አነስተኛ የቮልቴጅ MOSFETs ሚና ምንድን ነው?

ብዙ ዓይነት ዝርያዎች አሉMOSFETs, በዋናነት መጋጠሚያ MOSFETs እና insulated በር MOSFETs ሁለት ምድቦች የተከፋፈለ, እና ሁሉም N-ቻናል እና P-channel ነጥቦች አላቸው.

ብረታ-ኦክሳይድ-ሴሚኮንዳክተር የመስክ-ኢፌክት ትራንዚስተር፣ MOSFET በመባል የሚታወቀው፣ በመሟሟት ዓይነት MOSFET እና የማጎልበቻ ዓይነት MOSFET የተከፋፈለ ነው።

MOSFETs እንዲሁ በነጠላ በር እና ባለሁለት በር ቱቦዎች ተከፍለዋል። ባለሁለት በር MOSFET ሁለት ገለልተኛ በር G1 እና G2 አለው ፣ ከተገናኙት ሁለት ነጠላ-በር MOSFETs ጋር እኩል ነው ፣ እና የውጤቱ ጅረት የሚለወጠው በሁለቱ በር የቮልቴጅ ቁጥጥር ነው። ይህ የባለሁለት-በር MOSFETs ባህሪ እንደ ከፍተኛ ድግግሞሽ ማጉያዎች ፣ የቁጥጥር ማጉያዎች ፣ ማደባለቅ እና ዲሞዱላተሮች ጥቅም ላይ ሲውል ትልቅ ምቾት ያመጣል።

1, MOSFETዓይነት እና መዋቅር

MOSFET የFET አይነት ነው (ሌላኛው JFET ነው)፣ በተሻሻለ ወይም በመቀነስ አይነት፣ P-channel ወይም N-channel በአጠቃላይ አራት አይነት ሊመረት ይችላል፣ነገር ግን የተሻሻለ N-channel MOSFET እና የተሻሻለ P- MOSFET ቻናል፣ በተለምዶ NMOS ተብሎ የሚጠራው፣ ወይም PMOS የሚያመለክተው እነዚህን ሁለት ዓይነቶች ነው። ለምንድነው የመቀነስ አይነት MOSFET ን ለምን አትጠቀሙም, ለዋናው መንስኤ ፍለጋን አይመክሩ. ሁለቱን የተሻሻሉ MOSFET ዎች በተመለከተ፣ በብዛት ጥቅም ላይ የዋለው NMOS ነው፣ ምክንያቱ ደግሞ በተቃውሞው ላይ ያለው አነስተኛ እና ለማምረት ቀላል ነው። ስለዚህ የኃይል አቅርቦትን እና የሞተር ድራይቭ አፕሊኬሽኖችን መቀየር፣ በአጠቃላይ NMOSን ይጠቀሙ። የሚከተለው ጥቅስ፣ ግን ደግሞ በ NMOS ላይ የተመሠረተ። ሶስት የ MOSFET ጥገኛ አቅም በሦስቱ ፒን መካከል አለ ፣ ይህም የእኛ ፍላጎት አይደለም ፣ ግን በአምራች ሂደት ውስንነት። አንዳንድ ጊዜ ለመቆጠብ ድራይቭ የወረዳ ንድፍ ወይም ምርጫ ውስጥ ጥገኛ capacitance መኖር, ነገር ግን ለማስወገድ ምንም መንገድ የለም, ከዚያም ዝርዝር መግቢያ. በ MOSFET የመርሃግብር ዲያግራም ውስጥ የውሃ ፍሳሽ እና ምንጭ በፓራሲቲክ ዳዮድ መካከል ይታያል. ይህ የሰውነት ዳዮድ ተብሎ ይጠራል, ምክንያታዊ ሸክሞችን በማሽከርከር, ይህ ዲዮድ በጣም አስፈላጊ ነው. በነገራችን ላይ የሰውነት ዳይኦድ በአንድ MOSFET ውስጥ ብቻ ይኖራል፣ ብዙውን ጊዜ በተቀናጀው የወረዳ ቺፕ ውስጥ አይደለም።

2, MOSFET የመምራት ባህሪያት

የማስተላለፊያው አስፈላጊነት እንደ ማብሪያ / ማጥፊያ ነው, ከመቀየሪያ መዘጋት ጋር እኩል ነው.የኤንኤምኦኤስ ባህሪያት, Vgs ከተወሰነ እሴት በላይ ይመራሉ, ምንጩ መሬት ላይ ሲወድቅ (ዝቅተኛ-ፍጻሜ ድራይቭ) ለጉዳዩ ተስማሚ ነው, የበሩን ቮልቴጅ ብቻ ይመጣል. በ 4V ወይም 10V.PMOS ባህሪያት, Vgs ከተወሰነ እሴት ያነሰ ይመራል, ምንጩ ከቪሲሲ (ከፍተኛ-ደረጃ አንጻፊ) ጋር ሲገናኝ ለጉዳዩ ተስማሚ ነው.

ሆኖም ፣ በእርግጥ ፣ PMOS እንደ ከፍተኛ-ደረጃ ሹፌር ለመጠቀም በጣም ቀላል ሊሆን ይችላል ፣ ግን በተቃውሞው ላይ ፣ ውድ ፣ አነስተኛ የመለዋወጫ ዓይነቶች እና ሌሎች ምክንያቶች በከፍተኛ-ደረጃ ሹፌር ውስጥ አሁንም NMOSን ይጠቀማሉ።

3, MOSFETኪሳራ መቀየር

NMOS ወይም PMOS ቢሆን ፣ ተቃውሞው ካለ በኋላ ፣ የአሁኑ በዚህ የመቋቋም ኃይል ውስጥ ኃይልን ይወስዳል ፣ ይህ የኃይል ፍጆታ ክፍል በተቃውሞ ላይ ኪሳራ ይባላል። አነስተኛ ተቃውሞ ያለው MOSFET መምረጥ በተቃውሞ ላይ ያለውን ኪሳራ ይቀንሳል። የተለመደው ዝቅተኛ ኃይል MOSFET በተቃውሞ ላይ ብዙውን ጊዜ በአስር ሚሊዮህሞች ውስጥ ነው ፣ እዚያ ጥቂት ሚሊዮህም። MOS በጊዜ እና በመቁረጥ ውስጥ, በ MOS ላይ ያለው ቮልቴጅ በቅጽበት ማጠናቀቅ የለበትም, የመውደቅ ሂደት አለ, አሁን ያለው እየጨመረ በሚሄድ ሂደት ውስጥ ይፈስሳል, በዚህ ጊዜ የ MOSFET መጥፋት ነው. የቮልቴጅ እና የአሁኑ ምርት የመቀየሪያ ኪሳራ ይባላል. ብዙውን ጊዜ የመቀየሪያ መጥፋት ከኮንዳክሽን መጥፋት በጣም ትልቅ ነው, እና የመቀየሪያው ድግግሞሽ በበለጠ ፍጥነት, ኪሳራው ይበልጣል. በኮንዳክሽን ቅጽበት ላይ ያለው ትልቅ የቮልቴጅ እና የአሁን ምርት ትልቅ ኪሳራ ያስከትላል። የመቀየሪያ ጊዜን ማሳጠር በእያንዳንዱ መጓጓዣ ላይ ያለውን ኪሳራ ይቀንሳል; የመቀየሪያ ድግግሞሹን መቀነስ በአንድ ክፍል ጊዜ የመቀየሪያዎችን ብዛት ይቀንሳል. ሁለቱም ዘዴዎች የመቀየሪያ መጥፋትን ሊቀንስ ይችላል.

 
4, MOSFET ድራይቭ

ከባይፖላር ትራንዚስተሮች ጋር ሲነጻጸር፣ MOSFET ን ለመስራት ምንም አይነት ጅረት አያስፈልግም ተብሎ ይታሰባል፣ የጂኤስ ቮልቴጁ ከተወሰነ እሴት በላይ ነው። ይህን ማድረግ ቀላል ነው, ሆኖም ግን, እኛ ደግሞ ፍጥነት ያስፈልገናል. በ MOSFET መዋቅር ውስጥ በጂ.ኤስ., ጂዲ መካከል ጥገኛ አቅም መኖሩን ማየት ይችላሉ, እና የ MOSFET መንዳት, በንድፈ ሀሳብ, የኃይል መሙያ እና መለቀቅ ነው. የ capacitor ቻርጅ ማድረግ የአሁኑን ይፈልጋል፣ እና የ capacitorን በቅጽበት መሙላት እንደ አጭር ዙር ሊታይ ስለሚችል፣ የፈጣኑ ጅረት ከፍተኛ ይሆናል። የ MOSFET ድራይቭ ምርጫ / ዲዛይን ትኩረት ሊሰጠው የሚገባው የመጀመሪያው ነገር ፈጣን የአጭር-ዑደት ፍሰት መጠን ነው። ትኩረት ሊሰጠው የሚገባው ሁለተኛው ነገር, በአጠቃላይ በከፍተኛ ደረጃ አንጻፊ NMOS ውስጥ ጥቅም ላይ የሚውለው, በፍላጎት ላይ የጌት ቮልቴጅ ከምንጩ ቮልቴጅ የበለጠ ነው. ከፍተኛ-መጨረሻ ድራይቭ MOS ቱቦ conduction ምንጭ ቮልቴጅ እና የፍሳሽ ቮልቴጅ (VCC) ተመሳሳይ, ስለዚህ በር ቮልቴጅ ከ VCC 4V ወይም 10V. በተመሳሳይ ስርዓት ውስጥ ከቪሲሲ የበለጠ ትልቅ ቮልቴጅ ለማግኘት ልዩ ማበልጸጊያ ዑደት ያስፈልገናል. ብዙ የሞተር አሽከርካሪዎች MOSFET ለመንዳት በቂ አጭር-የወረዳ የአሁኑ ለማግኘት, ተገቢውን ውጫዊ capacitor መምረጥ አለበት, ትኩረት መስጠት, የተቀናጀ ክፍያ ፓምፕ ናቸው. ከላይ የተጠቀሰው 4V ወይም 10V በተለምዶ MOSFET በቮልቴጅ ላይ ጥቅም ላይ ይውላል, በእርግጥ ንድፍ, የተወሰነ ህዳግ እንዲኖር ያስፈልጋል. የቮልቴጅ ከፍ ባለ መጠን የስቴት ፍጥነት ፍጥነት እና በግዛት ላይ ያለው ተቃውሞ ይቀንሳል. ብዙውን ጊዜ በተለያዩ ምድቦች ውስጥ ጥቅም ላይ የዋሉ አነስተኛ የቮልቴጅ MOSFETs አሉ ፣ ግን በ 12 ቮ አውቶሞቲቭ ኤሌክትሮኒክስ ስርዓቶች ውስጥ ፣ በስቴት ላይ ያለው ተራ 4V በቂ ነው።

የ MOSFET ዋና መለኪያዎች የሚከተሉት ናቸው።

1. በር ምንጭ መፈራረስ ቮልቴጅ BVGS - በር የአሁኑ IG ከዜሮ ወደ በር ምንጭ መፈራረስ ቮልቴጅ BVGS በመባል የሚታወቀው VGS ውስጥ ስለታም ጭማሪ ለመጀመር ዘንድ, በር ምንጭ ቮልቴጅ እየጨመረ ሂደት ውስጥ.

2. ማብራት ቮልቴጅ VT - የማብራት ቮልቴጅ (በተጨማሪም ደፍ ቮልቴጅ በመባልም ይታወቃል): ምንጭ S ማድረግ እና conductive ሰርጥ መጀመሪያ መካከል እዳሪ D የሚፈለገውን በር ቮልቴጅ ይመሰርታል; - ደረጃውን የጠበቀ ኤን-ቻናል MOSFET ፣ VT ወደ 3 ~ 6V ያህል ነው ። - ከተሻሻለው ሂደት በኋላ የ MOSFET VT እሴትን ወደ 2 ~ 3V ዝቅ ማድረግ ይችላል።

3. የፍሳሽ ብልሽት ቮልቴጅ BVDS - በ VGS = 0 (የተጠናከረ) ሁኔታ, የፍሳሽ ቮልቴጅን በመጨመር ሂደት ውስጥ መታወቂያው በከፍተኛ ሁኔታ መጨመር ሲጀምር ቪዲኤስ የፍሳሽ ማስወገጃ ቮልቴጅ BVDS - መታወቂያው በከፍተኛ ሁኔታ ጨምሯል. የሚከተሉት ሁለት ገጽታዎች:

(1) በፍሳሽ ኤሌትሮድ አቅራቢያ ያለው የመሟጠጥ ንብርብር መበላሸቱ

(2) እዳሪ-ምንጭ inter-pole ዘልቆ መፈራረስ - አንዳንድ አነስተኛ ቮልቴጅ MOSFET, በውስጡ ሰርጥ ርዝመት አጭር ነው, ከጊዜ ወደ ጊዜ VDS ለመጨመር ከጊዜ ወደ ጊዜ መመናመን ንብርብር እዳሪ ክልል ወደ ምንጭ ክልል ለማስፋፋት ያደርጋል. , ስለዚህ ዜሮ ያለውን ሰርጥ ርዝመት, ማለትም, እዳሪ-ምንጭ ዘልቆ መካከል, ዘልቆ, አብዛኞቹ አጓጓዦች ምንጭ ክልል, ምንጭ ክልል, ለመምጥ ያለውን መመናመን ንብርብር ለመቋቋም በቀጥታ ይሆናል. የኤሌክትሪክ መስክ, ወደ ፍሳሽ ክልል ለመድረስ, በዚህም ምክንያት ትልቅ መታወቂያ.

4. የዲሲ ግብዓት መቋቋም RGS-ማለትም, በበሩ ምንጭ እና በበሩ መካከል የተጨመረው የቮልቴጅ ሬሾ, ይህ ባህሪ አንዳንድ ጊዜ በበሩ MOSFET RGS በኩል የሚፈሰው የበር ፍሰት መጠን ከ 1010Ω በቀላሉ ሊበልጥ ይችላል. 5.

5. ዝቅተኛ-ድግግሞሽ transconductance ጂኤም በ VDS ውስጥ ቋሚ ዋጋ ለ ሁኔታዎች, የፍሳሽ የአሁኑ ያለውን microvariance እና በር ምንጭ ቮልቴጅ microvariance በዚህ ለውጥ ምክንያት በር ምንጭ ቮልቴጅ microvariance, ተብሎ transconductance gm, ላይ በር ምንጭ ቮልቴጅ ቁጥጥር የሚያንጸባርቅ. የፍሳሽ ዥረት የ MOSFET አስፈላጊ መለኪያን ማጉላት፣ በአጠቃላይ ከጥቂት እስከ ጥቂት mA/V ባለው ክልል ውስጥ። MOSFET በቀላሉ ሊበልጥ እንደሚችል ማሳየት ነው። 1010Ω