MOSFETሜታል-ኦክሳይድ-ሴሚኮንዳክተር ፊልድ-ኢፌክት ትራንዚስተር በመባል የሚታወቀው የሜዳ-ኢፌክት ትራንዚስተር (FET) አይነት የሆነ በስፋት ጥቅም ላይ የዋለ ኤሌክትሮኒክ መሣሪያ ነው።MOSFETየብረት በር፣ የኦክሳይድ መከላከያ ንብርብር (በተለምዶ ሲሊኮን ዳይኦክሳይድ SiO₂) እና ሴሚኮንዳክተር ንብርብር (በተለምዶ ሲሊኮን ሲ) ያካትታል። የክወና መርህ በር ቮልቴጅ ለመቆጣጠር ላዩን ላይ ወይም ሴሚኮንዳክተር ውስጥ ያለውን የኤሌክትሪክ መስክ ለመለወጥ, ስለዚህ ምንጭ እና የፍሳሽ መካከል ያለውን የአሁኑን ይቆጣጠራል.
MOSFETsበሁለት ዋና ዋና ዓይነቶች ሊከፈል ይችላል-N-channelMOSFETs(NMOS) እና ፒ-ቻናልMOSFETs(PMOS) በ NMOS ውስጥ, የጌት ቮልቴጅ ከምንጩ አንጻር አዎንታዊ በሚሆንበት ጊዜ, በሴሚኮንዳክተር ወለል ላይ n-አይነት ማስተላለፊያ ሰርጦች ይፈጠራሉ, ኤሌክትሮኖች ከምንጩ ወደ ፍሳሽ እንዲፈስሱ ያስችላቸዋል. በፒኤምኦኤስ ውስጥ, የጌት ቮልቴጅ ከምንጩ አንጻር አሉታዊ በሚሆንበት ጊዜ, በሴሚኮንዳክተር ገጽ ላይ የፒ-አይነት ማስተላለፊያ ሰርጦች ይፈጠራሉ, ይህም ቀዳዳዎች ከምንጩ ወደ ፍሳሽ እንዲፈስሱ ያስችላቸዋል.
MOSFETsእንደ ከፍተኛ የግብአት መጨናነቅ፣ ዝቅተኛ ጫጫታ፣ ዝቅተኛ የኃይል ፍጆታ እና የመዋሃድ ቀላልነት ያሉ ብዙ ጥቅሞች ስላሏቸው በአናሎግ ዑደቶች፣ ዲጂታል ዑደቶች፣ የሃይል አስተዳደር፣ የሃይል ኤሌክትሮኒክስ፣ የመገናኛ ዘዴዎች እና ሌሎች መስኮች በስፋት ጥቅም ላይ ይውላሉ። በተቀናጁ ወረዳዎች ውስጥ ፣MOSFETsየ CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) አመክንዮ ወረዳዎችን ያካተቱ መሰረታዊ ክፍሎች ናቸው። የ CMOS ወረዳዎች የ NMOS እና PMOS ጥቅሞችን ያጣምራሉ, እና ዝቅተኛ የኃይል ፍጆታ, ከፍተኛ ፍጥነት እና ከፍተኛ ውህደት ተለይተው ይታወቃሉ.
በተጨማሪ፣MOSFETsየማስኬጃ ቻናሎቻቸው ቀድመው የተፈጠሩ እንደመሆናቸው መጠን በማጎልበቻ-አይነት እና በመቀነስ-አይነት ሊከፋፈሉ ይችላሉ። የማሻሻያ ዓይነትMOSFETበበሩ ውስጥ የቮልቴጅ ዜሮ ዜሮ ነው, ሰርጡ የማይሰራ ከሆነ, አንድ የተወሰነ የቮልቴጅ ቮልቴጅን ወደ ማስተላለፊያ ሰርጥ ለመመስረት ያስፈልጋል; የመሟጠጥ አይነት እያለMOSFETበበሩ ቮልቴጅ ውስጥ ሰርጡ ቀድሞውኑ በሚሰራበት ጊዜ ዜሮ ነው, የቮልቴጅ ቮልቴጁ የሰርጡን መቆጣጠሪያ ለመቆጣጠር ያገለግላል.
በማጠቃለያውም እ.ኤ.አ.MOSFETበብረት ኦክሳይድ ሴሚኮንዳክተር መዋቅር ላይ የተመሰረተ የመስክ ውጤት ትራንዚስተር ሲሆን በምንጭ እና ፍሳሽ መካከል ያለውን የቮልቴጅ መጠን በመቆጣጠር የሚቆጣጠረው እና ሰፊ አፕሊኬሽኖች እና ጠቃሚ ቴክኒካል እሴት ያለው ነው።
የልጥፍ ጊዜ፡ ሴፕቴምበር-12-2024
