የ MOSFET አሠራር መርህ ምንድን ነው?

MOSFET (FieldEffect ትራንዚስተር ምህጻረ ቃል (FET)) ርዕስMOSFET. በሙቀት ማስተላለፊያ (thermal conductivity) ውስጥ ለመሳተፍ በትንንሽ ተሸካሚዎች, እንዲሁም ባለብዙ-ፖል መገናኛ ትራንዚስተር በመባል ይታወቃል. በቮልቴጅ ቁጥጥር የሚደረግበት ከፊል-ሱፐርኮንዳክተር መሣሪያ ተከፋፍሏል. አሁን ያለው የውጤት መቋቋም ከፍተኛ ነው (10 ^ 8 ~ 10 ^ 9 Ω), ዝቅተኛ ጫጫታ, ዝቅተኛ የኃይል ፍጆታ, የማይንቀሳቀስ ክልል, ለማዋሃድ ቀላል, ሁለተኛ የብልሽት ክስተት የለም, የሰፊው ባህር የኢንሹራንስ ተግባር እና ሌሎች ጥቅሞች, አሁን ተለውጧል. የጠንካራ ተባባሪዎች ባይፖላር መገናኛ ትራንዚስተር እና የኃይል መገናኛ ትራንዚስተር።

MOSFET ባህሪያት

መጀመሪያ: MOSFET የቮልቴጅ ማስተር መሳሪያ ነው, እሱ በ VGS (የበር ምንጭ ቮልቴጅ) በኩል ወደ ዋና መታወቂያ (ማፍሰሻ ዲሲ);

ሁለተኛ፥MOSFETየውጤት ዲሲ በጣም ትንሽ ነው, ስለዚህ የውጤት መከላከያው በጣም ትልቅ ነው.

ሶስት: ሙቀትን ለመምራት ጥቂት ተሸካሚዎችን ይተገብራል, እና በዚህም የተሻለ የመረጋጋት መለኪያ አለው;

አራት: ይህ ትራንዚስተር ያነሰ መሆን አነስተኛ Coefficients መካከል የኤሌክትሪክ ቅነሳ መንገድ የተቀነሰ መንገድ ያካተተ ነው;

አምስተኛ: MOSFET ፀረ-ጨረር ኃይል;

ስድስት፡- ምክንያቱም በተበታተኑ የጩኸት ቅንጣቶች ምክንያት የአናሳዎች መበታተን የተሳሳተ እንቅስቃሴ ስለሌለ፣ ምክንያቱም ጩኸቱ ዝቅተኛ ነው።

MOSFET ተግባር መርህ

MOSFETተግባር መርህ በአንድ ዓረፍተ ነገር ውስጥ, ማለትም, "ማፍሰስ - ምንጭ መታወቂያ ለመቆጣጠር በግልባጭ አድሏዊ electrode ቮልቴጅ ወደ ተገንብቷል pn መካከል ያለውን ሰርጥ, መታወቂያ መካከል ያለውን ሰርጥ በኩል መራመድ". ይበልጥ በትክክል, የወረዳ በመላ መታወቂያ ያለውን amplitude, ማለትም, ሰርጥ መስቀል-ክፍል አካባቢ, ይህ pn መጋጠሚያ አጸፋዊ አድሏዊ ልዩነት በማድረግ ነው, መመናመን ንብርብር መከሰታቸው ምክንያት ጌትነት ያለውን ልዩነት ለማስፋት. ባልጠገበው የ VGS=0 ባህር ውስጥ የተመለከተው የሽግግር ንብርብር መስፋፋት በጣም ትልቅ አይደለም ምክንያቱም በፍሳሽ-ምንጭ መካከል በተጨመረው የቪዲኤስ መግነጢሳዊ መስክ መሰረት ከምንጩ ባህር ውስጥ ያሉ አንዳንድ ኤሌክትሮኖች በፍሳሹ ይወሰዳሉ። ማለትም ከውኃ ማፍሰሻ ወደ ምንጩ የዲሲ መታወቂያ እንቅስቃሴ አለ። ከበሩ ወደ ፍሳሽ ማስወገጃው የሚዘረጋው መጠነኛ ንብርብር የጣቢያው ሙሉ አካል መታወቂያ ሙሉ የመዘጋት አይነት ይሆናል። ይህንን ንድፍ እንደ መቆንጠጥ ይመልከቱ። ይህ የሚያመለክተው የመሸጋገሪያው ንብርብር ሙሉውን ሰርጡን የሚያደናቅፍ ነው, እና ዲሲው መቆራረጡ አይደለም.

በሽግግር ንብርብር ውስጥ, ኤሌክትሮኖች እና ቀዳዳዎች ምንም ራስን መንቀሳቀስ የለም ምክንያቱም, አጠቃላይ ዲሲ የአሁኑ ሕልውና የማያስተላልፍና ባህሪያት እውነተኛ ቅጽ ውስጥ ለመንቀሳቀስ አስቸጋሪ ነው. ይሁን እንጂ በፍሳሹ መካከል ያለው መግነጢሳዊ መስክ - ምንጭ, በተግባር, ሁለቱ የሽግግር ንብርብር ግንኙነት ፍሳሽ እና የበር ምሰሶ በግራ በኩል ዝቅተኛ, ምክንያቱም ተንሳፋፊው መግነጢሳዊ መስክ ከፍተኛ ፍጥነት ያለው ኤሌክትሮኖችን በሽግግር ንብርብር ውስጥ ስለሚጎትት ነው. ምክንያቱም የተንሸራታች መግነጢሳዊ መስክ ጥንካሬ በቀላሉ የመታወቂያውን ሙሉነት አይለውጠውም። በሁለተኛ ደረጃ, VGS ወደ አሉታዊ አቀማመጥ ይለወጣል, ስለዚህ VGS = VGS (ጠፍቷል), ከዚያም የሽግግሩ ሽፋን በአጠቃላይ ባሕሩን የሚሸፍነውን ቅርጽ ይለውጣል. እና የቪዲኤስ መግነጢሳዊ መስክ በአብዛኛው ወደ ሽግግር ንብርብር ተጨምሯል ፣ ኤሌክትሮኑን ወደ ተንሸራታች ቦታ የሚጎትተው መግነጢሳዊ መስክ ፣ እስከ በጣም አጭር ሁሉም ምንጭ ምሰሶ እስከ ቅርብ ድረስ ፣ ይህም የዲሲ ኃይል እንዳይሆን የበለጠ ነው ። መቆም የሚችል።