MOSFET ምንድን ነው? ዋናዎቹ መለኪያዎች ምንድን ናቸው?

በመጠቀም የመቀያየር ኃይል አቅርቦት ወይም ሞተር ድራይቭ የወረዳ መንደፍ ጊዜMOSFETs, እንደ የ MOS የመቋቋም ላይ, ከፍተኛ የቮልቴጅ እና ከፍተኛ የአሁኑን የመሳሰሉ ሁኔታዎች በአጠቃላይ ግምት ውስጥ ይገባሉ.

MOSFET ቱቦዎች እንደ ማሻሻያ ወይም የመቀነስ አይነት፣ ፒ-ቻናል ወይም ኤን-ቻናል በድምሩ 4 ሊፈጠሩ የሚችሉ የFET አይነት ናቸው። ማሻሻያ NMOSFETs እና ማሻሻያ PMOSFETs በአጠቃላይ ጥቅም ላይ ይውላሉ፣ እና እነዚህ ሁለቱ በብዛት ተጠቅሰዋል።

እነዚህ ሁለቱ በብዛት ጥቅም ላይ የሚውሉት NMOS ነው። ምክንያቱ የመተላለፊያው መከላከያ አነስተኛ እና ለማምረት ቀላል ነው. ስለዚህ, NMOS አብዛኛውን ጊዜ የኃይል አቅርቦትን እና የሞተር ድራይቭ አፕሊኬሽኖችን ለመቀየር ያገለግላል.

በ MOSFET ውስጥ፣ በፍሳሹ እና በምንጩ መካከል thyristor ተቀምጧል፣ ይህም እንደ ሞተርስ ያሉ ኢንዳክቲቭ ሸክሞችን ለመንዳት በጣም አስፈላጊ ነው፣ እና በአንድ MOSFET ውስጥ ብቻ ነው ያለው፣ ብዙውን ጊዜ በተቀናጀ ሰርክ ቺፑ ውስጥ አይደለም።

ጥገኛ አቅም በ MOSFET ሦስቱ ፒን መካከል አለ፣ እኛ ያስፈልገናል ብለን ሳይሆን በአምራች ሂደቱ ውስንነት። የፓራሲቲክ አቅም መኖሩ የአሽከርካሪዎች ወረዳን ሲነድፍ ወይም ሲመርጥ የበለጠ አስቸጋሪ ያደርገዋል, ነገር ግን ሊወገድ አይችልም.

 

ዋና መለኪያዎች የMOSFET

1, ክፍት ቮልቴጅ VT

ክፍት ቮልቴጅ (በተጨማሪም ደፍ ቮልቴጅ በመባል ይታወቃል): ስለዚህ በር ቮልቴጅ ምንጭ S እና የፍሳሽ D መካከል conductive ሰርጥ ከመመሥረት ለመጀመር ያስፈልጋል; መደበኛ N-channel MOSFET, VT ስለ 3 ~ 6V; በሂደት ማሻሻያዎች የ MOSFET VT ዋጋ ወደ 2 ~ 3V ሊቀንስ ይችላል።

 

2, የዲሲ ግቤት መቋቋም RGS

በበር ምንጭ ምሰሶ እና በበር ጅረት መካከል የተጨመረው የቮልቴጅ ሬሾ ይህ ባህሪ አንዳንድ ጊዜ በበሩ ውስጥ በሚፈሰው የበር ፍሰት ይገለጻል, የ MOSFET RGS በቀላሉ ከ 1010Ω ሊበልጥ ይችላል.

 

3. የፍሳሽ ምንጭ ብልሽት BVDS ቮልቴጅ.

በ VGS = 0 (የተሻሻለ) ሁኔታ የፍሳሽ-ምንጭ ቮልቴጅን በመጨመር ሂደት ውስጥ መታወቂያው በከፍተኛ ሁኔታ ይጨምራል VDS የፍሳሽ ማስወገጃ ቮልቴጅ BVDS ይባላል, መታወቂያ በሁለት ምክንያቶች በከፍተኛ ሁኔታ ይጨምራል. በፍሳሹ አቅራቢያ ያለው የመሟጠጥ ንጣፍ መበላሸት ፣ (2) በፍሳሹ እና በምንጭ ምሰሶዎች መካከል የመግባት ብልሽት ፣ አንዳንድ MOSFETs ፣ አጭር ቦይ ርዝመት ያላቸው ፣ በፍሳሹ ክልል ውስጥ ያለው የፍሳሽ ንጣፍ ወደ ምንጭ ክልል እንዲሰፋ ቪዲኤስን ይጨምራሉ። የሰርጡ ርዝመት ዜሮ ነው ፣ ማለትም ፣ የፍሳሽ-ምንጭ ዘልቆ ለማምረት ፣ ዘልቆ መግባት ፣ በመነሻ ክልል ውስጥ ያሉ አብዛኛዎቹ ተሸካሚዎች በቀጥታ በመጥፋቱ ንብርብር የኤሌክትሪክ መስክ ወደ ፍሳሽ ክልል ይሳባሉ ፣ በዚህም ምክንያት ትልቅ መታወቂያ ያስገኛል .

 

4, በር ምንጭ መፈራረስ ቮልቴጅ BVGS

የጌት ቮልቴጅ ሲጨምር, IG ከዜሮ ሲጨምር VGS የበር ምንጭ መበላሸት ቮልቴጅ BVGS ይባላል.

 

5,ዝቅተኛ ድግግሞሽ transconductance

ቪዲኤስ ቋሚ እሴት ሲሆን የውሃ ፍሳሽ ፍሰት ማይክሮቫሪየሽን ለውጡን የሚያመጣው የበሩን ምንጭ ቮልቴጅ ማይክሮቫሪሽን ሬሾ (transconductance) ተብሎ የሚጠራ ሲሆን ይህም የፍሳሹን ፍሰት ለመቆጣጠር ያለውን አቅም የሚያንፀባርቅ ሲሆን ይህም የማጉላት ችሎታን የሚገልጽ አስፈላጊ ግቤትMOSFET.

 

6, በተቃውሞ ላይ RON

ላይ-የመቋቋም RON መታወቂያ ላይ VDS ውጤት ያሳያል, በአንድ የተወሰነ ነጥብ ላይ የፍሳሽ ባህሪያት ታንጀንት መስመር ተዳፋት ተገላቢጦሽ ነው, ሙሌት ክልል ውስጥ መታወቂያ ማለት ይቻላል VDS ጋር አይለወጥም, RON በጣም ትልቅ ነው. ዋጋ, በአጠቃላይ በአስር ኪሎ-Ohms ወደ በመቶዎች ኪሎ-Ohms, ምክንያቱም ዲጂታል ወረዳዎች ውስጥ MOSFETs ብዙውን ጊዜ conductive VDS = 0 ሁኔታ ውስጥ ይሰራሉ, ስለዚህ በዚህ ነጥብ ላይ, ላይ-የመቋቋም RON በ በግምት ሊሆን ይችላል. የ RON አመጣጥ ወደ ግምታዊ፣ ለአጠቃላይ MOSFET፣ RON ዋጋ በጥቂት መቶ ohms ውስጥ።

 

7, inter-polar capacitance

ኢንተርፖላር አቅም በሦስቱ ኤሌክትሮዶች መካከል አለ፡- በር ምንጭ capacitance CGS, በር የፍሳሽ capacitance CGD እና የፍሳሽ ምንጭ capacitance CDS-CGS እና CGD ገደማ 1 ~ 3pF ነው, CDS ገደማ 0.1 ~ 1pF ነው.

 

8,ዝቅተኛ ድግግሞሽ ጫጫታ ምክንያት

ጫጫታ የሚከሰተው በቧንቧው ውስጥ ባሉ ተሸካሚዎች እንቅስቃሴ ውስጥ ባሉ ጥሰቶች ምክንያት ነው። በመገኘቱ ምክንያት, በማጉያው በኩል ምንም ምልክት ባይኖርም, መደበኛ ያልሆነ የቮልቴጅ ወይም የአሁኑ ልዩነቶች በውጤቱ ላይ ይከሰታሉ. የጩኸት አፈፃፀም ብዙውን ጊዜ የሚገለጸው በድምጽ ምክንያት ኤን.ኤፍ. ክፍሉ ዲሲብል (ዲቢ) ነው። እሴቱ ባነሰ መጠን ቱቦው የሚፈጠረው ጫጫታ ይቀንሳል። ዝቅተኛ-ድግግሞሽ ጫጫታ በዝቅተኛ ድግግሞሽ ክልል ውስጥ የሚለካው የድምፅ መጠን ነው። የመስክ ውጤት ቱቦ የድምጽ ሁኔታ ጥቂት ዲቢቢ ያህል ነው፣ ከቢፖላር ትሪዮድ ያነሰ።