የMOSFET ሙከራ ፍሰት

Voor de detectie ቫን MOSFET በሚከተሉት ጉዳዮች ላይ፡-MOSFET lekkage, kortsluitfouten, ontkoppeling, versterking. አልስ ኤር ኤነን ዎርስታንዳድስዋርድ፣ ማኣር ኒኤት ጌዴቴክተርድ፣ ሞኤስኤፍኤት ለቃግ ቮርዋርደን፣ ዳይ ሄት በላንግሪጅክስተ ኦንደርዞክ ኩናን we verwijzen naar het volgende proces uit te voeren:

1, ደ ሊንክ በር እና ብሮን ቫን ደ ዌርስታንድ ቨርዊጅደርድ፣ ደ መልቲሜተር ሮድ እና ዝዋርተ ፔንነን ዛል ኒት ቬራንደርን፣ አልስ ጄ በዌጅት ደ ሌካጅ ዌርስታንድ ና ደ ሜትር ባር ጌሌይድሊጅክ ቴሩግ ናአር ኢኤን ሆጌ ዌርስታንድ ኦን አንድ ኢንዲግ፣ ዳንስ ደMOSFET ሌኬጅ; zal niet veranderen er gen probleem ነው;

2, zal een transmissielijn naar ደ MOSFET በር እና bron polen met elkaar verbonden, als de digitale multimeter naald onmiddellijk terug naar oneindig, dan is de MOSFET geen probleem ነው;

3, ደ ሮድ ብዕር ናር ደ ብሮን ቫን ደ MOSFET ኤስ፣ ደ ዝዋርቴ ብዕር ናር ደ አፍቮየር ቫን ደ MOSFET፣ ኢኤን ጎዴ ሜትር ዱላ ማርክ ማድረጊያ moet geen grote አርመን;

4, met een Weerstand ቫን 100KΩ-200KΩ verbonden met de gate en drain, en vervolgens de rode pen aan de bron van de MOSFET S, de zwarte pen aan de drain van de MOSFET, op dit moment de waarde van de meterpaal ምልክት ማድረጊያ አልቋል het algemeen zal 0 zijn, op het moment is onder de positieve elektriciteit op base van deze weerstand aan ደ MOSFET በር batterij opladen, wat resulteert in de gate elektrisch veld, als gevolg van elektrisch veld Resulterend in geleidingsvermogen en brorttie ማለፊያ፣ ዞዳት ደ ዲጂታል መልቲሜትር ፑል አድልዎ፣ አድልዎ hoe groter de gezichtshoek፣ hoe hoger het laden en ontladen kenmerken።