MOSFET የመተካት መርህ እና ጥሩ እና መጥፎ ፍርድ

1, ጥራት ያለው ፍርድMOSFETጥሩ ወይም መጥፎ

የ MOSFET መተኪያ መርህ እና ጥሩ ወይም መጥፎ ፍርድ በመጀመሪያ መልቲሚተር R × 10kΩ ብሎክ (የተሰራ 9V ወይም 15V ባትሪ) ፣ ከበሩ (ጂ) ጋር የተገናኘውን አሉታዊውን ብዕር (ጥቁር) ፣ አዎንታዊ ብዕር (ቀይ) ይጠቀሙ ምንጭ (ኤስ) በበሩ እና በምንጩ መካከል ሲሞሉ መልቲሜትር ጠቋሚው በትንሹ ይገለበጣል። እንደገና መልቲሜትር R × 1Ω ብሎክን በመጠቀም ፣ አሉታዊውን እስክሪብቶ ወደ ፍሳሽ ማስወገጃ (ዲ) ፣ ወደ ምንጭ (ኤስ) አወንታዊ ብዕር ፣ መልቲሜትሩ የ MOSFET ጥሩ መሆኑን የሚያመለክት የጥቂት ohms ዋጋን ያሳያል።

 

2, መጋጠሚያ MOSFET electrode መካከል በጥራት ትንተና

መልቲሜትሩ ወደ R × 100 ፋይል ይደውላል፣ ቀዩ እስክሪብቶ ወደ ማንኛውም የእግር ቱቦ፣ ጥቁር እስክሪብቶ ለሌላ፣ ሶስተኛው እግር እንዲታገድ ይደረጋል። የሜትሩን መርፌ ትንሽ መወዛወዝ ካገኙ, ሶስተኛው እግር በሩ መሆኑን ያረጋግጡ. ይበልጥ ግልጽ የሆነ ውጤት ለማግኘት ከፈለጉ፣ የተንጠለጠለውን እግር ለመንካት የተጠጋውን አካል ወይም በጣት መጠቀም ይችላሉ፣ መርፌው በከፍተኛ ሁኔታ ሲገለበጥ እስካዩ ድረስ፣ ይህም ማለት የታገደው እግር ለበሩ፣ እንደቅደም ተከተላቸው ሁለት ጫማ የሚቀረው ምንጩ እና ፍሳሽ.

አድሎአዊ ምክንያቶች፡-JFETየግብአት መቋቋም ከ 100MΩ በላይ ነው, እና ትራንስኮንዳክሽን በጣም ከፍተኛ ነው, በሩ ክፍት በሚሆንበት ጊዜ, የቦታ ኤሌክትሮማግኔቲክ መስክ በበር የቮልቴጅ ምልክት በቀላሉ ሊነሳሳ ይችላል, በዚህም ምክንያት ቱቦው ሊቆርጥ ወይም ወደ መምራት ይሞክራል. የሰው አካል በቀጥታ ወደ በር ኢንዳክሽን ቮልቴጅ, በመግቢያው ጣልቃገብነት ምልክት ምክንያት ጠንካራ ከሆነ, ከላይ ያለው ክስተት የበለጠ ግልጽ ይሆናል. ለምሳሌ, በግራ በኩል ያለው መርፌ በጣም ትልቅ ነው, ይህ ማለት ቱቦው የመቁረጥ አዝማሚያ አለው, የፍሳሽ-ምንጭ መከላከያ RDS ይጨምራል, የፍሳሽ-ምንጭ ጅረት IDS ይቀንሳል. በተቃራኒው, መርፌው ወደ ትልቁ መወዛወዝ በስተቀኝ በኩል, ቱቦው ወደ መምራት የሚሄድ, RDS ↓, IDS ↑. ነገር ግን የመለኪያ መርፌው ወደ የትኛው አቅጣጫ እንደሚዞር በተፈጠረው የቮልቴጅ (የፊት ወይም የተገላቢጦሽ ቮልቴጅ) እና የቱቦው የስራ ቦታ ላይ መወሰን አለበት.
ቅድመ ጥንቃቄዎች፥

የምርመራው ውጤት እንደሚያሳየው ሁለቱም እጆች ከዲ እና ኤስ ምሰሶዎች ሲገለሉ እና በሩ ብቻ ሲነካ, የመለኪያ መርፌው በአጠቃላይ ወደ ግራ ይገለበጣል. ሆኖም ሁለቱም እጆች የዲ እና ኤስ ምሰሶዎችን በቅደም ተከተል ሲነኩ እና ጣቶቹ በሩን ሲነኩ የመለኪያ መርፌው ወደ ቀኝ ሲዞር ይስተዋላል። ይህ የሆነበት ምክንያት በርካታ የሰው አካል ክፍሎች እና የመቋቋም አድሏዊ ነውMOSFETወደ ሙሌት ክልል ውስጥ.

 

 

 

ክሪስታል ትራይዮድ ፒን መወሰን

ትሪዮድ ከኮር (ሁለት ፒኤን መገናኛዎች)፣ ሶስት ኤሌክትሮዶች እና የቱቦ ቅርፊት፣ ሦስቱ ኤሌክትሮዶች ሰብሳቢ c፣ emitter e፣ ቤዝ ለ ይባላሉ። በአሁኑ ጊዜ የጋራ ትሪዮድ የሲሊኮን ፕላነር ቱቦ ሲሆን ይህም በሁለት ምድቦች ይከፈላል-PNP-type እና NPN-type. የጀርመን ቅይጥ ቱቦዎች አሁን ብርቅ ናቸው.

እዚህ ላይ የሶስትዮድ ሶስት እግርን ለመለካት መልቲሜትር ለመጠቀም ቀላል ዘዴን እናስተዋውቅዎታለን.

 

1, የመሠረት ምሰሶውን ይፈልጉ, የቧንቧውን አይነት ይወስኑ (NPN ወይም PNP)

ለ PNP-type triode, C እና E ምሰሶዎች በውስጡ ያሉት የሁለቱ የፒኤን መገናኛዎች አወንታዊ ምሰሶዎች ናቸው, እና B ፖል የተለመደው አሉታዊ ምሰሶው ነው, NPN-type triode ተቃራኒ ነው, C እና E ምሰሶዎች አሉታዊ ምሰሶዎች ናቸው. ከሁለቱም የፒኤን መገናኛዎች, እና B ምሰሶው የተለመደው አወንታዊ ምሰሶ ነው, እና በፒኤን መጋጠሚያ ባህሪያት መሰረት የመሠረት ምሰሶውን እና የቱቦውን አይነት ለመወሰን ቀላል ነው አዎንታዊ ተቃውሞ ትንሽ ነው, እና በተቃራኒው የመቋቋም ችሎታ ትልቅ ነው. . ልዩ ዘዴው የሚከተለው ነው-

በ R × 100 ወይም R × 1K ማርሽ የተደወለ መልቲሜትር ይጠቀሙ። ቀይ እስክሪብቶ አንድ ፒን ይንኩ እና ከዚያ ጥቁር ብዕር ከሌሎቹ ሁለት ፒኖች ጋር ተገናኝተዋል ፣ ስለሆነም ሶስት ቡድኖችን (ሁለት እያንዳንዳቸው ቡድን) ንባቦችን ማግኘት ይችላሉ ፣ ከሁለቱ የንባብ ስብስቦች አንዱ ዝቅተኛ የመቋቋም እሴት ውስጥ ሲሆኑ ጥቂት መቶ ohms, የሕዝብ ካስማዎች ቀይ ብዕር ከሆነ, ዕውቂያው መሠረት ነው, የ PNP አይነት ትራንዚስተር አይነት; የአደባባይ ፒኖች ጥቁር ብዕር ከሆኑ፣ እውቂያው መሰረቱ፣ የ NPN አይነት ትራንዚስተር አይነት ነው።

 

2, አሚተር እና ሰብሳቢውን መለየት

እንደ ትሪዮድ ምርት ፣ ሁለት ፒ አካባቢ ወይም ሁለት N በ doping ትኩረት ውስጥ ያለው ቦታ የተለየ ነው ፣ ትክክለኛው ማጉያ ከሆነ ፣ ትሪዮዱ ጠንካራ ማጉያ አለው ፣ እና በተቃራኒው ፣ በተሳሳተ ማጉያ ፣ ብዙ ቁጥር ያላቸው በጣም ደካማዎች ማጉያ ማጉያ። , ስለዚህ ትራይዮድ ከትክክለኛው ማጉያ, ትራይዮድ ከተሳሳተ ማጉያ ጋር, ትልቅ ልዩነት ይኖረዋል.

 

የቱቦውን ዓይነት እና ቤዝ ቢን ከለዩ በኋላ ሰብሳቢው እና አስማሚው በሚከተለው መንገድ ሊታወቁ ይችላሉ። R x 1K ን በመጫን መልቲሜትሩን ይደውሉ። መሰረቱን እና ሌላውን ፒን በሁለቱም እጆች አንድ ላይ ቆንጥጦ (ኤሌክትሮዶች በቀጥታ እንዳይገናኙ ይጠንቀቁ). የመለኪያ ክስተቱን ግልጽ ለማድረግ ጣቶችዎን ያጠቡ ፣ ቀዩን እስክሪብቶ ከመሠረቱ ጋር ቆንጥጠው ፣ ጥቁሩን እስክሪብቶ በሌላኛው ፒን ቆንጥጠው እና የመልቲሜተር ጠቋሚውን የቀኝ ማወዛወዝ መጠን ትኩረት ይስጡ ። በመቀጠል ሁለቱን ፒን ያስተካክሉ, ከላይ ያሉትን የመለኪያ ደረጃዎች ይድገሙት. የመርፌውን መወዛወዝ ስፋት በሁለት መመዘኛዎች ያወዳድሩ እና በትልቅ ማወዛወዝ ያለውን ክፍል ይወቁ። ለፒኤንፒ አይነት ትራንዚስተሮች ጥቁሩን እስክሪብቶ ከፒን ጋር ያገናኙ እና የመሠረቱ ቁንጮውን አንድ ላይ ያገናኙ ፣ ከላይ ያሉትን ሙከራዎች ይድገሙት መርፌው የሚወዛወዝ ስፋት የት እንደሚበልጥ ለማወቅ ፣ ለ NPN - ጥቁር እስክሪብቶ ከመሠረቱ ፣ ከቀይ ጋር የተገናኘ ነው ። ብዕር ከኤሚተር ጋር ተያይዟል. በፒኤንፒ ዓይነት ውስጥ, ቀይ ብዕር ከአሰባሳቢው ጋር ተያይዟል, ጥቁር ብዕር ከኤሚተር ጋር ተያይዟል.

 

የዚህ መለያ ዘዴ መርህ ባትሪውን በ መልቲሜተር ውስጥ መጠቀም ነው ፣ ቮልቴጁ ወደ ትራንዚስተር ሰብሳቢው እና አስማሚው ተጨምሯል ፣ ስለሆነም የማጉላት ችሎታ አለው። በእጅ መቆንጠጥ, ሰብሳቢው, ወደ triode ሲደመር አንድ አዎንታዊ አድሏዊነት ወቅታዊ ወደ በእጁ በኩል የመቋቋም ጋር እኩል, ያካሂዳል ዘንድ, በዚህ ጊዜ ሜትር መርፌ ወደ ቀኝ ሲወዛወዝ ያለውን መጠን በውስጡ ማጉያ ችሎታ ያንጸባርቃል, ስለዚህ በትክክል ይችላሉ. የ emitter, ሰብሳቢውን ቦታ ይወስኑ.