የMOSFET ውድቀት መንስኤዎች እና መከላከያ

የጌት ቮልቴጅ ውድቀት

ሦስት ዋና ዋና ምክንያቶች አሉ ያልተለመደ ከፍተኛ ፍርግርግ ቮልቴጅ: በምርት ጊዜ የማይንቀሳቀስ ኤሌክትሪክ; በኃይል ስርዓት ሥራ ወቅት በመሳሪያዎች እና በወረዳዎች ጥገኛ ተውሳኮች የመነጨ ከፍተኛ የቮልቴጅ ሬዞናንስ; እና ከፍተኛ የቮልቴጅ መጠን በ Ggd በኩል ወደ ፍርግርግ በከፍተኛ የቮልቴጅ ድንጋጤዎች (በመብረቅ ፍተሻ ወቅት በብዛት የሚከሰት ስህተት)።

የቮልቴጅ ብልሽቶችን ለመከላከል እርምጃዎች:

በበር እና በምንጭ መካከል ያለው የቮልቴጅ ጥበቃ፡ በበሩ እና በምንጩ መካከል ያለው ውዝግብ በጣም ከፍተኛ ሲሆን በበሩ እና በምንጩ መካከል ያለው የቮልቴጅ ድንገተኛ ለውጥ በኤሌክትሮዶች መካከል ባለው አቅም በኩል ከበሩ ጋር ይጣመራል ፣ በዚህም ምክንያት በጣም ከፍተኛ የ UGS ቮልቴጅ ከመጠን በላይ ቁጥጥር ይከሰታል። የበሩን ከመጠን በላይ መቆጣጠርን ያስከትላል. ቋሚ የኦክሳይድ ጉዳት. UGS በአዎንታዊ ጊዜያዊ ቮልቴጅ ላይ ከሆነ, መሳሪያው ስህተቶችንም ሊያስከትል ይችላል. በዚህ መሠረት የበር ድራይቭ ዑደት መጨናነቅ በተገቢው ሁኔታ መቀነስ እና በበሩ እና በምንጩ መካከል ያለው የሙቀት መከላከያ ወይም 20 ቮ ማረጋጊያ ቮልቴጅ መያያዝ አለበት። የተከፈተ በርን ለመከላከል ልዩ ጥንቃቄ መደረግ አለበት.

በማፍሰሻ ቱቦዎች መካከል ያለው የቮልቴጅ ጥበቃ፡ በወረዳው ውስጥ ኢንዳክተር ካለ፣ ክፍሉ ሲጠፋ ድንገተኛ የፍሳሽ ፍሰት (di/dt) ለውጦች ከአቅርቦት ቮልቴጁ በደንብ በላይ ስለሚወጣ በንጥሉ ላይ ጉዳት ያስከትላል። ጥበቃ Zener clamp፣ RC clamp ወይም RC suppression circuitን ማካተት አለበት።