MOSFET።

MOSFET የትግበራ መስኮች WINSOK MOSFET ከሌሎች የምርት ስም ቁሶች ጋር ይዛመዳል

AOS MOSFET AON6226፣AON6294፣AON6298፣AONS6292፣AONS6692፣AONS66923.PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1።

MOSFET መለኪያዎች

ምልክት

መለኪያ

ደረጃ መስጠት

ክፍሎች

ቪዲኤስኤስ

የፍሳሽ-ወደ-ምንጭ ቮልቴጅ

120

V

VGS

በር-ወደ-ምንጭ ቮልቴጅ

± 20

V

ID

1

ቀጣይነት ያለው የውሃ ፍሰት (Tc=25℃)

75

A

ID

1

ቀጣይነት ያለው የውሃ ፍሳሽ (Tc=70℃)

70

A

IDM

Pulsed Drain Current

320

A

አይአር

ነጠላ የልብ ምት አቫላንቼ ወቅታዊ

40

A

ኢሳ

ነጠላ የልብ ምት አቫላንቼ ኢነርጂ

240

mJ

PD

የኃይል ብክነት

125

W

ቲጂ፣ ቲጂ

የመስቀለኛ መንገድ እና የማጠራቀሚያ የሙቀት መጠን

-55-150

TL

ለመሸጥ ከፍተኛው የሙቀት መጠን

260

RθJC

Thermal Resistance, Junction-to-case

1.0

℃/ደብሊው

RθJA

የሙቀት መቋቋም፣ መጋጠሚያ-ወደ-አካባቢ

50

℃/ደብሊው

 

ምልክት

መለኪያ

የሙከራ ሁኔታዎች

ደቂቃ

አይነት

ከፍተኛ.

ክፍሎች

ቪዲኤስኤስ

ወደ ምንጭ ብልሽት ቮልቴጅ ውጣ VGS=0V፣ ID=250µA

120

--

--

V

መታወቂያ

ወደ ምንጭ መፍሰስ ወቅታዊ VDS = 120V, VGS= 0V

--

--

1

µ ኤ

IGSS(ኤፍ)

ወደ ምንጭ መግቢያ በር ወደፊት መፍሰስ ቪጂኤስ =+20V

--

--

100

nA

IGSS(አር)

ወደ ምንጭ በር የተገላቢጦሽ መፍሰስ ቪጂኤስ = -20 ቪ

--

--

-100

nA

ቪጂኤስ(TH)

የበር ገደብ ቮልቴጅ VDS=VGS፣ መታወቂያ = 250µA

2.5

3.0

3.5

V

RDS(በርቷል)1

ውሃ-ወደ-ምንጭ በተቃውሞ ላይ VGS=10V፣ ID=20A

--

6.0

6.8

gFS

ወደፊት ትራንስፎርመር VDS=5V፣ ID=50A  

130

--

S

ሲስ

የግቤት አቅም VGS = 0V VDS = 50V ረ =1.0 ሜኸ

--

4282

--

pF

ኮስ

የውጤት አቅም

--

429

--

pF

Crss

የተገላቢጦሽ የማስተላለፊያ አቅም

--

17

--

pF

Rg

የበሩን መቋቋም

--

2.5

--

Ω

td(በር)

የማብራት መዘግየት ጊዜ

መታወቂያ =20A VDS = 50V VGS =

10V RG = 5Ω

--

20

--

ns

tr

መነሳት ጊዜ

--

11

--

ns

td (ጠፍቷል)

የመዘግየት ጊዜን ያጥፉ

--

55

--

ns

tf

የውድቀት ጊዜ

--

28

--

ns

Qg

ጠቅላላ የበር ክፍያ VGS = 0 ~ 10 ቪ ቪዲኤስ = 50 ቪመታወቂያ =20A

--

61.4

--

nC

Qgs

የበር ምንጭ ክፍያ

--

17.4

--

nC

ኪ.ጂ.ዲ

የጌት ፍሳሽ ክፍያ

--

14.1

--

nC

IS

Diode ወደፊት የአሁን TC = 25 ° ሴ

--

--

100

A

አይኤስኤም

Diode Pulse Current

--

--

320

A

ቪኤስዲ

Diode ወደፊት ቮልቴጅ IS=6.0A፣ VGS=0V

--

--

1.2

V

trr

የተገላቢጦሽ የመልሶ ማግኛ ጊዜ IS=20A፣ VDD=50V dIF/dt=100A/μs

--

100

--

ns

Qrr

መልሶ ማግኛ ክፍያ

--

250

--

nC


  • ቀዳሚ፡
  • ቀጣይ፡-

  • መልእክትህን እዚህ ጻፍ እና ላኩልን።