ለMOSFET በብዛት ጥቅም ላይ የሚውሉ ብዙ የወረዳ ምልክቶች አሉ። በጣም የተለመደው ንድፍ ቻናሉን የሚወክል ቀጥታ መስመር ነው፣ ከሰርጡ ጋር ቀጥ ያሉ ሁለት መስመሮች ምንጩን እና ፍሳሽን ይወክላሉ እና በሩን የሚወክለው በግራ በኩል ካለው ሰርጥ ጋር ትይዩ አጭር መስመር ነው። አንዳንድ ጊዜ ቻናሉን የሚወክለው ቀጥተኛ መስመር በማሻሻያ ሁነታ መካከል ያለውን ልዩነት ለመለየት በተሰበረ መስመር ይተካል።mosfet ወይም መመናመን ሁነታ mosfet, ይህም ደግሞ N-channel MOSFET እና P-ሰርጥ MOSFET ሁለት ዓይነት የወረዳ ምልክቶች የተከፋፈለ ነው በሥዕሉ ላይ እንደሚታየው (የቀስት አቅጣጫ የተለየ ነው).
የኃይል MOSFETs በሁለት ዋና መንገዶች ይሰራሉ፡-
(1) አወንታዊ ቮልቴጅ በዲ እና ኤስ (የፍሳሽ አወንታዊ፣ ምንጭ አሉታዊ) እና UGS=0 ሲጨመር በፒ አካል ክልል ውስጥ ያለው የፒኤን መጋጠሚያ እና የ N ፍሳሽ ክልል የተገላቢጦሽ ነው፣ እና በዲ መካከል ምንም አይነት የአሁን ጊዜ ማለፍ የለም። እና S. በጂ እና ኤስ መካከል አወንታዊ የቮልቴጅ UGS ከተጨመረ በሩ የተከለለ ስለሆነ ምንም የበር ጅረት አይፈስም ነገር ግን በበሩ ላይ ያለው አዎንታዊ ቮልቴጅ ቀዳዳዎቹን ከታች ካለው ፒ ክልል ያርቃል እና አናሳ ተሸካሚ ኤሌክትሮኖች ወደ ፒ ክልል ወለል ይሳባሉ UGS ከተወሰነ የቮልቴጅ UT በላይ በሚሆንበት ጊዜ በበሩ ስር ባለው የ P ክልል ወለል ላይ ያለው የኤሌክትሮን ክምችት ከጉድጓዱ ትኩረት በላይ ይሆናል ፣ ስለሆነም የፒ-አይነት ሴሚኮንዳክተር አንቲፓተርን ንብርብር N-አይነት ሴሚኮንዳክተር ያደርገዋል። ; ይህ አንቲፓተርን ንብርብር በምንጩ እና በፍሳሽ መካከል የኤን-አይነት ቻናል ይመሰርታል፣ ስለዚህም የፒኤን መጋጠሚያ ይጠፋል፣ ምንጩ እና ፍሳሽ ማስተላለፊያ፣ እና የፍሳሽ የአሁኑ መታወቂያ በፍሳሹ ውስጥ ይፈስሳል። UT የመብራት ቮልቴጅ ወይም የመነሻ ቮልቴጅ ይባላል, እና ብዙ UGS ከ UT ሲበልጥ, የመተላለፊያው አቅም የበለጠ, እና መታወቂያው የበለጠ ነው. ዩ.ኤስ.ኤስ ከዩቲዩቲዩቲዩቲዩቲዎች በሚበልጥ መጠን, ጥንካሬው ጥንካሬ, መታወቂያው የበለጠ ይሆናል.
(2) D, S ሲደመር አሉታዊ ቮልቴጅ (ምንጭ አወንታዊ, አሉታዊ ፍሳሽ), የፒኤን መገናኛ ወደ ፊት የተዛባ ነው, ከውስጣዊ ተቃራኒ ዳዮድ ጋር እኩል ነው (ፈጣን ምላሽ ባህሪያት የሉትም), ማለትም,MOSFET የተገላቢጦሽ የማገድ ችሎታ የለውም፣ እንደ ተገላቢጦሽ ማስተላለፊያ አካላት ሊቆጠር ይችላል።
በMOSFET የክወና መርህ ሊታይ ይችላል, በውስጡ conduction ብቻ አንድ polarity አጓጓዦች conductive ውስጥ ተሳታፊ, እንዲሁ ደግሞ unipolar transistor.MOSFET ድራይቭ በመባል የሚታወቀው ብዙውን ጊዜ ኃይል አቅርቦት IC እና MOSFET መለኪያዎች ላይ ተገቢውን የወረዳ ለመምረጥ, MOSFET በአጠቃላይ ለመቀያየር ጥቅም ላይ ይውላል. የኃይል አቅርቦት ድራይቭ ወረዳ. MOSFETን በመጠቀም የመቀየሪያ ሃይል አቅርቦትን ሲነድፉ፣ ብዙ ሰዎች የ MOSFETን የመቋቋም፣ ከፍተኛ ቮልቴጅ እና ከፍተኛ የአሁኑን ግምት ውስጥ ያስገባሉ። ይሁን እንጂ ሰዎች ብዙውን ጊዜ እነዚህን ነገሮች ብቻ ግምት ውስጥ ያስገባሉ, ስለዚህ ወረዳው በትክክል እንዲሠራ, ግን ጥሩ የንድፍ መፍትሄ አይደለም. ለበለጠ ዝርዝር ንድፍ፣ MOSFET የራሱን ግቤት መረጃ ግምት ውስጥ ማስገባት አለበት። ለተወሰነ MOSFET፣ የማሽከርከር ዑደቱ፣ የድራይቭ ውፅዓት ከፍተኛው ጅረት ወ.ዘ.ተ የ MOSFET የመቀያየር አፈጻጸም ላይ ተጽእኖ ይኖረዋል።
የልጥፍ ሰዓት፡- ግንቦት-17-2024
