WSD80100DN56 N-channel 80V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

አጭር መግለጫ፡-

ክፍል ቁጥር፡-WSD80100DN56

BVDSS80 ቪ

መታወቂያ፡100A

RDSON6.1mΩ

ቻናል፡ኤን-ቻናል

ጥቅል፡DFN5X6-8

ጥያቄ ላክ ፒዲኤፍ

የምርት ዝርዝር

መተግበሪያ

የምርት መለያዎች

WINSOK MOSFET የምርት አጠቃላይ እይታ

የ WSD80100DN56 MOSFET ቮልቴጅ 80V ነው, የአሁኑ 100A ነው, የመቋቋም 6.1mΩ ነው, ሰርጥ N-ቻናል ነው, እና ጥቅል DFN5X6-8 ነው.

WINSOK MOSFET መተግበሪያ ቦታዎች

ድሮኖች MOSFET፣ ሞተርስ MOSFET፣ አውቶሞቲቭ ኤሌክትሮኒክስ MOSFET፣ ዋና ዕቃዎች MOSFET።

WINSOK MOSFET ከሌሎች የምርት ስም ቁሶች ጋር ይዛመዳል

AOS MOSFET AON6276፣AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL1N8F7.POTENS ሴሚኮንዳክተር MOSFET PDC7966X።

MOSFET መለኪያዎች

ምልክት	መለኪያ	ደረጃ መስጠት	ክፍሎች
ቪዲኤስ	የፍሳሽ-ምንጭ ቮልቴጅ	80	V
ቪጂኤስ	ጌት-ሱrce ቮልቴጅ	±20	V
TJ	ከፍተኛው የመገናኛ ሙቀት	150	° ሴ
ID	የማከማቻ ሙቀት ክልል	-55-150	° ሴ
ID	ቀጣይነት ያለው የፍሳሽ ማስወገጃ፣ ቪ_GS= 10 ቪ, ቲ_C=25°ሴ	100	A
ID	ቀጣይነት ያለው የፍሳሽ ማስወገጃ፣ ቪ_GS= 10 ቪ, ቲ_C= 100 ° ሴ	80	A
IDM	ፑልዝድ ድሬን የአሁን፣ ቲ_C=25°ሴ	380	A
P_D	ከፍተኛው የኃይል ብክነት፣ ቲ_C=25°ሴ	200	W
RqJC	የሙቀት መቋቋም - ለጉዳዩ መጋጠሚያ	0.8	° ሴ
E_AS	አቫላንቼ ኢነርጂ፣ ነጠላ የልብ ምት፣ L=0.5mH	800	mJ

ምልክት	መለኪያ	ሁኔታዎች	ደቂቃ	ተይብ።	ከፍተኛ.	ክፍል
BV_DSS	የፍሳሽ-ምንጭ መሰባበር ቮልቴጅ	V_GS=0 ቪ፣ አይ_D=250UA	80	---	---	V
△BVDSS/△ ቲጄ	BV_DSSየሙቀት መጠን Coefficient	ማጣቀሻ 25℃፣ I_D=1ኤምኤ	---	0.043	---	V/℃
RDS(በርቷል)	የማይንቀሳቀስ የፍሳሽ-ምንጭ በተቃውሞ ላይ²	VGS=10V፣ I_D=40A	---	6.1	8.5	mΩ
ቪጂኤስ(ኛ)	የበር ገደብ ቮልቴጅ	V_GS=V_DS፣ I_D=250UA	2.0	3.0	4.0	V
△V_{ጂኤስ(ኛ)}	V_{ጂኤስ(ኛ)}የሙቀት መጠን Coefficient	V_GS=V_DS፣ I_D=250UA	---	-6.94	---	mV/℃
መታወቂያ	የፍሳሽ-ምንጭ መፍሰስ ወቅታዊ	V_DS=48 ቪ፣ ቪ_GS=0 ቪ፣ ቲ_J=25℃	---	---	2	uA
መታወቂያ	የፍሳሽ-ምንጭ መፍሰስ ወቅታዊ	V_DS=48 ቪ፣ ቪ_GS=0 ቪ፣ ቲ_J=55℃	---	---	10	uA
IGSS	የበር-ምንጭ መፍሰስ ወቅታዊ	V_GS=±20 ቪ፣ ቪ_DS=0 ቪ	---	---	±100	nA
gfs	ወደፊት ትራንስፎርመር	V_DS= 5 ቪ ፣ አይ_D=20A	80	---	---	S
Q_g	ጠቅላላ የበር ክፍያ (10 ቪ)	V_DS=30 ቪ፣ ቪ_GS= 10 ቪ, አይ_D=30A	---	125	---	nC
Q_gs	የጌት-ምንጭ ክፍያ		---	24	---
Q_gd	የጌት-ፍሳሽ ክፍያ		---	30	---
ቲዲ (በርቷል)	የማብራት መዘግየት ጊዜ	V_DD=30 ቪ፣ ቪ_GS= 10 ቪ, R_G=2.5Ω፣ I_D=2A,RL=15Ω.	---	20	---	ns
T_r	መነሳት ጊዜ		---	19	---
ቲዲ (ጠፍቷል)	የመዘግየት ጊዜን ያጥፉ		---	70	---
T_f	የውድቀት ጊዜ		---	30	---
C_iss	የግቤት አቅም	V_DS=25 ቪ፣ ቪ_GS=0V፣ f=1MHz	---	4900	---	pF
ኮስ	የውጤት አቅም		---	410	---
C_rss	የተገላቢጦሽ የማስተላለፊያ አቅም		---	315	---