የንብርብር በር MOSFETs እውቅና

የኢንሱሌሽን ንብርብር በር አይነት MOSFET ተለዋጭ ስምMOSFET (ከዚህ በኋላ MOSFET ተብሎ የሚጠራው) በበሩ ቮልቴጅ እና የምንጭ ፍሳሽ መካከል ያለው የሲሊኮን ዳይኦክሳይድ የኬብል ሽፋን ያለው።

MOSFET እንዲሁ ነው።ኤን-ቻናል እና ፒ-ቻናል ሁለት ምድቦች፣ ነገር ግን እያንዳንዱ ምድብ በማሻሻያ እና በብርሃን መሟጠጥ ዓይነት ሁለት የተከፈለ ነው፣ ስለዚህም በድምሩ አራት ዓይነቶች አሉ።ኤን-ቻናል ማሻሻል, P-channel ማሻሻያ, ኤን-ቻናል ብርሃን መሟጠጥ, የፒ-ቻናል ብርሃን መሟጠጥ አይነት. ነገር ግን በር ምንጭ ቮልቴጅ ዜሮ ነው የት, የፍሳሽ የአሁኑ ደግሞ ቧንቧው የተሻሻሉ ቱቦ ዜሮ ነው. ይሁን እንጂ የበር ምንጭ ቮልቴጅ ዜሮ ከሆነ, የፍሳሽ ጅረት ዜሮ አይደለም, እንደ ብርሃን የሚፈጅ ዓይነት ቱቦዎች ይመደባሉ.
የተሻሻለ MOSFET መርህ፡-

በበሩ ምንጭ መካከል በሚሰራበት ጊዜ የቮልቴጅ አይጠቀምም, የፍሳሽ ምንጭ ፒኤን መጋጠሚያው በተቃራኒው አቅጣጫ ነው, ስለዚህ ምንም እንኳን የቮልቴጅ መሃከል ያለው የውኃ ማስተላለፊያ ምንጭ ቢሆንም, ምንም እንኳን የሚመራ ሰርጥ አይኖርም. ኮንዳክቲቭ ቦይ ኤሌክትሪክ ተዘግቷል, በዚህ መሠረት የሚሰራ የአሁኑ ጊዜ ሊኖር አይችልም. በር ምንጭ መካከል ሲደመር አዎንታዊ አቅጣጫ ቮልቴጅ ወደ የተወሰነ እሴት, ወደ እዳሪ ምንጭ መካከል conductive ደህንነት ሰርጥ ለማምረት ጊዜ, ስለዚህ ብቻ በዚህ በር ምንጭ ቮልቴጅ የሚመረተው conductive ቦይ ክፍት ቮልቴጅ VGS, ይባላል. የበሩን ምንጭ የቮልቴጅ መሃከለኛ ትልቁ, የመተላለፊያው ቦይ ሰፋ ያለ ነው, ይህ ደግሞ የኤሌክትሪክ ፍሰትን የበለጠ ያደርገዋል.

የብርሃን መበታተን MOSFET መርህ፡-

ክወና ውስጥ, ምንም ቮልቴጅ በር ምንጭ መካከል ማሻሻያ አይነት MOSFET በተለየ, እና አንድ conductive ሰርጥ ወደ እዳሪ ምንጭ መሃል ላይ አለ, ስለዚህ ብቻ አዎንታዊ ቮልቴጅ ወደ እዳሪ ምንጭ መካከል ታክሏል ነው, ይህም. የውሃ ፍሳሽ ፍሰትን ያስከትላል. ከዚህም በላይ, ቮልቴጅ ያለውን አዎንታዊ አቅጣጫ መሃል ላይ በር ምንጭ, conductive ሰርጥ ማስፋፊያ, ቮልቴጅ ተቃራኒ አቅጣጫ ለማከል, conductive ሰርጥ ይቀንሳል, የኤሌክትሪክ ፍሰት አማካኝነት MOSFET ንጽጽር ማሻሻያ ጋር, አነስተኛ ይሆናል. እንዲሁም በኮንዳክቲቭ ቻናል ውስጥ በተወሰኑ ክልሎች አወንታዊ እና አሉታዊ ቁጥር ውስጥ ሊሆን ይችላል.

የMOSFET ውጤታማነት፡-

በመጀመሪያ፣ MOSFETs ለማስፋት ይጠቅማሉ። የ MOSFET ማጉያው የግብአት ተቃውሞ በጣም ከፍተኛ ስለሆነ የማጣሪያው አቅም አነስተኛ ሊሆን ይችላል, ያለ ኤሌክትሮይክ መያዣዎችን መጠቀም ሳያስፈልግ.

ሁለተኛ፣ MOSFET በጣም ከፍተኛ የግብአት መቋቋም በተለይ ለባህሪው የመነካካት ለውጥ ተስማሚ ነው። በብዝሃ-ደረጃ ማጉያ ግቤት ደረጃ ላይ ለባህሪያዊ እክል ልወጣ በብዛት ጥቅም ላይ ይውላል።

MOSFET እንደ ማስተካከያ ተከላካይ ሆኖ ሊያገለግል ይችላል።

አራተኛ፣ MOSFET እንደ ዲሲ የኃይል አቅርቦት ምቹ ሊሆን ይችላል።

V. MOSFET እንደ መቀየሪያ አካል መጠቀም ይቻላል.