በሴሚኮንዳክተር መስክ ውስጥ ካሉት በጣም መሠረታዊ መሳሪያዎች አንዱ እንደመሆኑ MOSFET በሁለቱም በ IC ዲዛይን እና በቦርድ ደረጃ የወረዳ አፕሊኬሽኖች ውስጥ በሰፊው ጥቅም ላይ ይውላል። ስለዚህ ስለ MOSFET የተለያዩ መለኪያዎች ምን ያህል ያውቃሉ? በመካከለኛ እና ዝቅተኛ ቮልቴጅ MOSFETs ውስጥ እንደ ልዩ ባለሙያተኛ ፣ኦሉኪየ MOSFETs የተለያዩ መለኪያዎችን በዝርዝር ያብራራልዎታል!
VDSS ከፍተኛ የፍሳሽ-ምንጭ መቋቋም ቮልቴጅ
የፍሳሽ-ምንጭ ቮልቴጅ የሚፈሰው የፍሳሽ ጅረት ወደ አንድ የተወሰነ እሴት ሲደርስ (በከፍተኛ ፍጥነት ይጨምራል) በተወሰነ የሙቀት መጠን እና በበር-ምንጭ አጭር ዑደት ውስጥ. በዚህ ሁኔታ ውስጥ ያለው የፍሳሽ-ምንጭ ቮልቴጅ የአቫላንሽ መበላሸት ቮልቴጅ ተብሎም ይጠራል. VDSS አወንታዊ የሙቀት መጠን አለው። በ -50°C፣ VDSS በግምት 90% የሚሆነው በ25°ሴ ነው። በመደበኛ ምርት ውስጥ በሚቀረው አበል ምክንያት ፣ የአቫላንቼ ብልሽት ቮልቴጅ የMOSFETሁልጊዜ ከስመ ደረጃው የቮልቴጅ መጠን ይበልጣል.
የኦሉኪ ሞቅ ያለ ማሳሰቢያ: የምርት አስተማማኝነትን ለማረጋገጥ, በአስከፊው የሥራ ሁኔታ ውስጥ, የሥራው ቮልቴጅ ከተገመተው እሴት ከ 80 ~ 90% መብለጥ የለበትም.
VGSS ከፍተኛው የበር-ምንጭ ቮልቴጅ መቋቋም
በበር እና ምንጭ መካከል ያለው የተገላቢጦሽ ፍሰት በከፍተኛ ሁኔታ መጨመር ሲጀምር የVGS እሴትን ያመለክታል። ከዚህ የቮልቴጅ ዋጋ በላይ ማለፍ የጌት ኦክሳይድ ንብርብር ዳይኤሌክትሪክ ብልሽት ያስከትላል ይህም አጥፊ እና የማይቀለበስ ብልሽት ነው።
መታወቂያ ከፍተኛው የፍሳሽ-ምንጭ የአሁኑ
የመስክ ተፅእኖ ትራንዚስተር በመደበኛነት በሚሰራበት ጊዜ በፍሳሹ እና በምንጩ መካከል እንዲያልፍ የሚፈቀደውን ከፍተኛውን ፍሰት ያመለክታል። የMOSFET የስራ ፍሰት ከመታወቂያ መብለጥ የለበትም። የመገጣጠሚያው ሙቀት መጠን ሲጨምር ይህ ግቤት ይቀንሳል።
IDM ከፍተኛው የ pulse drain-ምንጭ ወቅታዊ
መሳሪያው የሚይዘውን የ pulse current ደረጃ ያንጸባርቃል። የመገጣጠሚያው ሙቀት መጠን ሲጨምር ይህ ግቤት ይቀንሳል። ይህ ግቤት በጣም ትንሽ ከሆነ፣ ስርዓቱ በኦሲፒ ሙከራ ወቅት በአሁን ጊዜ የመበታተን አደጋ ሊያጋጥመው ይችላል።
ፒዲ ከፍተኛው የኃይል መጥፋት
የመስክ ውጤት ትራንዚስተር አፈፃፀም ሳይበላሽ የሚፈቀደውን ከፍተኛውን የፍሳሽ-ምንጭ የኃይል ብክነትን ያመለክታል። ጥቅም ላይ በሚውልበት ጊዜ የመስክ ተፅእኖ ትራንዚስተር ትክክለኛው የኃይል ፍጆታ ከ PDSM ያነሰ እና የተወሰነ ህዳግ መተው አለበት። የመገጣጠሚያው ሙቀት መጠን ሲጨምር ይህ ግቤት በአጠቃላይ ይቀንሳል።
TJ፣ TSTG የክወና ሙቀት እና የማከማቻ አካባቢ የሙቀት መጠን
እነዚህ ሁለት መመዘኛዎች በመሳሪያው አሠራር እና ማከማቻ አካባቢ የሚፈቀደውን የመገናኛ የሙቀት መጠን ይለካሉ። ይህ የሙቀት ወሰን የመሳሪያውን አነስተኛ የስራ ህይወት መስፈርቶች ለማሟላት የተቀናበረ ነው። መሳሪያው በዚህ የሙቀት ክልል ውስጥ መስራቱን ከተረጋገጠ የስራ ህይወቱ በእጅጉ ይራዘማል።
የፖስታ ሰአት፡ ዲሴምበር 15-2023
