የተሻሻለ ጥቅል MOSFETs እንዴት እንደሚሰራ

የታሸጉ MOSFETዎችን በመጠቀም የመቀየሪያ ሃይል አቅርቦት ወይም የሞተር ድራይቭ ወረዳ ሲነድፉ አብዛኛው ሰው የ MOS ን መቋቋም ፣ ከፍተኛውን የቮልቴጅ ወዘተ ፣ ከፍተኛውን የአሁኑን ወዘተ ግምት ውስጥ ያስገባሉ እና እነዚህን ምክንያቶች ብቻ ከግምት ውስጥ የሚያስገባ ብዙዎች ናቸው። እንደነዚህ ያሉት ወረዳዎች ሊሠሩ ይችላሉ, ነገር ግን በጣም ጥሩ አይደሉም እና እንደ መደበኛ የምርት ንድፎች አይፈቀዱም.

የሚከተለው የ MOSFET መሰረታዊ ነገሮች እና ጥቂት ማጠቃለያ ነው።MOSFETየአሽከርካሪዎች ወረዳዎች ፣ እኔ ወደ ብዙ ምንጮች እጠቅሳለሁ ፣ ሁሉም ኦሪጅናል አይደሉም። የ MOSFETs፣ የባህሪያት፣ የመንዳት እና የመተግበሪያ ወረዳዎች መግቢያን ጨምሮ። የ MOSFET አይነቶች እና መጋጠሚያ MOSFET FET ነው (ሌላ JFET)፣ ወደ የተሻሻለ ወይም የመቀነስ አይነት፣ P-channel ወይም N-channel በአጠቃላይ አራት አይነት ሊመረት ይችላል፣ነገር ግን ትክክለኛው የተሻሻለ N-channel MOSFET እና የተሻሻለ ፒ ብቻ ነው። -ቻናል MOSFET፣ ስለዚህ በተለምዶ NMOS ተብሎ የሚጠራው፣ ወይም PMOS የሚያመለክተው እነዚህን ሁለት ዓይነቶች ነው።

ለምን የመቀነስ አይነት MOSFETs አይጠቀሙም ፣ ወደ ታችኛው ክፍል መድረስ አይመከርም። ለእነዚህ ሁለት አይነት ማሻሻያ MOSFETs፣ NMOS በብዛት ጥቅም ላይ የሚውለው በዝቅተኛ የመቋቋም እና የመፍጠር ቀላልነት ምክንያት ነው። ስለዚህ የኃይል አቅርቦትን እና የሞተር ድራይቭ አፕሊኬሽኖችን መቀየር፣ በአጠቃላይ NMOSን ይጠቀሙ። የሚከተለው መግቢያ, ግን ደግሞ ተጨማሪNMOS- የተመሰረተ.

MOSFETs በሦስቱ ፒን መካከል ጥገኛ አቅም አላቸው፣ይህም አያስፈልግም፣ነገር ግን በማምረት ሂደት ውስንነት። አንዳንድ ችግር መሆን ድራይቭ የወረዳ ንድፍ ወይም ምርጫ ውስጥ ጥገኛ capacitance መኖር, ነገር ግን ለማስወገድ ምንም መንገድ የለም, ከዚያም በዝርዝር ተገልጿል. በ MOSFET ንድፍ ላይ እንደሚታየው, በፍሳሹ እና በምንጩ መካከል ጥገኛ ዳይኦድ አለ.

ይህ የሰውነት ዳዮድ ተብሎ የሚጠራ ሲሆን እንደ ሞተርስ ያሉ ኢንዳክቲቭ ሸክሞችን ለማሽከርከር አስፈላጊ ነው። በነገራችን ላይ የሰውነት ዳዮድ በግለሰብ ውስጥ ብቻ ነውMOSFETsእና ብዙውን ጊዜ በተቀናጀው የወረዳ ቺፕ ውስጥ አይገኝም።MOSFET ON CharacteristicsOn ማለት እንደ ማብሪያ / ማጥፊያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማጥፊያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማጥፊያ.

የ NMOS ባህሪያት፣ ከተወሰነ እሴት የሚበልጡ ቪጂኤስ ይመራሉ፣ ምንጩ መሬት ላይ በሚውልበት ጊዜ (ዝቅተኛ-መጨረሻ አንፃፊ)፣ የ 4V ወይም 10V የቮልቴጅ በር እስከሆነ ድረስ ለመጠቀም ተስማሚ ነው። የPMOS ባህሪያት፣ Vgs ከተወሰነ እሴት ያነሰ ይመራሉ፣ ምንጩ ከቪሲሲ (ከፍተኛ-ደረጃ አንጻፊ) ጋር ሲገናኝ ለጉዳዩ ተስማሚ ነው። ይሁን እንጂ PMOS እንደ ከፍተኛ አሽከርካሪ በቀላሉ ሊያገለግል ቢችልም, NMOS በአብዛኛው በከፍተኛ ደረጃ አሽከርካሪዎች ውስጥ ጥቅም ላይ የሚውለው በትልቅ የመቋቋም, ከፍተኛ ዋጋ እና ጥቂት የመተኪያ ዓይነቶች ምክንያት ነው.

ማሸግ MOSFET መቀያየርን ቱቦ ኪሳራ, NMOS ይሁን PMOS, conduction በኋላ ላይ-የመቋቋም አለ, ስለዚህ የአሁኑ በዚህ የመቋቋም ውስጥ ኃይል ይበላል, ፍጆታ የኃይል ክፍል conduction ኪሳራ ይባላል. አነስተኛ የመቋቋም ችሎታ ያለው MOSFET መምረጥ የማስተላለፊያውን ኪሳራ ይቀንሳል። በአሁኑ ጊዜ የ MOSFET አነስተኛ ኃይል መቋቋም በአጠቃላይ በአስር ሚሊዮሂም አካባቢ ነው ፣ እና ጥቂት ሚሊሆሞችም እንዲሁ ይገኛሉ ። MOS ሲመራ እና ሲቋረጥ በቅጽበት መጠናቀቅ የለበትም። በ MOS በሁለቱም በኩል ያለው ቮልቴጅ የመቀነስ ሂደት, እና በእሱ ውስጥ የሚፈሰው ጅረት የመጨመር ሂደት አለው.በዚህ ጊዜ, የ MOSFET መጥፋት የቮልቴጅ እና የአሁኑ ውጤት ነው, እሱም የመቀያየር ኪሳራ ይባላል. ብዙውን ጊዜ የመቀየሪያ መጥፋት ከኮንዳክሽን መጥፋት በጣም ትልቅ ነው, እና የመቀየሪያው ድግግሞሽ በበለጠ ፍጥነት, ኪሳራው ይበልጣል. የቮልቴጅ እና የአሁን ጊዜ በኮንዳክሽን ፍጥነት ያለው ምርት በጣም ትልቅ ነው, ይህም ከፍተኛ ኪሳራ ያስከትላል.

የመቀየሪያ ጊዜን ማሳጠር በእያንዳንዱ መጓጓዣ ላይ ያለውን ኪሳራ ይቀንሳል; የመቀየሪያ ድግግሞሹን መቀነስ በአንድ ክፍል ጊዜ የመቀየሪያዎችን ብዛት ይቀንሳል. እነዚህ ሁለቱም አካሄዶች የመቀየሪያ ኪሳራዎችን ሊቀንሱ ይችላሉ። የቮልቴጅ እና የአሁን ጊዜ በመተላለፊያው ቅጽበት ውስጥ ያለው ምርት ትልቅ ነው, እና የሚፈጠረው ኪሳራም ትልቅ ነው. የመቀየሪያ ጊዜን ማሳጠር በእያንዳንዱ መጓጓዣ ላይ ያለውን ኪሳራ ሊቀንስ ይችላል; የመቀየሪያ ድግግሞሽን መቀነስ በአንድ ክፍል ጊዜ የመቀየሪያዎችን ብዛት ሊቀንስ ይችላል። እነዚህ ሁለቱም አካሄዶች የመቀየሪያ ኪሳራዎችን ሊቀንሱ ይችላሉ። ማሽከርከር ከቢፖላር ትራንዚስተሮች ጋር ሲነጻጸር፣ በአጠቃላይ የታሸገ MOSFETን ለማብራት ምንም አይነት ጅረት አያስፈልግም ተብሎ ይታመናል፣ የ GS ቮልቴጅ ከተወሰነ እሴት በላይ እስከሆነ ድረስ። ይህን ማድረግ ቀላል ነው, ሆኖም ግን, እኛ ደግሞ ፍጥነት ያስፈልገናል. የታሸገው MOSFET አወቃቀሩ በጂ.ኤስ., ጂዲ መካከል ያለው ጥገኛ አቅም ሲኖር እና የ MOSFET መንዳት በእውነቱ የኃይል መሙያ እና መለቀቅ ነው. የ capacitor ቻርጅ ማድረግ የአሁኑን ያስፈልገዋል ምክንያቱም የ capacitorን በቅጽበት መሙላት እንደ አጭር ዑደት ስለሚታይ ፈጣን ጅረት ትልቅ ይሆናል. የMOSFET ሾፌርን በሚመርጡበት ጊዜ / ሲነድፉ ትኩረት ሊሰጠው የሚገባው የመጀመሪያው ነገር ሊሰጥ የሚችለው ፈጣን የአጭር-ዑደት ፍሰት መጠን ነው።

ሊታወቅ የሚገባው ሁለተኛው ነገር, በአጠቃላይ በከፍተኛ-ደረጃ አንጻፊ NMOS ውስጥ ጥቅም ላይ የሚውለው, በጊዜ ላይ ያለው የቮልቴጅ ቮልቴጅ ከምንጩ ቮልቴጅ የበለጠ መሆን አለበት. ከፍተኛ-መጨረሻ ድራይቭ MOSFET conduction ምንጭ ቮልቴጅ እና እዳሪ ቮልቴጅ (VCC) ተመሳሳይ, ስለዚህ በር ቮልቴጅ ከ VCC 4 V ወይም 10 V. በተመሳሳይ ሥርዓት ውስጥ ከሆነ, VCC ይልቅ ተለቅ ቮልቴጅ ለማግኘት, ልዩ መሆን አለብን. ማበልጸጊያ ወረዳዎች. ብዙ የሞተር አሽከርካሪዎች የተቀናጁ የኃይል መሙያ ፓምፖች አሏቸው ፣ MOSFETን ለመንዳት በቂ የአጭር-የወረዳ ጅረት ለማግኘት ተገቢውን የውጭ አቅም መምረጥ እንዳለቦት ልብ ሊባል ይገባል። 4V ወይም 10V በተለምዶ MOSFET ላይ-ግዛት ቮልቴጅ ውስጥ ጥቅም ላይ ይውላል, እርግጥ ነው, ዲዛይኑ የተወሰነ ህዳግ ሊኖረው ይገባል. የቮልቴጅ ከፍ ባለ መጠን የስቴት ፍጥነት ፍጥነት እና በግዛት ላይ ያለው ተቃውሞ ይቀንሳል. በአሁኑ ጊዜ በተለያዩ መስኮች ጥቅም ላይ የሚውሉ አነስተኛ የቮልቴጅ ኦን-ስቴት ያላቸው MOSFETዎች አሉ ነገር ግን በ 12 ቮ አውቶሞቲቭ ኤሌክትሮኒክስ ሲስተሞች በአጠቃላይ 4V በግዛት ላይ በቂ ነው MOSFET የመኪና ዑደት እና ኪሳራው.