እንደ ኤለመንቶች መቀያየር፣ MOSFET እና IGBT ብዙ ጊዜ በኤሌክትሮኒክስ ሰርኮች ውስጥ ይታያሉ።እንዲሁም በመልክ እና በባህሪያዊ መመዘኛዎች ተመሳሳይ ናቸው.ብዙ ሰዎች ለምን አንዳንድ ወረዳዎች MOSFET መጠቀም እንደሚያስፈልጋቸው፣ ሌሎች ደግሞ እንደሚፈልጉ ይገረማሉ ብዬ አምናለሁ።IGBT?
በመካከላቸው ያለው ልዩነት ምንድን ነው?በመቀጠል፣ኦሉኪጥያቄዎችዎን ይመልሳል!
ምንድን ነው ሀMOSFET?
MOSFET፣ ሙሉው የቻይና ስም የብረት-ኦክሳይድ ሴሚኮንዳክተር የመስክ ውጤት ትራንዚስተር ነው።የዚህ የሜዳ ውጤት ትራንዚስተር በር በንጥልጥል ሽፋን የተገለለ ስለሆነ ኢንሱሌድ ጌት መስክ ውጤት ትራንዚስተር ተብሎም ይጠራል።MOSFET በሁለት ዓይነቶች ሊከፈል ይችላል-"N-type" እና "P-type" በ "ቻናል" (የስራ አቅራቢው) ፖላሪቲ መሰረት, በተለምዶ N MOSFET እና P MOSFET ይባላሉ.
MOSFET ራሱ የራሱ ጥገኛ ዳይኦድ አለው፣ ይህም VDD ከቮልቴጅ በላይ በሚሆንበት ጊዜ MOSFET እንዳይቃጠል ለመከላከል ይጠቅማል።ምክንያቱም ከመጠን በላይ መጨናነቅ በ MOSFET ላይ ጉዳት ከማድረስ በፊት ዳይኦዱ በተቃራኒው ተበላሽቶ ትልቁን ጅረት ወደ መሬት በማምራት MOSFET እንዳይቃጠል ይከላከላል።
IGBT ምንድን ነው?
IGBT (የተሸፈነ በር ባይፖላር ትራንዚስተር) ከትራንዚስተር እና ከ MOSFET የተዋቀረ ሴሚኮንዳክተር መሳሪያ ነው።
የ IGBT የወረዳ ምልክቶች ገና አንድ አይደሉም።የመርሃግብር ስዕላዊ መግለጫውን በሚስሉበት ጊዜ የሶስትዮድ እና MOSFET ምልክቶች በአጠቃላይ ተበድረዋል።በዚህ ጊዜ IGBT ወይም MOSFET በሥዕላዊ መግለጫው ላይ ምልክት ከተደረገበት ሞዴል መወሰን ይችላሉ።
በተመሳሳይ ጊዜ, IGBT የሰውነት ዳይኦድ መኖሩን ወይም አለመሆኑን ትኩረት መስጠት አለብዎት.በሥዕሉ ላይ ምልክት ካልተደረገ, የለም ማለት አይደለም.ይፋዊው መረጃ ተቃራኒውን ካልገለጸ በቀር ይህ ዲዮድ አለ።በ IGBT ውስጥ ያለው የሰውነት ዳይኦድ ጥገኛ አይደለም፣ ነገር ግን በተለይ የ IGBT ተገላቢጦሽ የመቋቋም ቮልቴጅን ለመጠበቅ የተቋቋመ ነው።በተጨማሪም FWD (freewheeling diode) ተብሎም ይጠራል.
የሁለቱም ውስጣዊ መዋቅር የተለያየ ነው
የ MOSFET ሦስቱ ምሰሶዎች ምንጭ (ኤስ)፣ ፍሳሽ (ዲ) እና በር (ጂ) ናቸው።
ሦስቱ የ IGBT ምሰሶዎች ሰብሳቢ (C)፣ emitter (E) እና በር (ጂ) ናቸው።
IGBT የሚገነባው በ MOSFET ፍሳሽ ላይ ተጨማሪ ንብርብር በመጨመር ነው።የእነሱ ውስጣዊ መዋቅር እንደሚከተለው ነው.
የሁለቱ የማመልከቻ መስኮች የተለያዩ ናቸው።
የ MOSFET እና IGBT ውስጣዊ አወቃቀሮች የተለያዩ ናቸው, ይህም የመተግበሪያ መስኮቻቸውን ይወስናል.
በ MOSFET አወቃቀሩ ምክንያት, አብዛኛውን ጊዜ ትልቅ ጅረት ሊደርስ ይችላል, ይህም KA ሊደርስ ይችላል, ነገር ግን ቅድመ ሁኔታው የቮልቴጅ የመቋቋም አቅም እንደ IGBT ጠንካራ አይደለም.ዋናዎቹ የትግበራ ቦታዎች የኃይል አቅርቦቶችን ፣ ballasts ፣ ከፍተኛ-ድግግሞሽ ኢንዳክሽን ማሞቂያ ፣ ከፍተኛ-ድግግሞሽ ኢንቮርተር ብየዳ ማሽኖች ፣ የግንኙነት ኃይል አቅርቦቶች እና ሌሎች ከፍተኛ-ድግግሞሽ የኃይል አቅርቦት መስኮች ናቸው ።
IGBT ብዙ ሃይል፣ አሁኑን እና ቮልቴጅ ሊያመጣ ይችላል፣ ነገር ግን ድግግሞሹ በጣም ከፍተኛ አይደለም።በአሁኑ ጊዜ የ IGBT ጠንካራ የመቀየሪያ ፍጥነት 100KHZ ሊደርስ ይችላል.IGBT በብየዳ ማሽኖች, inverters, ፍሪኩዌንሲ converters, electroplating electrolytic ኃይል አቅርቦቶች, ለአልትራሳውንድ induction ማሞቂያ እና ሌሎች መስኮች ውስጥ በስፋት ጥቅም ላይ ይውላል.
የ MOSFET እና IGBT ዋና ባህሪያት
MOSFET ከፍተኛ የግብአት እክል, ፈጣን የመቀያየር ፍጥነት, ጥሩ የሙቀት መረጋጋት, የቮልቴጅ ቁጥጥር ወቅታዊ, ወዘተ ባህሪያት አለው, በወረዳው ውስጥ እንደ ማጉያ, ኤሌክትሮኒካዊ ማብሪያ እና ሌሎች ዓላማዎች ሊያገለግል ይችላል.
እንደ አዲስ የኤሌክትሮኒክስ ሴሚኮንዳክተር መሳሪያ IGBT የከፍተኛ የግብአት መጨናነቅ፣ ዝቅተኛ የቮልቴጅ ቁጥጥር የኃይል ፍጆታ፣ ቀላል የመቆጣጠሪያ ዑደት፣ ከፍተኛ የቮልቴጅ መቋቋም እና ትልቅ ወቅታዊ መቻቻል ያለው ሲሆን በተለያዩ የኤሌክትሮኒክስ ወረዳዎች ውስጥ በስፋት ጥቅም ላይ ውሏል።
የ IGBT ተስማሚ ተመጣጣኝ ዑደት ከዚህ በታች ባለው ስእል ይታያል.IGBT በእውነቱ የ MOSFET እና ትራንዚስተር ጥምረት ነው።MOSFET ከፍተኛ ተቃውሞ አለው፣ግን IGBT ይህንን ጉድለት አሸንፏል።IGBT አሁንም በከፍተኛ ቮልቴጅ ዝቅተኛ የመቋቋም ችሎታ አለው።.
በአጠቃላይ የ MOSFET ጠቀሜታ ጥሩ የከፍተኛ ድግግሞሽ ባህሪያት ያለው እና በመቶዎች kHz ድግግሞሽ እና እስከ MHz ድረስ መስራት ይችላል.ጉዳቱ በተቃውሞው ላይ ያለው ትልቅ እና የኃይል ፍጆታ በከፍተኛ-ቮልቴጅ እና ከፍተኛ ወቅታዊ ሁኔታዎች ውስጥ ትልቅ ነው.IGBT በአነስተኛ ድግግሞሽ እና ከፍተኛ የኃይል ሁኔታዎች ውስጥ, በትንሽ የመቋቋም እና ከፍተኛ የመቋቋም ቮልቴጅ ጥሩ ይሰራል.
MOSFET ወይም IGBT ን ይምረጡ
በወረዳው ውስጥ MOSFETን እንደ ሃይል መቀየሪያ ቱቦ ወይም አይጂቢቲ መምረጥ መሐንዲሶች ብዙ ጊዜ የሚያጋጥሙት ጥያቄ ነው።እንደ የስርዓቱ የቮልቴጅ፣ የአሁን እና የመቀየሪያ ሃይል ያሉ ሁኔታዎች ከግምት ውስጥ ከገቡ የሚከተሉትን ነጥቦች ማጠቃለል ይቻላል።
ሰዎች ብዙውን ጊዜ "MOSFET ወይም IGBT የተሻለ ነው?"እንደ እውነቱ ከሆነ በሁለቱ መካከል ጥሩ ወይም መጥፎ ልዩነት የለም.በጣም አስፈላጊው ነገር ትክክለኛውን መተግበሪያ ማየት ነው.
በ MOSFET እና IGBT መካከል ስላለው ልዩነት አሁንም ጥያቄዎች ካሉዎት ለዝርዝሮች ኦሉኪን ማግኘት ይችላሉ።
ኦሉኪ በዋናነት የWINSOK መካከለኛ እና ዝቅተኛ ቮልቴጅ MOSFET ምርቶችን ያሰራጫል።ምርቶች በወታደራዊ ኢንዱስትሪ፣ በኤልዲ/ኤልሲዲ የአሽከርካሪ ሰሌዳዎች፣ በሞተር ሾፌር ቦርዶች፣ በፍጥነት መሙላት፣ በኤሌክትሮኒክስ ሲጋራዎች፣ በኤልሲዲ ማሳያዎች፣ በሃይል አቅርቦቶች፣ በትንሽ የቤት እቃዎች፣ በህክምና ምርቶች እና በብሉቱዝ ምርቶች በስፋት ጥቅም ላይ ይውላሉ።የኤሌክትሮኒክስ ሚዛኖች፣ የተሸከርካሪ ኤሌክትሮኒክስ፣ የኔትወርክ ምርቶች፣ የቤት እቃዎች፣ የኮምፒውተር ተጓዳኝ እቃዎች እና የተለያዩ ዲጂታል ምርቶች።
የልጥፍ ሰዓት፡- ዲሴምበር-18-2023
