አነስተኛ ቮልቴጅ MOSFET እንዴት እንደሚመረጥ

አነስተኛ ቮልቴጅ MOSFET ምርጫ በጣም አስፈላጊ አካል ነውMOSFETመምረጡ ጥሩ አይደለም የአጠቃላይ ወረዳውን ቅልጥፍና እና ወጪን ሊጎዳ ይችላል, ነገር ግን MOSFET ን በትክክል እንዴት እንደሚመርጥ ለመሐንዲሶች ብዙ ችግርን ያመጣል?

 

 

N-channel ወይም P-channelን መምረጥ የንድፍ ትክክለኛውን መሳሪያ ለመምረጥ የመጀመሪያው እርምጃ N-channel ወይም P-channel MOSFET ለመጠቀም መወሰን ነው በተለመደው የኃይል አፕሊኬሽን ውስጥ MOSFET ዝቅተኛ-ቮልቴጅ የጎን ማብሪያ / ማጥፊያ ሲሆን MOSFET መሬት ላይ ነው እና ጭነቱ ከግንዱ ቮልቴጅ ጋር የተገናኘ ነው. በዝቅተኛ የቮልቴጅ ጎን ማብሪያ / ማጥፊያ ውስጥ, መሳሪያውን ለማጥፋት ወይም ለማብራት የሚያስፈልገውን ቮልቴጅ ግምት ውስጥ በማስገባት የ N-channel MOSFET ጥቅም ላይ መዋል አለበት.

 

MOSFET ከአውቶቡስ ጋር ሲገናኝ እና ጭነቱ መሬት ላይ ሲወድቅ ከፍተኛ የቮልቴጅ የጎን ማብሪያ / ማጥፊያ ጥቅም ላይ ይውላል. ፒ-ሰርጥ MOSFETs አብዛኛውን ጊዜ በዚህ ቶፖሎጂ ውስጥ ጥቅም ላይ ይውላሉ, እንደገና ቮልቴጅ ድራይቭ ከግምት. የአሁኑን ደረጃ ይወስኑ። የ MOSFET የአሁኑን ደረጃ ይምረጡ። በወረዳው መዋቅር ላይ በመመስረት, ይህ የአሁኑ ደረጃ አሰጣጥ በሁሉም ሁኔታዎች ውስጥ ሸክሙ መቋቋም የሚችል ከፍተኛው ፍሰት መሆን አለበት.

 

ከቮልቴጅ ሁኔታ ጋር ተመሳሳይነት ያለው ንድፍ አውጪው የተመረጠውን ማረጋገጥ አለበትMOSFETስርዓቱ የምልክት ሞገዶችን በሚያመነጭበት ጊዜም እንኳ ይህን የአሁኑን ደረጃ መቋቋም ይችላል። ሊታሰብባቸው የሚገቡት ሁለቱ ወቅታዊ ጉዳዮች ቀጣይነት ያለው ሁነታ እና የ pulse spikes ናቸው። በተከታታይ የማስተላለፊያ ሁነታ MOSFET በተረጋጋ ሁኔታ ላይ ነው፣ አሁኑኑ ያለማቋረጥ በመሳሪያው ውስጥ ሲያልፍ።

 

የpulse spikes በመሳሪያው ውስጥ የሚፈሱ ትላልቅ ሞገዶች (ወይም የአሁኖቹ ጅራት) ሲኖሩ ነው። በነዚህ ሁኔታዎች ውስጥ ያለው ከፍተኛው ጅረት ከተወሰነ በኋላ ይህን ከፍተኛውን ጅረት የሚቋቋም መሳሪያ በቀጥታ መምረጥ ብቻ ነው። የሙቀት መስፈርቶችን መወሰን MOSFET መምረጥ የስርዓቱን የሙቀት መስፈርቶች ማስላትም ይጠይቃል። ንድፍ አውጪው ሁለት የተለያዩ ሁኔታዎችን, በጣም መጥፎውን እና እውነተኛውን ሁኔታ ግምት ውስጥ ማስገባት አለበት. በጣም የከፋው ስሌት ጥቅም ላይ እንዲውል ይመከራል, ምክንያቱም የበለጠ የደህንነት ልዩነት ስለሚያስገኝ እና ስርዓቱ አለመሳካቱን ያረጋግጣል. በ MOSFET የውሂብ ሉህ ላይ ሊታወቁ የሚገባቸው አንዳንድ ልኬቶችም አሉ; እንደ የጥቅል መሳሪያው ሴሚኮንዳክተር መገናኛ እና በአካባቢው መካከል ያለው የሙቀት መከላከያ እና ከፍተኛው የሙቀት መጠን. አፈጻጸምን በመቀያየር ላይ መወሰን፣ MOSFETን ለመምረጥ የመጨረሻው እርምጃ የመቀየሪያውን አፈፃፀም መወሰን ነው።MOSFET.

የመቀያየር አፈጻጸምን የሚነኩ ብዙ መመዘኛዎች አሉ ነገርግን በጣም አስፈላጊዎቹ በር/ፍሳሽ፣ በር/ምንጭ እና የፍሳሽ/ምንጭ ​​አቅም ናቸው። እነዚህ አቅም በመሳሪያው ውስጥ የመቀያየር ኪሳራዎችን ይፈጥራሉ ምክንያቱም በእያንዳንዱ መቀያየር ጊዜ መሙላት አለባቸው. ስለዚህ የ MOSFET የመቀየሪያ ፍጥነት ይቀንሳል እና የመሳሪያው ውጤታማነት ይቀንሳል. በመቀያየር ወቅት አጠቃላይ የመሳሪያውን ኪሳራ ለማስላት ንድፍ አውጪው የማብራት ኪሳራዎችን (ኢዮን) እና የመጥፋት ኪሳራዎችን ማስላት አለበት።

 

የ vGS እሴት ትንሽ በሚሆንበት ጊዜ ኤሌክትሮኖችን የመሳብ ችሎታው ጠንካራ አይደለም, መፍሰስ - አሁንም ምንም conductive ሰርጥ ያቀርባል መካከል ምንጭ, vGS ጭማሪ, ጭማሪ ላይ ኤሌክትሮኖች P substrate ውጨኛ ወለል ንብርብር ውስጥ ያረፈ, vGS አንድ ሲደርስ. የተወሰነ እሴት፣ እነዚህ ኤሌክትሮኖች በ P substrate ገጽታ አቅራቢያ ባለው በር ውስጥ ቀጭን የኤን-አይነት ንብርብር ይመሰርታሉ ፣ እና ከሁለቱ N + ዞን ጋር ሲገናኙ vGS የተወሰነ እሴት ላይ ሲደርስ ፣ በ ​​P substrate ገጽታ አቅራቢያ ባለው በር ውስጥ ያሉት እነዚህ ኤሌክትሮኖች N-ዓይነት ቀጭን ንብርብር, እና ሁለት N + ክልል ጋር የተገናኘ, እዳሪ ውስጥ - ምንጭ N-ዓይነት conductive ሰርጥ, በውስጡ conductive አይነት እና P substrate ተቃራኒ, ፀረ-ዓይነት ንብርብር ይመሰርታል. vGS ትልቅ ነው, ጠንካራ የኤሌክትሪክ መስክ ያለውን semiconductor ገጽታ ሚና, ኤሌክትሮኖች ወደ P substrate ውጫዊ ለመምጥ, ይበልጥ conductive ሰርጥ ወፍራም ነው, ሰርጥ የመቋቋም ዝቅ. ያም ማለት N-channel MOSFET በ vGS <VT, የመተላለፊያ ቻናል ሊፈጥር አይችልም, ቱቦው በተቆራረጠ ሁኔታ ውስጥ ነው. እስከ ጊዜ vGS ≥ VT፣ የሰርጡ ቅንብር ሲኖር ብቻ። ሰርጡ ከተመሠረተ በኋላ, በፍሳሹ - ምንጭ መካከል ወደፊት የቮልቴጅ vDS በመጨመር የፍሳሽ ፍሰት ይፈጠራል.

ነገር ግን Vgs መጨመሩን ቀጥሏል, እንበል IRFPS40N60KVgs = 100V ጊዜ Vds = 0 እና Vds = 400V, ሁለት ሁኔታዎች, ቱቦው ተግባር ምን ውጤት ለማምጣት, ከተቃጠለ, መንስኤው እና የሂደቱ ውስጣዊ አሠራር እንዴት Vgs መጨመር ይቀንሳል. Rds (በርቷል) የመቀያየር ኪሳራዎችን ይቀንሳሉ ፣ ግን በተመሳሳይ ጊዜ የ Qg ን ይጨምራል ፣ ስለዚህ የማብራት ኪሳራው ትልቅ ይሆናል ፣ የ MOSFET GS ቮልቴጅን በ Vgg ወደ Cgs መሙላት እና መጨመር ላይ ተጽዕኖ ያሳድራል ፣ ወደ ጥገናው ቮልቴጅ Vth ደርሷል። , MOSFET ጀምር conductive; MOSFET DS የአሁኑ ጭማሪ, የ DS capacitance እና ፈሳሽ መፍሰስ ምክንያት ክፍተት ውስጥ ሚሊየር capacitance, GS capacitance መሙላት ብዙ ተጽዕኖ የለውም; Qg = Cgs * Vgs፣ ግን ክፍያው መገንባቱን ይቀጥላል።

የ MOSFET የ DS ቮልቴጅ ልክ እንደ Vgs ወደ ተመሳሳይ ቮልቴጅ ይወርዳል, ሚሊየር አቅም በከፍተኛ ሁኔታ ይጨምራል, የውጪው ድራይቭ ቮልቴጅ ሚሊየር አቅም መሙላት ያቆማል, የ GS capacitance ቮልቴጅ ሳይለወጥ ይቆያል, ሚሊየር አቅም ላይ ያለው ቮልቴጅ ይጨምራል, ቮልቴጁ ግን ይጨምራል. በ DS capacitance መቀነስ ይቀጥላል; የ MOSFET የ DS ቮልቴጅ በተሞላው አመራር ወደ ቮልቴጅ ይቀንሳል፣ ሚሊየር አቅም ይቀንሳል። ቮልቴጅ, እና በ GS capacitance ላይ ያለው ቮልቴጅ ይነሳል; የቮልቴጅ መለኪያ ቻናሎች የሀገር ውስጥ 3D01፣ 4D01 እና Nissan's 3SK ተከታታይ ናቸው።

የጂ-ዋልታ (በር) መወሰኛ፡ የመልቲሜትሩን ዳዮድ ማርሽ ይጠቀሙ። አንድ እግር እና ሌሎች ሁለት ጫማዎች በአዎንታዊ እና አሉታዊ የቮልቴጅ ጠብታ መካከል ከ 2 ቮ በላይ ከሆነ ፣ ማለትም ፣ ማሳያው “1” ፣ ይህ እግር በር G ነው እና ከዚያ የቀሩትን ሁለት እግሮች ለመለካት ብዕሩን ይለውጡ። የቮልቴጅ መውደቅ በዚያ ጊዜ ትንሽ ነው, ጥቁር ፔን ከዲ-ፖል (ፍሳሽ) ጋር ተያይዟል, ቀይ ብዕር ከ S-pole (ምንጭ) ጋር ተያይዟል.