ለ MOSFET ውጤታማነት ምክንያቶች ትንተና

1, የቮልቴጅ አለመሳካት ብዙውን ጊዜ በ BVdss ቮልቴጅ ምንጭ መካከል ያለው መፍሰስ ከሞስፌት የቮልቴጅ መጠን ይበልጣል እና ከተወሰነ አቅም በላይ ወደ mosfet ውድቀት ይመራዋል ይባላል።

2, አሁን ያለው ብልሽት ከሞስፌት ደህንነቱ የተጠበቀ የስራ ክልል እና ልክ ያልሆነው ፣በመታወቂያው የተከፋፈለው የመሳሪያውን ዝርዝር ሁኔታ በልጦ በመታወቂያው ምክንያት የተፈጠረው ውድቀት በጣም ትልቅ ነው ፣ከፍተኛ ድካም እና እንባ የረጅም ጊዜ የሙቀት ክምችት ያስከትላል። መሳሪያው እና አለመሳካቱ.

3, ድልድዩ ውስጥ, LLC እና ሌሎች ውጤታማ አካል diode የአሁኑ ቶፖሎጂ ለመፈጸም, ምክንያቱም የሰውነት diode ተደምስሷል እና ልክ ያልሆነ.

4, በትይዩ አተገባበር ሂደት ውስጥ, የወረዳ ጥገኛ መለኪያዎች ጋር በር ወደ መዋዠቅ ይመራል ሬዞናንስ ውድቀት ያስከትላል.

5, በደረቅ አካባቢ, ምክንያቱም የሰው አካል እና መሳሪያዎች እና በመሳሪያው የሚመነጨው የማይንቀሳቀስ ኤሌክትሪክ ወደ የማይንቀሳቀስ ውጤት ያመራል.

6. በበሩ ላይ ባለው ያልተለመደ የቮልቴጅ ጫፍ ምክንያት የጌት ቮልቴጅ ልክ ያልሆነ ነው።

ከላይ ያለው መሰረት ነውMOSFETየውድቀት መንስኤዎችን ትንተና ፣ ተዛማጅ ሂደቶችን እናደርጋለን ፣ ሌሎች ጉዳዮችም አሉ በመስመር ላይ የ Guanhua Weiye ኩባንያ እኛን እንዲያማክሩ እንኳን ደህና መጡ ፣ ውጤታማ መልሶች እና ጥራት ያለው የአገልግሎት አመለካከት ሊሰጡዎት ይችላሉ።
ኦሉኪኩባንያ ወደ ብድር መትረፍ ፣ “ጥራት በመጀመሪያ ፣ አገልግሎት መጀመሪያ” ዓላማን እና በአገር ውስጥ እና በውጭ ሀገር ያሉ ብዙ የከፍተኛ የቴክኖሎጂ ኢንተርፕራይዞችን በማክበር ፣ ጥሩ የስራ ግንኙነት ለመመስረት ዋናው ፋብሪካ ፣ በስርጭት ውስጥ ለብዙ ዓመታት ልምድ ያለው ፣ ጥሩ ብድር ፣ እጅግ በጣም ጥሩ አገልግሎት፣ ሰፊ እምነት እና ድጋፍ ማግኘት።