MOSFET የፒ-አይነት ንኡስ ክፍል እና ሁለት n-የሚሰራጭ አካባቢዎች ከፍተኛ የማጎሪያ ዋጋ ያላቸው n-channel ይባላል።MOSFET, እና በ n-type conductive channel ምክንያት የሚፈጠረውን የመተላለፊያ ቻናል የሚከሰተው ቱቦው በሚሰራበት ጊዜ ከፍተኛ የማጎሪያ ዋጋዎች ባላቸው ሁለት n-n-production ዱካዎች ውስጥ በ n-ስርጭት መንገዶች ነው. የ n-channel ጥቅጥቅ ያሉ MOSFETዎች በበሩ ላይ በተቻለ መጠን አዎንታዊ አቅጣጫዊ አድልዎ በሚነሳበት ጊዜ በኮንዳክቲቭ ቻናል የሚፈጠረውን n-ቻናል አላቸው እና የበር ምንጭ ክዋኔው ከመነሻው ቮልቴጅ በላይ የሚሰራ ቮልቴጅ ሲፈልግ ብቻ ነው። n-channel depletion MOSFETs ለበር ቮልቴጅ ዝግጁ ያልሆኑ ናቸው (የበር ምንጭ ክዋኔ የዜሮ ኦፕሬቲንግ ቮልቴጅ ያስፈልገዋል)። የ n-ቻናል ብርሃን መሟጠጥ MOSFET የ n-ቻናል MOSFET ሲሆን በውስጡም ኮንዳክቲቭ ቻናል የበር ቮልቴጅ (የበር ምንጭ የክወና መስፈርት ኦፕሬቲንግ ቮልቴጅ ዜሮ ነው) ሳይዘጋጅ ሲቀር ነው።
NMOSFET የተቀናጁ ወረዳዎች N-channel MOSFET ኃይል አቅርቦት የወረዳ, NMOSFET የተቀናጀ ወረዳዎች ናቸው, ግብዓት የመቋቋም በጣም ከፍተኛ ነው, አብዛኞቹ አብዛኞቹ የኃይል ፍሰት ለመምጥ መፈጨት የለበትም, እና በዚህም CMOSFET እና NMOSFET የተቀናጁ ወረዳዎች ወደ መውሰድ ሳያስፈልገው ተገናኝቷል. account the load of power flow.NMOSFET የተቀናጁ ወረዳዎች፣ አንድ ቡድን አወንታዊ መቀያየርን ኃይል አቅርቦት የወረዳ ኃይል አቅርቦት ወረዳዎች መካከል አብዛኞቹ ምርጫ NMOSFET አብዛኞቹ NMOSFET የተቀናጀ ወረዳዎች አንድ ነጠላ አዎንታዊ መቀያየርን ኃይል አቅርቦት የወረዳ ኃይል አቅርቦት ወረዳ ይጠቀማሉ, እና ወደ 9 ቪ ለበለጠ። የ CMOSFET የተቀናጁ ወረዳዎች ልክ እንደ NMOSFET የተቀናጁ ወረዳዎች ተመሳሳይ የመቀያየር ኃይል አቅርቦት ዑደትን ብቻ መጠቀም አለባቸው ፣ ወዲያውኑ ከ NMOSFET የተቀናጁ ወረዳዎች ጋር መገናኘት ይችላሉ። ነገር ግን ከ NMOSFET እስከ CMOSFET ወዲያውኑ ተገናኝቷል, ምክንያቱም NMOSFET ውፅዓት የሚጎትት የመቋቋም CMOSFET የተቀናጀ የወረዳ keyed የሚጎትት የመቋቋም ያነሰ ነው, ስለዚህ እምቅ ልዩነት ፑል-አፕ resistor R ተግባራዊ ለማድረግ ይሞክሩ, resistor R ዋጋ ነው. በአጠቃላይ ከ 2 እስከ 100 ኪ.ሜ.
የኤን-ቻናል ወፍራም MOSFETs ግንባታ
ዝቅተኛ የዶፒንግ ማጎሪያ ዋጋ ባለው የፒ-አይነት የሲሊኮን ንጣፍ ላይ ፣ ከፍተኛ የዶፒንግ ማጎሪያ ዋጋ ያላቸው ሁለት N ክልሎች ተሠርተዋል ፣ እና ሁለት ኤሌክትሮዶች ከአሉሚኒየም ብረት ወጥተው እንደ ማፍሰሻ መ እና ምንጭ s ሆነው ያገለግላሉ።
ከዚያም ሴሚኮንዳክተር ክፍል ወለል ጭንብል ሲሊካ ማገጃ ቱቦ በጣም ቀጭን ንብርብር, እዳሪ ውስጥ - ሌላ የአልሙኒየም electrode ያለውን እዳሪ እና ምንጭ መካከል ምንጭ ማገጃ ቱቦ, በር ሰ እንደ.
በ substrate ውስጥ ደግሞ N-ሰርጥ ወፍራም MOSFET ያካተተ አንድ electrode B, ወደ ውጭ ይመራል. MOSFET ምንጭ እና substrate በአጠቃላይ አንድ ላይ ተያይዘዋል, በፋብሪካው ውስጥ ያለው አብዛኛው የቧንቧ መስመር ከረጅም ጊዜ በፊት ከእሱ ጋር ተያይዟል, የእሱ በር እና ሌሎች ኤሌክትሮዶች በማሸጊያው መካከል ተዘግተዋል.
የፖስታ ሰአት፡- ግንቦት-26-2024
