"MOSFET" የብረታ ብረት ኦክሳይድ ሴሚኮዳክተር የመስክ ኢፌክት ትራንዚስተር ምህጻረ ቃል ነው። ከሶስት እቃዎች የተሰራ መሳሪያ ነው: ብረት, ኦክሳይድ (SiO2 ወይም SiN) እና ሴሚኮንዳክተር. MOSFET በሴሚኮንዳክተር መስክ ውስጥ በጣም መሠረታዊ ከሆኑ መሳሪያዎች ውስጥ አንዱ ነው። በ IC ዲዛይን ወይም በቦርድ-ደረጃ የወረዳ አፕሊኬሽኖች ውስጥም ቢሆን በጣም ሰፊ ነው። የ MOSFET ዋና መለኪያዎች መታወቂያ፣ IDM፣ VGSS፣ V(BR) DSS፣ RDS(በር)፣ VGS(th) ወዘተ ያካትታሉ። እነዚህን ታውቃለህ? OLUKEY ኩባንያ, አንድ winsok ታይዋን መካከለኛ-ወደ-ከፍተኛ-መጨረሻ መካከለኛ እና ዝቅተኛ-ቮልቴጅ እንደMOSFETየወኪል አገልግሎት አቅራቢ፣ የ MOSFET የተለያዩ መለኪያዎችን በዝርዝር ለእርስዎ ለማስረዳት ወደ 20 ዓመታት የሚጠጋ ልምድ ያለው ዋና ቡድን አለው!
የ MOSFET መለኪያዎች ትርጉም መግለጫ
1. እጅግ በጣም ብዙ መለኪያዎች:
መታወቂያ፡ ከፍተኛው የፍሳሽ-ምንጭ የአሁኑ። የመስክ ተፅእኖ ትራንዚስተር በመደበኛነት በሚሰራበት ጊዜ በፍሳሹ እና በምንጩ መካከል እንዲያልፍ የሚፈቀደውን ከፍተኛውን ፍሰት ያመለክታል። የመስክ ውጤት ትራንዚስተር የሚሠራበት ጊዜ ከመታወቂያ መብለጥ የለበትም። የመገጣጠሚያው የሙቀት መጠን ሲጨምር ይህ ግቤት ይቀንሳል።
መታወቂያ፡ ከፍተኛው የተዘፈቀ የፍሳሽ-ምንጭ የአሁኑ። የመጋጠሚያው ሙቀት መጠን እየጨመረ በሄደ መጠን ይህ ግቤት ይቀንሳል ይህም ተጽዕኖን የመቋቋም ችሎታ ያሳያል እና እንዲሁም ከ pulse ጊዜ ጋር የተያያዘ ነው. ይህ ግቤት በጣም ትንሽ ከሆነ፣ ስርዓቱ በኦሲፒ ሙከራ ወቅት በአሁን ጊዜ የመበታተን አደጋ ሊያጋጥመው ይችላል።
PD: ከፍተኛው ኃይል ተበታትኗል። የመስክ ውጤት ትራንዚስተር አፈፃፀም ሳይበላሽ የሚፈቀደውን ከፍተኛውን የፍሳሽ-ምንጭ የኃይል ብክነትን ያመለክታል። ጥቅም ላይ ሲውል የFET ትክክለኛው የኃይል ፍጆታ ከ PDSM ያነሰ መሆን እና የተወሰነ ህዳግ መተው አለበት። የመገናኛው የሙቀት መጠን ሲጨምር ይህ ግቤት በአጠቃላይ ይቀንሳል
VDSS: ከፍተኛው የፍሳሽ-ምንጭ ቮልቴጅ መቋቋም. የፍሳሽ-ምንጭ ቮልቴጅ የሚፈሰው የፍሳሽ ጅረት ወደ አንድ የተወሰነ እሴት ሲደርስ (በከፍተኛ ፍጥነት ይጨምራል) በተወሰነ የሙቀት መጠን እና በበር-ምንጭ አጭር ዑደት ውስጥ. በዚህ ሁኔታ ውስጥ ያለው የፍሳሽ-ምንጭ ቮልቴጅ የአቫላንሽ መበላሸት ቮልቴጅ ተብሎም ይጠራል. VDSS አወንታዊ የሙቀት መጠን አለው። በ -50°C፣ VDSS በግምት 90% የሚሆነው በ25°ሴ ነው። ብዙውን ጊዜ በመደበኛ ምርት ውስጥ በሚቀረው አበል ምክንያት የ MOSFET የአቫላንቼ መፈራረስ ቮልቴጅ ሁልጊዜ ከስመ ደረጃው የቮልቴጅ መጠን ይበልጣል።
ኦሉኬይሞቅ ያለ ምክሮች: የምርት አስተማማኝነትን ለማረጋገጥ, በጣም በከፋ የሥራ ሁኔታዎች ውስጥ, የሥራው ቮልቴጅ ከተገመተው እሴት ከ 80 ~ 90% መብለጥ የለበትም.
VGSS: ከፍተኛው የበር-ምንጭ ቮልቴጅ መቋቋም. በበር እና ምንጭ መካከል ያለው የተገላቢጦሽ ፍሰት በከፍተኛ ሁኔታ መጨመር ሲጀምር የVGS እሴትን ያመለክታል። ከዚህ የቮልቴጅ ዋጋ በላይ ማለፍ የጌት ኦክሳይድ ንብርብር ዳይኤሌክትሪክ ብልሽት ያስከትላል ይህም አጥፊ እና የማይቀለበስ ብልሽት ነው።
ቲጄ፡ ከፍተኛው የክወና መገናኛ ሙቀት። ብዙውን ጊዜ 150 ℃ ወይም 175 ℃ ነው። በመሳሪያው ዲዛይን የሥራ ሁኔታ ውስጥ, ከዚህ የሙቀት መጠን በላይ መራቅ እና የተወሰነ ህዳግ መተው ያስፈልጋል.
TSTG፡ የማከማቻ የሙቀት መጠን
እነዚህ ሁለት መመዘኛዎች፣ TJ እና TSTG፣ በመሳሪያው የስራ እና የማከማቻ አካባቢ የሚፈቀደውን የመገናኛ የሙቀት መጠን ይለካሉ። ይህ የሙቀት ወሰን የመሳሪያውን አነስተኛ የስራ ህይወት መስፈርቶች ለማሟላት የተቀናበረ ነው። መሳሪያው በዚህ የሙቀት ክልል ውስጥ መስራቱን ከተረጋገጠ የስራ ህይወቱ በእጅጉ ይራዘማል።
2. የማይንቀሳቀሱ መለኪያዎች
MOSFET የሙከራ ሁኔታዎች በአጠቃላይ 2.5V፣ 4.5V እና 10V ናቸው።
V(BR) DSS፡ የፍሳሽ-ምንጭ ብልሽት ቮልቴጅ። የመስክ ኢፌክት ትራንዚስተር በር-ምንጭ ቮልቴጅ VGS 0 ሲሆን ሊቋቋመው የሚችለውን ከፍተኛውን የፍሳሽ-ምንጭ ቮልቴጅን ያመለክታል። DSS አዎንታዊ የሙቀት ባህሪያት አሉት. ስለዚህ, በዝቅተኛ የሙቀት መጠን ውስጥ የዚህ ግቤት ዋጋ እንደ ደህንነት ግምት ውስጥ መግባት አለበት.
△V(BR) DSS/△Tj፡ የፍሳሽ-ምንጭ መከፋፈል ቮልቴጅ የሙቀት መጠን፣ በአጠቃላይ 0.1V/℃
RDS(በርቷል)፡ በተወሰኑ የVGS ሁኔታዎች (ብዙውን ጊዜ 10 ቮ)፣ የመገጣጠሚያው ሙቀት እና የፍሳሽ ጅረት፣ MOSFET ሲበራ በፍሳሽ እና በምንጩ መካከል ያለው ከፍተኛ የመቋቋም አቅም። MOSFET ሲበራ የሚፈጀውን ኃይል የሚወስን በጣም አስፈላጊ መለኪያ ነው. የመገጣጠሚያው ሙቀት መጠን ሲጨምር ይህ ግቤት በአጠቃላይ ይጨምራል። ስለዚህ, የዚህ ግቤት ዋጋ በከፍተኛው የክወና መስቀለኛ መንገድ የሙቀት መጠን ኪሳራ እና የቮልቴጅ ውድቀትን ለማስላት ጥቅም ላይ መዋል አለበት.
ቪጂኤስ(ኛ)፡- የማብራት ቮልቴጅ (የመነሻ ቮልቴጅ)። የውጭ በር መቆጣጠሪያ ቮልቴጅ VGS ከ VGS (ኛ) ሲበልጥ, የፍሳሽ እና የምንጭ ክልሎች የወለል ተገላቢጦሽ ንብርብሮች የተገናኘ ሰርጥ ይፈጥራሉ. በመተግበሪያዎች ውስጥ, የመታወቂያው የቮልቴጅ መጠን ከ 1 mA ጋር እኩል ከሆነ የፍሳሽ ማስወገጃ አጭር-የወረዳ ሁኔታ ብዙውን ጊዜ የማብራት ቮልቴጅ ይባላል. የመገጣጠሚያው ሙቀት መጠን ሲጨምር ይህ ግቤት በአጠቃላይ ይቀንሳል
IDSS፡- የሳቹሬትድ ፍሳሽ-ምንጭ ጅረት፣የፍሳሽ-ምንጭ ጅረት የጌት ቮልቴጅ VGS=0 እና VDS የተወሰነ እሴት ሲሆኑ። በአጠቃላይ በማይክሮአምፕ ደረጃ
IGSS፡- በር-ምንጭ አንፃፊ የአሁኑ ወይም የአሁኑን ተገላቢጦሽ። የMOSFET ግቤት ግቤት በጣም ትልቅ ስለሆነ፣ IGSS በአጠቃላይ በ nanoamp ደረጃ ላይ ነው።
3. ተለዋዋጭ መለኪያዎች
gfs: transconductance. እሱ የሚያመለክተው በፍሳሽ ውፅዓት የአሁኑ ለውጥ እና በበር-ምንጭ ቮልቴጅ ላይ ካለው ለውጥ ጋር ነው። የፍሳሽ ፍሰትን ለመቆጣጠር የጌት-ምንጭ ቮልቴጅ አቅም መለኪያ ነው. እባክዎን በ gfs እና VGS መካከል ያለውን የዝውውር ግንኙነት ሰንጠረዥ ይመልከቱ።
Qg፡ ጠቅላላ የበር መሙላት አቅም። MOSFET የቮልቴጅ አይነት መንዳት መሳሪያ ነው። የማሽከርከር ሂደቱ የበሩን ቮልቴጅ ማቋቋም ሂደት ነው. ይህ የሚገኘው በበር ምንጭ እና በበር ፍሳሽ መካከል ያለውን አቅም በመሙላት ነው። ይህ ገጽታ ከዚህ በታች በዝርዝር ይብራራል.
Qgs፡ የበር ምንጭ መሙላት አቅም
Qgd፡ በር-ወደ-ፍሳሽ ክፍያ (የሚለር ውጤትን ከግምት ውስጥ በማስገባት)። MOSFET የቮልቴጅ አይነት መንዳት መሳሪያ ነው። የማሽከርከር ሂደቱ የበሩን ቮልቴጅ ማቋቋም ሂደት ነው. ይህ የሚገኘው በበር ምንጭ እና በበር ፍሳሽ መካከል ያለውን አቅም በመሙላት ነው።
Td(በርቷል)፡ የመምራት መዘግየት ጊዜ። የግቤት ቮልቴጁ ወደ 10% የሚጨምርበት ጊዜ ቪዲኤስ ወደ 90% ስፋት እስኪቀንስ ድረስ
ት/ት: የሚነሳበት ጊዜ፣ የውፅአት ቮልቴጅ VDS የሚወርድበት ጊዜ ከ90% ወደ 10% ስፋት
Td(ጠፍ)፡- የማጥፋት መዘግየት ጊዜ፣ የግቤት ቮልቴጁ ወደ 90% የሚቀንስበት ጊዜ እና ቪዲኤስ የማጥፋት ቮልቴጁ ወደ 10% የሚጨምርበት ጊዜ ነው።
Tf፡ የመኸር ወቅት፣ የውፅአት ቮልቴጅ VDS ከ10% ወደ 90% የሚጨምርበት ጊዜ
Ciss፡- የግቤት አቅም፣ ፍሳሹን እና ምንጩን አጭር ዙር ያድርጉ እና በበሩ እና በምንጩ መካከል ያለውን አቅም በAC ሲግ ይለኩ። Ciss= CGD + CGS (ሲዲኤስ አጭር ዙር)። በመሳሪያው ማብራት እና ማጥፋት ላይ ቀጥተኛ ተጽእኖ አለው.
ዋጋ፡ የውጤት አቅም፣ በሩን እና ምንጩን አጭር ዙር ያድርጉ እና በፍሳሹ እና በምንጩ መካከል ያለውን አቅም በ AC ሲግ ይለኩ። Coss = CDS +CGD
Crss፡ የተገላቢጦሽ የማስተላለፊያ አቅም። ምንጩ ከመሬት ጋር የተገናኘ፣ በፍሳሹ እና በበሩ Crss=CGD መካከል ያለው የሚለካ አቅም። ለመቀየሪያዎች አስፈላጊ ከሆኑት መለኪያዎች አንዱ የመነሳት እና የመውደቅ ጊዜ ነው. Crss=CGD
የኢንተርኤሌክትሮድ አቅም እና የ MOSFET የ MOSFET አቅም በአብዛኛዎቹ አምራቾች የግብአት አቅም፣ የውጤት አቅም እና የግብረመልስ አቅም ተከፍለዋል። የተጠቀሱት ዋጋዎች ለቋሚ የፍሳሽ-ወደ-ምንጭ ቮልቴጅ ናቸው. የውኃ ማፍሰሻ-ምንጭ ቮልቴጅ ሲቀየር እነዚህ አቅም ይለወጣሉ, እና የአቅም ዋጋው የተወሰነ ውጤት አለው. የግቤት አቅም እሴቱ በአሽከርካሪው ወረዳ የሚፈለገውን የኃይል መሙላት ግምታዊ ምልክት ብቻ ይሰጣል፣ የበሩ መሙላት መረጃ ግን የበለጠ ጠቃሚ ነው። የተወሰነ በር-ወደ-ምንጭ ቮልቴጅ ላይ ለመድረስ በሩ መሙላት ያለበትን የኃይል መጠን ያመለክታል.
4. የ Avalanche ብልሽት ባህሪ መለኪያዎች
የጎርፍ መበላሸት ባህሪ መለኪያው MOSFET ከግዛት ውጭ ያለውን ከመጠን በላይ ቮልቴጅ የመቋቋም ችሎታ አመላካች ነው። ቮልቴጁ ከውኃ ማፍሰሻ-ምንጭ ገደብ የቮልቴጅ መጠን በላይ ከሆነ, መሳሪያው በአቫላንቼ ሁኔታ ውስጥ ይሆናል.
EAS፡ ነጠላ የልብ ምት የበረዶ መበላሸት ኃይል። ይህ ገደብ መለኪያ ነው፣ ይህም MOSFET ሊቋቋመው የሚችለውን ከፍተኛውን የጎርፍ መበላሸት ሃይልን ያሳያል።
አይኤአር፡ የአውሎ ነፋስ ፍሰት
EAR፡ ተደጋጋሚ የአቫላንሽ ብልሽት ኃይል
5. በ Vivo diode መለኪያዎች
አይ ኤስ፡ ቀጣይነት ያለው ከፍተኛ የፍሪ ዊሊንግ ጅረት (ከምንጩ)
አይኤስኤም፡ ከፍተኛው የፍሪ ጎማ ፍሰት (ከምንጩ)
VSD: ወደፊት የቮልቴጅ ውድቀት
Trr: የተገላቢጦሽ የመልሶ ማግኛ ጊዜ
Qrr፡ የተገላቢጦሽ ክፍያ መልሶ ማግኘት
ቶን፡ ወደፊት የማስተላለፊያ ጊዜ። (በመሰረቱ እዚህ ግባ የሚባል አይደለም)
MOSFET የማብራት ጊዜ እና የማጥፋት ጊዜ ፍቺ
በማመልከቻው ሂደት ውስጥ, የሚከተሉትን ባህሪያት ብዙ ጊዜ ግምት ውስጥ ማስገባት ያስፈልጋል.
1. የ V (BR) DSS አወንታዊ የሙቀት መጠን ቅንጅት ባህሪያት. ከባይፖላር መሳሪያዎች የሚለየው ይህ ባህሪ መደበኛ የስራ ሙቀት እየጨመረ በመምጣቱ የበለጠ አስተማማኝ ያደርጋቸዋል. ነገር ግን ዝቅተኛ የሙቀት መጠን ቅዝቃዜ በሚጀምርበት ጊዜ ለእሱ አስተማማኝነት ትኩረት መስጠት አለብዎት.
2. የ V (ጂ.ኤስ.) አሉታዊ የሙቀት መጠን ውህድ ባህሪያት. የመጋጠሚያው የሙቀት መጠን እየጨመረ ሲሄድ የበር መግቢያው እምቅ በተወሰነ መጠን ይቀንሳል. አንዳንድ ጨረሮችም ይህንን የመነሻ አቅም ይቀንሳል፣ ምናልባትም ከ0 እምቅ አቅም በታች። ይህ ባህሪ መሐንዲሶች በእነዚህ ሁኔታዎች ውስጥ ለMOSFETs ጣልቃገብነት እና የውሸት መቀስቀሻ ትኩረት እንዲሰጡ ይጠይቃል፣በተለይ ለMOSFET አፕሊኬሽኖች ዝቅተኛ የመነሻ አቅም አላቸው። በዚህ ባህሪ ምክንያት አንዳንድ ጊዜ ጣልቃ ገብነትን እና የውሸት መነሳሳትን ለማስወገድ የበሩን ነጂው ከቮልቴጅ ውጭ ያለውን አቅም ወደ አሉታዊ እሴት (N-type, P-type እና የመሳሰሉትን በመጥቀስ) መንደፍ አስፈላጊ ነው.
3.VDSon / RDSo አዎንታዊ የሙቀት Coefficient ባህሪያት. የመገናኛው የሙቀት መጠን ሲጨምር VDSon/RDSon በትንሹ የሚጨምር ባህሪ MOSFETs በትይዩ መጠቀም ያስችላል። በዚህ ረገድ ባይፖላር መሳሪያዎች ተቃራኒዎች ናቸው, ስለዚህ በትይዩ አጠቃቀማቸው በጣም የተወሳሰበ ይሆናል. መታወቂያ ሲጨምር RDSon በትንሹ ይጨምራል። ይህ ባህሪ እና የመገጣጠሚያ እና የገጽታ RDSon አወንታዊ የሙቀት ባህሪያት MOSFET እንደ ባይፖላር መሳሪያዎች ሁለተኛ ደረጃ ብልሽትን ለማስወገድ ያስችለዋል። ሆኖም ግን, የዚህ ባህሪ ተጽእኖ በጣም የተገደበ መሆኑን ልብ ሊባል ይገባል. በትይዩ ፣ ፑል ወይም ሌሎች አፕሊኬሽኖች ጥቅም ላይ ሲውል ፣ በዚህ ባህሪ ራስን በራስ ማስተዳደር ላይ ሙሉ በሙሉ መተማመን አይችሉም። አንዳንድ መሠረታዊ እርምጃዎች አሁንም ያስፈልጋሉ። ይህ ባህሪ ደግሞ የመተላለፊያ ብክነት በከፍተኛ ሙቀት ውስጥ ትልቅ እንደሚሆን ያብራራል. ስለዚህ ኪሳራዎችን ሲያሰሉ መለኪያዎችን ለመምረጥ ልዩ ትኩረት መስጠት ያስፈልጋል.
4. የመታወቂያው አሉታዊ የሙቀት መጠን ባህሪያት, የ MOSFET መለኪያዎችን መረዳት እና ዋና ባህሪያቱ መታወቂያው የመገናኛው ሙቀት እየጨመረ በሄደ መጠን በከፍተኛ ሁኔታ ይቀንሳል. ይህ ባህሪ ብዙውን ጊዜ የመታወቂያ መለኪያዎችን በንድፍ ውስጥ በከፍተኛ ሙቀት ውስጥ ግምት ውስጥ ማስገባት አስፈላጊ ያደርገዋል.
5. የ Avalanche አቅም IER/EAS አሉታዊ የሙቀት መጠን ባህሪያት. የመገናኛው የሙቀት መጠን ከጨመረ በኋላ፣ MOSFET ትልቅ V(BR) DSS ቢኖረውም፣ EAS በከፍተኛ ሁኔታ እንደሚቀንስ ልብ ሊባል ይገባል። ያም ማለት በከፍተኛ ሙቀት ሁኔታዎች ውስጥ የበረዶ ንጣፎችን የመቋቋም ችሎታው ከተለመደው የሙቀት መጠን በጣም ደካማ ነው.
6. በ MOSFET ውስጥ ያለው ጥገኛ diode የመምራት ችሎታ እና የተገላቢጦሽ የማገገም አፈፃፀም ከተራ ዳዮዶች የተሻሉ አይደሉም። በንድፍ ውስጥ ባለው ዑደት ውስጥ እንደ ዋናው የአሁኑ ተሸካሚ ጥቅም ላይ ይውላል ተብሎ አይጠበቅም. ማገጃ ዳዮዶች ብዙ ጊዜ በተከታታይ ተያይዘዋል በሰውነት ውስጥ ያሉ ጥገኛ ዳይዶችን ዋጋ ያጠፋሉ፣ እና ተጨማሪ ትይዩ ዳዮዶች የወረዳ ኤሌክትሪክ ተሸካሚ ለመመስረት ያገለግላሉ። ነገር ግን፣ የአጭር ጊዜ ማስተላለፊያ ወይም አንዳንድ አነስተኛ የአሁን መስፈርቶች ለምሳሌ የተመሳሰለ እርማትን በተመለከተ እንደ ተሸካሚ ተደርጎ ሊወሰድ ይችላል።
7. የፍሳሹን እምቅ ፍጥነት መጨመር የበር አንፃፊውን ውሸታም-ቀስቅሶ ሊያስከትል ስለሚችል ይህ እድል በትልልቅ ዲቪዲኤስ/ዲቲ አፕሊኬሽኖች (ከፍተኛ ድግግሞሽ ፈጣን መቀየሪያ ወረዳዎች) ላይ ግምት ውስጥ መግባት ይኖርበታል።
የልጥፍ ሰዓት፡- ዲሴምበር-13-2023
