በዛሬው የ MOS ሾፌሮች፣ በርካታ ያልተለመዱ መስፈርቶች አሉ፡
1. ዝቅተኛ ቮልቴጅ ትግበራ
የ 5V መቀየር ሲተገበርየኃይል አቅርቦት, በዚህ ጊዜ, ባህላዊ totem ምሰሶ መዋቅር አጠቃቀም, triode ብቻ 0.7V ወደላይ እና ወደ ታች ኪሳራ, ምክንያት, ቮልቴጅ ላይ የተወሰነ የመጨረሻ ጭነት በር ምክንያት 4.3V ብቻ ስለሆነ, በዚህ ጊዜ, የሚፈቀድ በር ቮልቴጅ መጠቀም. የ 4.5 ቪMOSFETs የተወሰነ ደረጃ አደጋ አለ.ተመሳሳይ ሁኔታ በ 3 ቮ ወይም ሌላ ዝቅተኛ-ቮልቴጅ መቀየሪያ የኃይል አቅርቦት አተገባበር ውስጥም ይከሰታል.
2.Wide ቮልቴጅ መተግበሪያ
የቁልፍ ቮልቴጁ የቁጥር እሴት የለውም, ከጊዜ ወደ ጊዜ ወይም በሌሎች ምክንያቶች ይለያያል. ይህ ልዩነት ለ MOSFET በ PWM ወረዳ የሚሰጠውን ድራይቭ ቮልቴጅ ያልተረጋጋ ያደርገዋል።
MOSFETን በከፍተኛ የጌት ቮልቴጅ በተሻለ ሁኔታ ለመጠበቅ፣ ብዙ MOSFETዎች የቮልቴጅ ተቆጣጣሪዎች በበር የቮልቴጅ መጠን ላይ ገደብ ለማስገደድ ገብተዋል። በዚህ ሁኔታ, የማሽከርከሪያው ቮልቴጅ ከተቆጣጠሪው የቮልቴጅ መጠን በላይ እንዲጨምር ሲደረግ, ትልቅ የማይንቀሳቀስ ተግባር መጥፋት ይከሰታል.
በተመሳሳይ ጊዜ, የ resistor ቮልቴጅ መከፋፈያ ያለውን መሠረታዊ መርህ ወደ በር ቮልቴጅ ለመቀነስ ጥቅም ላይ ከሆነ, ይህ ይሆናል, keyed ቮልቴጅ ከፍተኛ ከሆነ, MOSFET በደንብ ይሰራል, እና keyed ቮልቴጅ ቀንሷል ከሆነ, በር ቮልቴጅ አይደለም ይሆናል. በቂ ፣ በቂ ያልሆነ ማብራት እና ማጥፋት ያስከትላል ፣ ይህም የተግባር ኪሳራን ይጨምራል።
3. ባለሁለት ቮልቴጅ መተግበሪያዎች
በአንዳንድ የመቆጣጠሪያ ዑደቶች ውስጥ የወረዳው አመክንዮአዊ ክፍል የተለመደው 5V ወይም 3.3V የውሂብ ቮልቴጅን ሲተገበር የውጤት ሃይል ክፍል 12V ወይም ከዚያ በላይ ሲሆን ሁለቱ ቮልቴጅዎች ከጋራ መሬት ጋር የተገናኙ ናቸው።
ይህ ግልጽ የሚያደርገው ዝቅተኛ የቮልቴጅ ጎን ከፍተኛ ቮልቴጅ MOSFET በተመጣጣኝ ሁኔታ እንዲጠቀምበት የኃይል አቅርቦት ዑደት ጥቅም ላይ መዋል አለበት, ከፍተኛ ቮልቴጅ MOSFET 1 እና 2 ላይ የተጠቀሱትን ተመሳሳይ ችግሮች መቋቋም ይችላል.
በእነዚህ ሶስት አጋጣሚዎች የቶተም ምሰሶ ግንባታ የውጤት መስፈርቶችን ማሟላት አይችልም, እና ብዙ ነባር የ MOS ነጂ አይሲዎች የግንባታውን የቮልቴጅ ገደብ የሚያካትቱ አይመስሉም.
የልጥፍ ሰዓት፡- ጁላይ-24-2024
