MOSFETs (ሜታል-ኦክሳይድ-ሴሚኮንዳክተር የመስክ-ኢፌክት ትራንዚስተር) ብዙውን ጊዜ ሙሉ በሙሉ ቁጥጥር የሚደረግባቸው መሳሪያዎች እንደሆኑ ተደርገው ይወሰዳሉ። ምክንያቱም የ MOSFET የስራ ሁኔታ (ማብራትም ሆነ ማጥፋት) በጌት ቮልቴጅ (Vgs) ሙሉ በሙሉ ቁጥጥር የሚደረግበት እና እንደ ባይፖላር ትራንዚስተር (BJT) በመነሻ ጅረት ላይ የተመካ ስላልሆነ ነው።
በ MOSFET ውስጥ የበር ቮልቴጅ Vgs በምንጭ እና በፍሳሽ መካከል ፣ እንዲሁም የመተላለፊያ ቻናል ስፋት እና ቅልጥፍና መፈጠሩን ይወስናል። Vgs ደፍ ቮልቴጅ Vt በላይ ጊዜ, conduction ሰርጥ ይመሰረታል እና MOSFET ላይ-ግዛት ውስጥ ይገባል; Vgs ከ Vt በታች ሲወድቅ፣ የሚመራው ቻናል ይጠፋል እና MOSFET በተቋረጠ ሁኔታ ላይ ነው። ይህ መቆጣጠሪያ ሙሉ በሙሉ ቁጥጥር የሚደረግበት ነው ምክንያቱም የበሩን ቮልቴጅ በተናጥል እና በትክክል የ MOSFET የስራ ሁኔታን በሌሎች የአሁኑ ወይም የቮልቴጅ መለኪያዎች ላይ ሳይተማመን መቆጣጠር ይችላል።
በተቃራኒው የግማሽ መቆጣጠሪያ መሳሪያዎች (ለምሳሌ, thyristors) የአሠራር ሁኔታ በመቆጣጠሪያው ቮልቴጅ ወይም በአሁን ጊዜ ብቻ ሳይሆን በሌሎች ምክንያቶች (ለምሳሌ, የአኖድ ቮልቴጅ, የአሁኑ, ወዘተ) ተጽዕኖ ያሳድራል. በውጤቱም፣ ሙሉ ቁጥጥር የሚደረግላቸው መሣሪያዎች (ለምሳሌ፣ MOSFETs) አብዛኛውን ጊዜ ከቁጥጥር ትክክለኛነት እና ተለዋዋጭነት አንፃር የተሻለ አፈጻጸም ያቀርባሉ።
በማጠቃለያው MOSFETs ሙሉ ለሙሉ ቁጥጥር የሚደረግባቸው መሳሪያዎች ናቸው የስራ ሁኔታቸው በበር ቮልቴጅ ሙሉ በሙሉ ቁጥጥር የሚደረግባቸው እና ከፍተኛ ትክክለኛነት ፣ ከፍተኛ የመተጣጠፍ እና ዝቅተኛ የኃይል ፍጆታ ጥቅሞች አሏቸው።
የልጥፍ ጊዜ፡ ሴፕቴምበር-20-2024
