MOSFET እንዴት ነው የሚሰራው?

1, MOSFETመግቢያ

FieldEffect ትራንዚስተር ምህጻረ ቃል (FET)) ርዕስ MOSFET. በሙቀት ማስተላለፊያ ውስጥ ለመሳተፍ በትንሽ ቁጥር ተሸካሚዎች, እንዲሁም ባለብዙ-ፖል ትራንዚስተር በመባልም ይታወቃል. እሱ የቮልቴጅ ማስተር ዓይነት ከፊል-ሱፐርኮንዳክተር ዘዴ ነው። የውጤት መቋቋም ከፍተኛ ነው (10 ^ 8 ~ 10 ^ 9Ω) ፣ ዝቅተኛ ጫጫታ ፣ ዝቅተኛ የኃይል ፍጆታ ፣ የማይንቀሳቀስ ክልል ፣ ለማዋሃድ ቀላል ፣ ሁለተኛ የመበላሸት ክስተት የለም ፣ የባህሩ ሰፊ የኢንሹራንስ ተግባር እና ሌሎች ጥቅሞች ፣ አሁን ተቀይሯል የጠንካራ ተባባሪዎች ባይፖላር ትራንዚስተር እና የኃይል መገናኛ ትራንዚስተር።

 

2, MOSFET ባህሪያት

1, MOSFET የቮልቴጅ መቆጣጠሪያ መሳሪያ ነው, እሱ በ VGS (የበር ምንጭ ቮልቴጅ) መቆጣጠሪያ መታወቂያ (ፍሳሽ ዲሲ);

2, MOSFETየውጤት የዲሲ ምሰሶ ትንሽ ነው, ስለዚህ የውጤት መከላከያው ትልቅ ነው.

3, ሙቀትን ለመምራት አነስተኛ ቁጥር ያላቸውን ተሸካሚዎች መተግበር ነው, ስለዚህ የተሻለ የመረጋጋት መለኪያ አለው;

4, እሱ የኤሌክትሪክ ቅነሳ Coefficient ያለውን ቅነሳ መንገድ triode ቅነሳ Coefficient ያለውን ቅነሳ መንገድ ያቀፈ ነው ያነሰ ነው;

5, MOSFET ፀረ-ጨረር ችሎታ;

6, በተበታተኑ የጩኸት ቅንጣቶች ምክንያት የተከሰተው የኦሊጎን ስርጭት የተሳሳተ እንቅስቃሴ ባለመኖሩ ምክንያት ጩኸቱ ዝቅተኛ ነው.

 

3, MOSFET ተግባር መርህ

MOSFETበአንድ ዓረፍተ ነገር ውስጥ የክወና መርህ, "ማፍሰሻ - ምንጭ ለ ሰርጥ በኩል የሚፈሰው መታወቂያ እና በር ቮልቴጅ ማስተር መታወቂያ በግልባጭ አድልዎ የተቋቋመ pn መጋጠሚያ መካከል ያለውን ሰርጥ" ነው, በትክክል መሆን መታወቂያ ስፋት በኩል የሚፈሰው. የመንገዱን, ማለትም የሰርጡ መስቀለኛ መንገድ, የ pn መስቀለኛ መንገድ የተገላቢጦሽ አድልዎ ለውጥ ነው, ይህም የመሟጠጥ ንብርብር ይፈጥራል የተራዘመ ልዩነት መቆጣጠሪያ ምክንያት. ባልጠገበው የ VGS=0 ባህር ውስጥ የሽግግር ንብርብር መስፋፋት በጣም ትልቅ ስላልሆነ ፣በማፍሰሻ-ምንጭ መካከል ያለው የቪዲኤስ መግነጢሳዊ መስክ በተጨማሪ ፣ምንጭ ባህር ውስጥ ያሉ አንዳንድ ኤሌክትሮኖች በ የፍሳሽ ማስወገጃ ማለትም ከውኃ ማፍሰሻ ወደ ምንጩ የዲሲ መታወቂያ እንቅስቃሴ አለ። መጠነኛ ንብርብሩ ከበሩ እስከ እዳሪው ድረስ ያለው አጠቃላይ የሰርጡ አካል የማገጃ አይነት፣ መታወቂያ ሙሉ ያደርገዋል። ይህን ቅጽ በቁንጥጫ ይደውሉ። የዲሲ ሃይል ከመቋረጡ ይልቅ የሽግግሩን ንብርብር ወደ ሙሉ እንቅፋት ሰርጥ በማሳየት ላይ።

 

በሽግግር ንብርብር ውስጥ ምንም የኤሌክትሮኖች እና ቀዳዳዎች ነፃ እንቅስቃሴ ስለሌለ ፣ እሱ በጥሩ ሁኔታ ውስጥ የሚከላከሉ ባህሪዎች አሉት ፣ እና ለአጠቃላይ ጅረት ፍሰት አስቸጋሪ ነው። ነገር ግን ከዚያም የፍሳሽ መካከል የኤሌክትሪክ መስክ - ምንጭ, በእርግጥ, ሁለት የሽግግር ንብርብር ግንኙነት እዳሪ እና የታችኛው ክፍል አጠገብ በር ምሰሶ, ምክንያቱም ተንሳፋፊ የኤሌክትሪክ መስክ ከፍተኛ-ፍጥነት ኤሌክትሮኖች በሽግግር ንብርብር በኩል ይጎትታል. የተንሳፋፊ ሜዳው ጥንካሬ የመታወቂያውን ትእይንት ሙላት እያመጣ ነው።

 

ወረዳው የተሻሻለ ፒ-ቻናል MOSFET እና የተሻሻለ ኤን-ቻናል MOSFET ጥምረት ይጠቀማል። ግብአቱ ዝቅተኛ ሲሆን, የ P-channel MOSFET ያካሂዳል እና ውጤቱ ከኃይል አቅርቦት አወንታዊ ተርሚናል ጋር ይገናኛል. ግብዓቱ ከፍ ባለበት ጊዜ, N-channel MOSFET ያካሂዳል እና ውጤቱ ከኃይል አቅርቦት መሬት ጋር ይገናኛል. በዚህ ወረዳ ውስጥ የፒ-ቻናል MOSFET እና N-channel MOSFET ሁልጊዜ የሚሠሩት በተቃራኒ ግዛቶች ነው፣ የደረጃ ግብዓታቸው እና ውጤታቸው ተቀልብሷል።