የ MOSFETን የስራ መርህ ይረዱ እና የኤሌክትሮኒክስ ክፍሎችን በብቃት ይተግብሩ

የ MOSFET በር-ምንጭ ቮልቴጅ (VGS) ዜሮ ሲሆን, የፍሳሽ-ምንጭ ቮልቴጅ (VDS) መተግበርም ቢሆን, ሁልጊዜ የፒኤን መጋጠሚያ በግልባጭ አድልዎ ውስጥ ይኖራል, በዚህም ምክንያት በመካከላቸው ምንም conductive ሰርጥ (እና ምንም የአሁኑ) የለም. የ MOSFET ፍሳሽ እና ምንጭ. በዚህ ሁኔታ የ MOSFET የፍሳሽ ፍሰት (መታወቂያ) ዜሮ ነው። በበሩ እና በምንጩ (VGS> 0) መካከል አዎንታዊ ቮልቴጅን መተግበር በ MOSFET በር እና በሲሊኮን ንጣፍ መካከል ባለው የ SiO2 መከላከያ ንብርብር ውስጥ ከበሩ ወደ ፒ-አይነት የሲሊኮን ንጣፍ አቅጣጫ የሚመራ የኤሌክትሪክ መስክ ይፈጥራል። የኦክሳይድ ንብርብር መከላከያ ከመሆኑ አንጻር በበሩ ላይ የሚተገበረው ቮልቴጅ VGS በ MOSFET ውስጥ አሁኑን ማመንጨት አይችልም. በምትኩ, በኦክሳይድ ንብርብር ላይ capacitor ይፈጥራል.

ቪጂኤስ ቀስ በቀስ እየጨመረ ሲሄድ, capacitor ይሞላል, የኤሌክትሪክ መስክ ይፈጥራል. በበሩ ላይ ባለው አዎንታዊ የቮልቴጅ መጠን በመሳብ ብዙ ኤሌክትሮኖች በ capacitor በሌላኛው በኩል ይከማቻሉ, ይህም በ MOSFET ውስጥ ካለው ፍሳሽ ወደ ምንጭ የ N-type conductive channel ይፈጥራል. VGS ከመነሻው ቮልቴጅ VT (በተለምዶ በ 2 ቮ አካባቢ) ሲያልፍ፣ የ MOSFET N-channel ያካሂዳል፣ የፍሳሽ የአሁኑ መታወቂያ ፍሰት ይጀምራል። ሰርጡ መፈጠር የሚጀምርበት የጌት-ምንጭ ቮልቴጅ እንደ ደፍ ቮልቴጅ VT ይባላል. የ VGS መጠንን በመቆጣጠር እና በኤሌክትሪክ መስክ ፣ በ MOSFET ውስጥ ያለው የፍሳሽ የአሁኑ መታወቂያ መጠን ሊስተካከል ይችላል።