የታሸገው MOSFET ሶስት ፒን ጂ፣ ኤስ እና ዲ ምን ማለት ነው?

የፍርድ በር ጂ

የ MOS ሾፌር በዋነኝነት የሚጫወተው የሞገድ ቅርፅን የመቅረጽ እና የመንዳት ማጎልበት ሚና ነው፡ የጂ ሲግናል ሞገድ ቅርፅ ከሆነMOSFETበቂ ቁልቁል አይደለም, በመቀያየር ደረጃ ላይ ከፍተኛ መጠን ያለው የኃይል ኪሳራ ያስከትላል. የእሱ የጎንዮሽ ጉዳት የወረዳውን የመቀየሪያ ቅልጥፍናን ለመቀነስ ነው. MOSFET ኃይለኛ ትኩሳት ይኖረዋል እና በቀላሉ በሙቀት ይጎዳል። በ MOSFETGS መካከል የተወሰነ አቅም አለ። የጂ ሲግናል የማሽከርከር ችሎታ በቂ ካልሆነ፣ የሞገድ ቅርጽ ዝላይ ጊዜን በእጅጉ ይጎዳል።

የጂ ኤስ ፖል አጭር ዙር፣ የመልቲሜትሩን የ R × 1 ደረጃ ይምረጡ፣ የጥቁር ሙከራ መሪውን ከኤስ ፖል ጋር ያገናኙ እና የቀይ ሙከራው መሪ ወደ D ምሰሶ። ተቃውሞው ጥቂት Ω ከአስር Ω በላይ መሆን አለበት። የአንድ የተወሰነ ፒን እና የሁለቱ ፒን መቋቋሚያ ገደብ የለሽ ሆኖ ከተገኘ እና የሙከራ መሪዎችን ከተለዋወጡ በኋላ ማለቂያ የሌለው ሆኖ ከተገኘ ይህ ፒን የጂ ዋልታ መሆኑ ይረጋገጣል ምክንያቱም ከሌሎቹ ሁለት ፒኖች የተከለለ ነው ።

ምንጩን ይወስኑ እና D ን ያፍሱ

መልቲሜትሩን ወደ R × 1k ያቀናብሩ እና በሶስቱ ፒን መካከል ያለውን ተቃውሞ ይለኩ። ተቃውሞውን ሁለት ጊዜ ለመለካት የልውውጥ ሙከራ መሪ ዘዴን ይጠቀሙ። ዝቅተኛ የመከላከያ እሴት ያለው (በአጠቃላይ ከጥቂት ሺህ Ω እስከ አስር ሺህ Ω) ወደ ፊት መቃወም ነው። በዚህ ጊዜ ጥቁር የፈተና እርሳስ S ምሰሶ እና ቀይ የፈተና እርሳስ ከዲ ፖል ጋር የተገናኘ ነው. በተለያዩ የፍተሻ ሁኔታዎች ምክንያት የሚለካው RDS(በ) ዋጋ በመመሪያው ውስጥ ከተሰጠው የተለመደ እሴት ይበልጣል።

ስለMOSFET

ትራንዚስተር N-type ቻናል ስላለው N-channel ይባላልMOSFET, ወይምNMOS. P-channel MOS (PMOS) FET እንዲሁ አለ፣ እሱም PMOSFET ከቀላል ዶፔድ N-type BACKGATE እና P-አይነት ምንጭ እና ፍሳሽ ያቀፈ ነው።

የ N-type ወይም P-type MOSFET ምንም ይሁን ምን, የስራ መርሆው በመሠረቱ ተመሳሳይ ነው. MOSFET በውጤቱ ተርሚናል ፍሳሽ ላይ ያለውን የአሁኑን ቮልቴጅ በመግቢያው ተርሚናል በር ላይ በተተገበረው ቮልቴጅ ይቆጣጠራል. MOSFET በቮልቴጅ የሚቆጣጠር መሳሪያ ነው። በበሩ ላይ በተተገበረው ቮልቴጅ አማካኝነት የመሳሪያውን ባህሪያት ይቆጣጠራል. ትራንዚስተር ለመቀያየር ጥቅም ላይ በሚውልበት ጊዜ በመሠረታዊ ጅረት ምክንያት የሚፈጠረውን የኃይል መሙያ ማከማቻ ውጤት አያስከትልም። ስለዚህ መተግበሪያዎችን በመቀየር ላይMOSFETsከትራንዚስተሮች በበለጠ ፍጥነት መቀያየር አለበት።

ኤፍኢቲ ስሙን ያገኘው ግብአቱ (ጌት ተብሎ የሚጠራው) የኤሌክትሪክ መስክን ወደ ኢንሱሌቲንግ ንብርብር በማውጣት ትራንዚስተር በኩል የሚፈሰውን ፍሰት ስለሚነካ ነው። በእርግጥ በዚህ ኢንሱሌተር ውስጥ ምንም አይነት ጅረት አይፈስም ስለዚህ የFET ቱቦው የ GATE ጅረት በጣም ትንሽ ነው።

በጣም የተለመደው FET ቀጭን የሲሊኮን ዳይኦክሳይድ ሽፋን በ GATE ስር እንደ ኢንሱሌተር ይጠቀማል።

ይህ ዓይነቱ ትራንዚስተር የብረት ኦክሳይድ ሴሚኮንዳክተር (MOS) ትራንዚስተር ወይም፣ የብረት ኦክሳይድ ሴሚኮንዳክተር መስክ ውጤት ትራንዚስተር (MOSFET) ይባላል። MOSFETs ያነሱ እና የበለጠ ኃይል ቆጣቢ በመሆናቸው በብዙ አፕሊኬሽኖች ውስጥ ባይፖላር ትራንዚስተሮችን ተክተዋል።