IGBT (የተሸፈነ በር ባይፖላር ትራንዚስተር) እና MOSFET (ሜታል-ኦክሳይድ-ሴሚኮንዳክተር ፊልድ-ኢፌክት ትራንዚስተር) በሃይል ኤሌክትሮኒክስ ውስጥ በስፋት ጥቅም ላይ የዋሉ ሁለት የተለመዱ የሃይል ሴሚኮንዳክተር መሳሪያዎች ናቸው። ሁለቱም በተለያዩ አፕሊኬሽኖች ውስጥ አስፈላጊ አካላት ሲሆኑ፣ በብዙ ገፅታዎች በጣም ይለያያሉ። ከዚህ በታች በ IGBT እና MOSFET መካከል ያሉ ዋና ልዩነቶች አሉ፡
1. የስራ መርህ
- IGBT፡ IGBT ሁለቱንም የ BJT (Bipolar Junction Transistor) እና MOSFET ባህሪያትን በማጣመር ድብልቅ መሳሪያ ያደርገዋል። የ BJT መሰረቱን በ MOSFET የበር ቮልቴጅ በኩል ይቆጣጠራል, እሱም በተራው የ BJT ን ማስተላለፊያ እና መቆራረጥን ይቆጣጠራል. ምንም እንኳን የ IGBT የማስተላለፊያ እና የመቁረጥ ሂደቶች በአንጻራዊነት ውስብስብ ቢሆኑም፣ ዝቅተኛ የቮልቴጅ ኪሳራዎችን እና ከፍተኛ የቮልቴጅ መቻቻልን ያሳያል።
- MOSFET፡ MOSFET በመስክ-ተፅዕኖ የሚገኝ ትራንዚስተር ሲሆን በሴሚኮንዳክተር ውስጥ ያለውን ፍሰት በበር ቮልቴጅ ይቆጣጠራል። የበር ቮልቴጁ ከምንጩ የቮልቴጅ መጠን በላይ ሲያልፍ, አሁኑን እንዲፈስ የሚያስችለውን ኮንዳክቲቭ ንብርብር ይፈጥራል. በተቃራኒው የጌት ቮልቴጁ ከመነሻው በታች በሚሆንበት ጊዜ, ተቆጣጣሪው ንብርብር ይጠፋል, እና አሁኑ ሊፈስ አይችልም. የ MOSFET አሠራር በአንፃራዊነት ቀላል ነው፣ ፈጣን የመቀያየር ፍጥነት ያለው።
2. የመተግበሪያ ቦታዎች
- IGBT: በከፍተኛ የቮልቴጅ መቻቻል፣ በዝቅተኛ የቮልቴጅ መጥፋት እና ፈጣን የመቀያየር አፈጻጸም ምክንያት IGBT በተለይ ለከፍተኛ ሃይል፣ ዝቅተኛ ኪሳራ አፕሊኬሽኖች ለምሳሌ ኢንቮርተርስ፣ ሞተር ነጂዎች፣ የብየዳ ማሽኖች እና የማይቋረጥ የሃይል አቅርቦቶች (UPS) ተስማሚ ነው። . በእነዚህ መተግበሪያዎች ውስጥ፣ IGBT የከፍተኛ-ቮልቴጅ እና ከፍተኛ ወቅታዊ የመቀያየር ስራዎችን በብቃት ያስተዳድራል።
- MOSFET: MOSFET, ፈጣን ምላሽ ያለው, ከፍተኛ የግብአት መቋቋም, የተረጋጋ የመቀያየር አፈፃፀም እና ዝቅተኛ ዋጋ, በአነስተኛ ኃይል, በፍጥነት በሚቀያየር አፕሊኬሽኖች እንደ ማብሪያ-ሞድ የኃይል አቅርቦቶች, መብራቶች, የድምጽ ማጉያዎች እና የሎጂክ ወረዳዎች በስፋት ጥቅም ላይ ይውላል. . MOSFET በአነስተኛ ኃይል እና ዝቅተኛ-ቮልቴጅ አፕሊኬሽኖች ውስጥ በተለየ ሁኔታ በጥሩ ሁኔታ ይሰራል።
3. የአፈጻጸም ባህሪያት
- IGBT: IGBT በከፍተኛ ቮልቴጅ እና ከፍተኛ ወቅታዊ አፕሊኬሽኖች የላቀ ነው, ምክንያቱም ከፍተኛ ኃይልን ከዝቅተኛ የኮንስትራክሽን ኪሳራዎች ጋር በማስተናገድ ችሎታው ነው, ነገር ግን ከ MOSFET ጋር ሲወዳደር ቀርፋፋ የመቀያየር ፍጥነት አለው.
- MOSFET፡ MOSFET በፍጥነት የመቀያየር ፍጥነቶች፣ በዝቅተኛ ቮልቴጅ አፕሊኬሽኖች ውስጥ ከፍተኛ ቅልጥፍና እና ከፍተኛ የመቀያየር ፍጥነቶች ዝቅተኛ የኃይል ኪሳራዎች ተለይተው ይታወቃሉ።
4. ተለዋዋጭነት
IGBT እና MOSFET ለተለያዩ ዓላማዎች የተነደፉ እና የሚያገለግሉ ናቸው እና በተለምዶ ሊለዋወጡ አይችሉም። የትኛውን መሳሪያ እንደሚጠቀም መምረጥ የሚወሰነው በልዩ መተግበሪያ፣ የአፈጻጸም መስፈርቶች እና የዋጋ ግምት ላይ ነው።
ማጠቃለያ
IGBT እና MOSFET በስራ መርህ፣ በአተገባበር ቦታዎች እና በአፈጻጸም ባህሪያት በእጅጉ ይለያያሉ። እነዚህን ልዩነቶች መረዳት ለኤሌክትሪክ ኤሌክትሮኒክስ ዲዛይኖች ተገቢውን መሳሪያ ለመምረጥ ይረዳል, ጥሩ አፈፃፀም እና ወጪ ቆጣቢነትን ያረጋግጣል.
የፖስታ ሰአት፡ ሴፕቴምበር-21-2024
