የ MOSFET ዋና መለኪያዎች እና ከ triodes ጋር ንፅፅር

የመስክ ኢፌክት ትራንዚስተር አህጽሮታል።MOSFETሁለት ዋና ዋና ዓይነቶች አሉ-የመጋጠሚያ መስክ ተፅእኖ ቱቦዎች እና የብረት-ኦክሳይድ ሴሚኮንዳክተር የመስክ ተፅእኖ ቱቦዎች። MOSFET በተጨማሪም በኮንዳክቲቭ ዳይሬክተሩ ውስጥ የሚሳተፉ አብዛኛዎቹ አጓጓዦች ያሉት ዩኒፖላር ትራንዚስተር በመባል ይታወቃል። በቮልቴጅ ቁጥጥር የሚደረግባቸው ሴሚኮንዳክተር መሳሪያዎች ናቸው. በከፍተኛ የግብአት መከላከያ፣ ዝቅተኛ ጫጫታ፣ ዝቅተኛ የኃይል ፍጆታ እና ሌሎች ባህሪያት ምክንያት ለባይፖላር ትራንዚስተሮች እና ለኃይል ትራንዚስተሮች ጠንካራ ተፎካካሪ ያደርገዋል።

I. የ MOSFET ዋና መለኪያዎች

1, የዲሲ መለኪያዎች

የሳቹሬሽን ማፍሰሻ ዥረት ማለት በበር እና በምንጩ መካከል ያለው ቮልቴጅ ከዜሮ ጋር እኩል ሲሆን እና በፍሳሽ እና በምንጩ መካከል ያለው ቮልቴጅ ከቁንጥጫ ቮልቴጅ የበለጠ ከሆነ ጋር የሚዛመደው የውሃ ፍሳሽ ፍሰት ተብሎ ሊገለጽ ይችላል።

የፒንች-ኦፍ ቮልቴጅ UP: UDS እርግጠኛ በሚሆንበት ጊዜ መታወቂያውን ወደ ትንሽ ጅረት ለመቀነስ የሚያስፈልገው UGS;

የማብራት ቮልቴጅ UT፡ ዩዲኤስ እርግጠኛ በሚሆንበት ጊዜ መታወቂያ ወደ አንድ እሴት ለማምጣት UGS ያስፈልጋል።

2, AC መለኪያዎች

ዝቅተኛ ድግግሞሽ ትራንስኮንዳክሽን gm፡ በር እና የምንጭ ቮልቴጅ በፍሳሽ ጅረት ላይ ያለውን የቁጥጥር ውጤት ይገልጻል።

የኢንተር-ፖል አቅም: በ MOSFET ሶስት ኤሌክትሮዶች መካከል ያለው አቅም, አነስተኛ እሴቱ, አፈፃፀሙ የተሻለ ይሆናል.

3, ግቤቶችን ይገድቡ

የፍሳሽ ማስወገጃ፣ የምንጭ መሰባበር ቮልቴጅ፡ የፍሳሹ ጅረት በከፍተኛ ሁኔታ ሲጨምር፣ በ UDS ጊዜ የጎርፍ አደጋን ይፈጥራል።

የበር ብልሽት ቮልቴጅ፡ መጋጠሚያ የመስክ ውጤት ቱቦ መደበኛ ስራ፣ በር እና ምንጭ በፒኤን መጋጠሚያ መካከል በተገላቢጦሽ አድሏዊ ሁኔታ፣ የአሁኑ መፈራረስ ለማምረት በጣም ትልቅ ነው።

II. ባህሪያት የMOSFETs

MOSFET የማጉላት ተግባር አለው እና አምፕሊፋይድ ሰርክዩን መፍጠር ይችላል። ከሶስትዮድ ጋር ሲነጻጸር, የሚከተሉት ባህሪያት አሉት.

(1) MOSFET የቮልቴጅ ቁጥጥር ያለው መሳሪያ ነው, እና እምቅ ችሎታው በ UGS ቁጥጥር ስር ነው;

(2) በ MOSFET ግብአት ላይ ያለው የአሁኑ እጅግ በጣም ትንሽ ነው, ስለዚህ የግብአት መከላከያው በጣም ከፍተኛ ነው;

(3) የሙቀት መረጋጋት ጥሩ ነው, ምክንያቱም ብዙ ተሸካሚዎችን ለኮንዳክቲቭነት ስለሚጠቀም;

(4) በውስጡ ማጉያ የወረዳ ያለውን ቮልቴጅ ማጉሊያ Coefficient አንድ triode ያነሰ ነው;

(5) ለጨረር የበለጠ የሚቋቋም ነው።

ሶስተኛ፣MOSFET እና ትራንዚስተር ንጽጽር

(1) MOSFET ምንጭ፣ በር፣ ፍሳሽ እና ባለሶስትዮድ ምንጭ፣ ቤዝ፣ የተቀመጠ ነጥብ ምሰሶ ከተመሳሳይ ሚና ጋር ይዛመዳል።

(2) MOSFET በቮልቴጅ ቁጥጥር የሚደረግበት የአሁኑ መሣሪያ ነው, የማጉላት ቅንጅቱ ትንሽ ነው, የማጉላት ችሎታው ደካማ ነው; triode በአሁኑ ጊዜ ቁጥጥር የሚደረግበት የቮልቴጅ መሳሪያ ነው, የማጉላት ችሎታው ጠንካራ ነው.

(3) MOSFET በር በመሠረቱ የአሁኑን አይወስድም; እና የሶስትዮድ ስራ, መሰረቱ የተወሰነ ጅረት ይቀበላል. ስለዚህ የ MOSFET በር ግቤት መቋቋም ከሶስትዮድ ግቤት መከላከያ ከፍ ያለ ነው።

(4) የ MOSFET የመተላለፊያ ሂደት የፖሊትሮን ተሳትፎ አለው ፣ እና ትሪዮድ ሁለት ዓይነት ተሸካሚዎች ማለትም ፖሊትሮን እና ኦሊጎትሮን ተሳትፎ አለው ፣ እና የኦሊጎትሮን ክምችት በሙቀት ፣ በጨረር እና በሌሎች ምክንያቶች በእጅጉ ይጎዳል ፣ ስለሆነም MOSFET ከትራንዚስተር የተሻለ የሙቀት መረጋጋት እና የጨረር መከላከያ አለው. የአካባቢ ሁኔታዎች ብዙ ሲቀየሩ MOSFET መመረጥ አለበት።

(5) MOSFET ከምንጩ ብረታ ብረት እና ንብረቱ ጋር ሲገናኝ ምንጩ እና ፍሳሽ ሊለዋወጡ ይችላሉ እና ባህሪያቶቹ ብዙ አይለወጡም ፣ የትራንስተሩ ሰብሳቢ እና አስማሚ በሚለዋወጡበት ጊዜ ባህሪያቱ ይለያያሉ እና β እሴት ይለያያሉ ። ይቀንሳል።

(6) የMOSFET ጫጫታ ምስል ትንሽ ነው።

(7) MOSFET እና triode የተለያዩ ማጉያ ወረዳዎች እና መቀያየርን ወረዳዎች የተውጣጣ ሊሆን ይችላል, ነገር ግን የቀድሞው ያነሰ ኃይል, ከፍተኛ አማቂ መረጋጋት, አቅርቦት ቮልቴጅ ሰፊ ክልል የሚፈጅ, ስለዚህ በሰፊው እና ultra-ትልቅ ውስጥ ጥቅም ላይ ይውላል. ልኬት የተቀናጁ ወረዳዎች.

(8) የሶስትዮድ ተቃውሞ ትልቅ ነው፣ እና የ MOSFET ተቃውሞ ትንሽ ነው፣ ስለዚህ MOSFETs በአጠቃላይ ከፍተኛ ብቃት ያለው መቀየሪያ ሆኖ ያገለግላል።