የበር አቅም፣በመቋቋም ላይ እና ሌሎች የMOSFETs መለኪያዎች

I. የበር አቅም

የበር አቅም በዋነኛነት የግቤት አቅም (Ciss)፣ የውጤት አቅም (Coss) እና የተገላቢጦሽ የማስተላለፊያ አቅም (Crss፣ በተጨማሪም ሚለር አቅም በመባልም ይታወቃል) ያካትታል።

 

የግቤት አቅም (Ciss)፦

 

ፍቺ፡- የግብአት አቅም በበሩ እና በምንጩ እና በፍሳሹ መካከል ያለው አጠቃላይ አቅም ሲሆን የበሩን ምንጭ አቅም (Cgs) እና የጌት ማፍሰሻ አቅም (ሲጂዲ) በትይዩ የተገናኘ ማለትም Ciss = Cgs + Cgd ያካትታል።

 

ተግባር፡ የግብአት አቅም MOSFET የመቀያየር ፍጥነትን ይነካል። የግቤት አቅም ወደ ደፍ ቮልቴጅ ሲሞላ መሳሪያው ሊበራ ይችላል; ወደ አንድ የተወሰነ እሴት ተለቅቋል, መሳሪያው ሊጠፋ ይችላል. ስለዚህ የማሽከርከር ዑደት እና ሲሲስ በመሳሪያው ማብራት እና ማጥፋት መዘግየት ላይ ቀጥተኛ ተጽእኖ ይኖራቸዋል.

 

የውጤት አቅም (Coss):

ፍቺ፡ የውጤት አቅም በፍሳሹ እና በምንጩ መካከል ያለው አጠቃላይ አቅም ሲሆን የፍሳሽ-ምንጭ አቅም (ሲዲ) እና የጌት-ፍሳሽ አቅም (ሲጂዲ) በትይዩ ማለትም Coss = Cds + Cgd ያካትታል።

 

ሚና: ለስላሳ-መቀያየር አፕሊኬሽኖች, ኮስ በጣም አስፈላጊ ነው, ምክንያቱም በወረዳው ውስጥ ድምጽን ሊያስከትል ይችላል.

 

የተገላቢጦሽ የማስተላለፊያ አቅም (Crss):

ፍቺ፡- የተገላቢጦሽ የማስተላለፊያ አቅም ከጌት ማፍሰሻ አቅም (ሲጂዲ) ጋር እኩል ነው እና ብዙ ጊዜ ሚለር አቅም ተብሎ ይጠራል።

 

ሚና፡ የተገላቢጦሽ የዝውውር አቅም ለመቀየሪያው መነሳት እና ውድቀት ጊዜዎች አስፈላጊ መለኪያ ሲሆን በማጥፋት መዘግየት ጊዜ ላይም ተጽዕኖ ያሳድራል። የውኃ ማፍሰሻ-ምንጭ ቮልቴጅ ሲጨምር የአቅም ዋጋው ይቀንሳል.

II. በተቃውሞ ላይ (Rds (በርቷል))

 

ፍቺ፡-በመቋቋም ላይ በMOSFET ምንጭ እና ፍሳሽ መካከል ባለው ሁኔታ ላይ ባሉ ሁኔታዎች (ለምሳሌ የተወሰነ የፍሰት ፍሰት፣የበር ቮልቴጅ እና የሙቀት መጠን) መቋቋም ነው።

 

ተጽዕኖ የሚያሳድሩ ነገሮች፡-በመቋቋም ላይ ያለ ቋሚ እሴት አይደለም፣በሙቀት ተጎድቷል፣የሙቀት መጠኑ ከፍ ባለ መጠን Rds(በ) የበለጠ ይሆናል። በተጨማሪም, የመቋቋም ቮልቴጅ ከፍ ባለ መጠን, የ MOSFET ውስጣዊ አወቃቀሩ ወፍራም ነው, ተመጣጣኝ የመቋቋም አቅም ከፍ ያለ ነው.

 

 

አስፈላጊነት-የመቀያየር ኃይል አቅርቦትን ወይም የአሽከርካሪዎች ወረዳን በሚፈጥሩበት ጊዜ የ MOSFET መቋቋምን ግምት ውስጥ ማስገባት አስፈላጊ ነው ፣ ምክንያቱም በ MOSFET ውስጥ የሚፈሰው የአሁኑ በዚህ የመቋቋም ኃይል ላይ ኃይል ይወስዳል ፣ እናም ይህ የተበላው የኃይል ክፍል ተጠርቷል- የመቋቋም ማጣት. ዝቅተኛ የመቋቋም ችሎታ ያለው MOSFET መምረጥ በተቃውሞ ላይ ያለውን ኪሳራ ሊቀንስ ይችላል።

 

ሦስተኛ, ሌሎች አስፈላጊ መለኪያዎች

ከደጃፉ አቅም እና ከተከላካይነት በተጨማሪ MOSFET አንዳንድ ሌሎች አስፈላጊ መለኪያዎች አሉት።

V(BR) DSS (የፍሳሽ ምንጭ ብልሽት ቮልቴጅ)በፍሳሹ ውስጥ የሚፈሰው ጅረት በተወሰነ የሙቀት መጠን እና የበሩን ምንጭ አጭር በሆነው የተወሰነ እሴት ላይ የሚደርሰው የፍሳሽ ምንጭ ቮልቴጅ. ከዚህ ዋጋ በላይ, ቱቦው ሊጎዳ ይችላል.

 

ቪጂኤስ(ኛ) (የገደብ ቮልቴጅ)በምንጩ እና በፍሳሽ መካከል መፈጠር እንዲጀምር የሚመራ ሰርጥ እንዲፈጠር የሚያስፈልገው የጌት ቮልቴጅ። ለመደበኛ N-channel MOSFETs፣ VT ከ3 እስከ 6 ቪ አካባቢ ነው።

 

መታወቂያ (ከፍተኛው ቀጣይነት ያለው የውሃ ፍሳሽ ወቅታዊ)፡ከፍተኛው ቀጣይነት ያለው የዲሲ ጅረት በቺፑ የሚፈቀደው ከፍተኛው የመጋጠሚያ ሙቀት።

 

IDM (ከፍተኛው የተፋሰሰ የውሃ ፍሳሽ የአሁኑ)፡መሳሪያው ሊይዘው የሚችለውን የ pulsed current ደረጃ ያንፀባርቃል፣የተጨመቀ ጅረት ከተከታታይ የዲሲ ጅረት በጣም ከፍ ያለ ነው።

 

PD (ከፍተኛው የኃይል ብክነት)መሳሪያው ከፍተኛውን የኃይል ፍጆታ ሊያጠፋ ይችላል.

 

በማጠቃለያው የ MOSFET የበሩን አቅም ፣በመቋቋም ላይ እና ሌሎች መለኪያዎች ለአፈፃፀሙ እና ለትግበራው ወሳኝ ናቸው ፣እናም በተወሰኑ የትግበራ ሁኔታዎች እና መስፈርቶች መሠረት መመረጥ እና ዲዛይን ማድረግ አለባቸው።