MOSFET እና Triode በጣም የተለመዱ የኤሌክትሮኒክስ ክፍሎች ናቸው, ሁለቱም እንደ ኤሌክትሮኒክስ ማብሪያ / ማጥፊያዎች ሊያገለግሉ ይችላሉ, ግን በብዙ አጋጣሚዎች የመቀየሪያዎችን አጠቃቀም ለመለዋወጥ, እንደ የአጠቃቀም መቀየሪያ,MOSFETእና Triode ብዙ ተመሳሳይነት አላቸው, እንዲሁም የተለያዩ ቦታዎች አሉ, ስለዚህ ሁለቱ እንዴት እንደሚመርጡ መሆን አለባቸው?
ትሪዮድ የኤንፒኤን አይነት እና የፒኤንፒ አይነት አለው.MOSFET በተጨማሪም N-channel እና P-channel አለው.ሶስቱ የ MOSFET ፒን ጌት ጂ, ድሬስ ዲ እና ምንጭ ኤስ ናቸው, እና ሶስት የትሪዮድ ፒን ቤዝ ቢ, ሰብሳቢ C እና ኤሚተር ኢ ናቸው. በ MOSFET እና Triode መካከል ያለው ልዩነት ምንድን ነው?
N-MOSFET እና NPN Triode እንደ መቀየሪያ መርህ ጥቅም ላይ ይውላሉ
(1) የተለያዩ የቁጥጥር ሁነታ
ትሪዮድ የአሁን አይነት የቁጥጥር አካላት ነው፣ እና MOSFET የቮልቴጅ መቆጣጠሪያ አካላት ነው፣ በመቆጣጠሪያው በኩል ባለው የግቤት ቮልቴጅ መስፈርቶች ላይ ትሪዮድ በአንጻራዊ ሁኔታ ዝቅተኛ ነው ፣ በአጠቃላይ ከ 0.4 ቪ እስከ 0.6 ቪ ወይም ከዚያ በላይ ትሪኦድ ላይ እውን ሊሆን ይችላል ፣ የመሠረት ገደቡን በመቀየር የአሁኑ ተከላካይ የመሠረቱን የአሁኑን መለወጥ ይችላል። MOSFET በቮልቴጅ ቁጥጥር የሚደረግለት ነው፣ ለመምራት የሚያስፈልገው ቮልቴጅ አብዛኛውን ጊዜ ከ4V እስከ 10V ነው፣ እና ሙሌት ሲደርስ የሚፈለገው ቮልቴጅ ከ6V እስከ 10V አካባቢ ነው። በዝቅተኛ የቮልቴጅ ሁኔታዎች ቁጥጥር ውስጥ ፣ Triode እንደ ማብሪያ / ማጥፊያ ፣ ወይም Triode እንደ ቋት መቆጣጠሪያ MOSFET ፣ እንደ ማይክሮ መቆጣጠሪያ ፣ DSP ፣ PowerPC እና ሌሎች ማቀነባበሪያዎች I / O የወደብ ቮልቴጅ በአንጻራዊ ሁኔታ ዝቅተኛ ነው ፣ 3.3V ወይም 2.5V ብቻ ፣ በአጠቃላይ በቀጥታ አይቆጣጠርም።MOSFET, ዝቅተኛ ቮልቴጅ, MOSFET ትልቅ የውስጥ ፍጆታ conduction ወይም ውስጣዊ ተቃውሞ ሊሆን አይችልም በዚህ ሁኔታ, Triode መቆጣጠሪያ አብዛኛውን ጊዜ ጥቅም ላይ ይውላል.
(2) የተለያዩ የግቤት እክል
የትሪዮድ ግቤት ግቤት ትንሽ ነው ፣ የ MOSFET የግቤት ግቤት ትልቅ ነው ፣ የመስቀለኛ መንገድ አቅም የተለየ ነው ፣ Triode's junction capacitance ከ MOSFET የበለጠ ነው ፣ በዚህ መሠረት በ MOSFET ላይ ያለው እርምጃ ከትሪዮድ የበለጠ ፈጣን ነው ።MOSFETበጥሩ መረጋጋት ውስጥ ፣ ባለብዙ ተቆጣጣሪ ፣ ትንሽ ድምጽ ፣ የሙቀት መረጋጋት የተሻለ ነው።
የ MOSFET ውስጣዊ ተቃውሞ በጣም ትንሽ ነው ፣ እና የትሪዮድ በስቴት ላይ ያለው የቮልቴጅ ውድቀት የማያቋርጥ ነው ፣ በትንሽ ወቅታዊ ሁኔታዎች ፣ በአጠቃላይ ትሪዮድን ይጠቀሙ ፣ እና ምንም እንኳን ውስጣዊ ተቃውሞው በጣም ትንሽ ቢሆንም MOSFET ን ይጠቀሙ ፣ ግን የአሁኑ ትልቅ ነው ፣ የቮልቴጅ ውድቀትም እንዲሁ ነው ። በጣም ትልቅ.
የልጥፍ ሰዓት፡- ኤፕሪል 24-2024
