Triode እና MOSFETን በሚመርጡበት ጊዜ ለየትኞቹ መለኪያዎች ትኩረት መስጠት አለብኝ?

የኤሌክትሮኒካዊ ክፍሎች የኤሌክትሪክ መለኪያዎች አሏቸው, እና የኤሌክትሮኒካዊ አካላትን መረጋጋት እና የረጅም ጊዜ አሠራር ለማረጋገጥ አይነት በሚመርጡበት ጊዜ ለኤሌክትሮኒካዊ አካላት በቂ ህዳግ መተው አስፈላጊ ነው. በመቀጠል የTriode እና MOSFET ምርጫ ዘዴን በአጭሩ ያስተዋውቁ።

ትሪዮድ ፍሰትን የሚቆጣጠር መሳሪያ ነው ፣ MOSFET በቮልቴጅ ቁጥጥር የሚደረግበት መሳሪያ ነው ፣ በሁለቱ መካከል ተመሳሳይነት አለ ፣ የቮልቴጅ መቋቋምን ፣ የአሁኑን እና ሌሎች መለኪያዎችን ግምት ውስጥ ማስገባት ያስፈልጋል ።

 

1, ከፍተኛውን የመቋቋም ቮልቴጅ ምርጫ መሰረት

Triode ሰብሳቢ C እና emitter E በፓራሜትር V (BR) ዋና ሥራ አስፈፃሚ መካከል ከፍተኛውን የቮልቴጅ መቋቋም ይችላሉ, በሚሠራበት ጊዜ በ CE መካከል ያለው ቮልቴጅ ከተጠቀሰው እሴት መብለጥ የለበትም, አለበለዚያ Triode በቋሚነት ይጎዳል.

ከፍተኛው የቮልቴጅ መጠን በ MOSFET ፍሳሽ D እና በ MOSFET ምንጭ S መካከልም አለ፣ እና በሚሠራበት ጊዜ በዲኤስ ውስጥ ያለው ቮልቴጅ ከተጠቀሰው እሴት መብለጥ የለበትም። በአጠቃላይ የቮልቴጅ ዋጋን ይቋቋማልMOSFETከ Triode በጣም ከፍ ያለ ነው.

 

2, ከፍተኛው overcurrent ችሎታ

ትሪኦድ የICM መለኪያ አለው፣ ማለትም ሰብሳቢው ከመጠን በላይ የመጨናነቅ አቅም አለው፣ እና የMOSFET ከመጠን ያለፈ አቅም በመታወቂያው ይገለጻል። አሁን ያለው አሠራር በTriode/MOSFET በኩል የሚፈሰው አሁኑ ከተጠቀሰው ዋጋ መብለጥ አይችልም፣ አለበለዚያ መሳሪያው ይቃጠላል።

የአሠራር መረጋጋትን ግምት ውስጥ በማስገባት ከ 30% -50% ወይም ከዚያ በላይ የሆነ ህዳግ በአጠቃላይ ይፈቀዳል.

3,የአሠራር ሙቀት

የንግድ ደረጃ ቺፕስ: አጠቃላይ ከ 0 እስከ +70 ℃;

የኢንዱስትሪ ደረጃ ቺፕስ: አጠቃላይ ከ -40 እስከ +85 ℃;

የውትድርና ደረጃ ቺፕስ: አጠቃላይ ከ -55 ℃ እስከ +150 ℃;

MOSFET በሚመርጡበት ጊዜ በምርቱ አጠቃቀም ወቅት ተገቢውን ቺፕ ይምረጡ።

 

4, በመቀያየር ድግግሞሽ ምርጫ መሰረት

ሁለቱም Triode እናMOSFETየመቀያየር ድግግሞሽ/የምላሽ ጊዜ መለኪያዎች አሏቸው። በከፍተኛ-ድግግሞሽ ወረዳዎች ውስጥ ጥቅም ላይ ከዋለ, የመቀየሪያ ቱቦው ምላሽ ጊዜ የአጠቃቀም ሁኔታዎችን ለማሟላት ግምት ውስጥ መግባት አለበት.

 

5,ሌሎች የምርጫ ሁኔታዎች

ለምሳሌ፣ የ MOSFET የተቃውሞ ላይ ሮን መለኪያ፣ የ VTH ማብራት ቮልቴጅMOSFETወዘተ.

 

በMOSFET ምርጫ ውስጥ ያለ ማንኛውም ሰው፣ ለመምረጥ ከላይ ያሉትን ነጥቦች ማጣመር ይችላሉ።