ከፍተኛ ኃይል MOSFET አጠቃቀምን እና በ መልቲሜትር መተካት ሁልጊዜ መሞከር ለምን አስቸጋሪ ነው?

ስለ ከፍተኛ ኃይል ያለው MOSFET በርዕሱ ላይ ለመወያየት ከሚፈልጉ መሐንዲሶች አንዱ ነው, ስለዚህ እኛ የጋራ እና ያልተለመደ እውቀት አደራጅተናል.MOSFETመሐንዲሶችን ለመርዳት ተስፋ አደርጋለሁ. ስለ MOSFET፣ በጣም አስፈላጊ አካል እንነጋገር!

ፀረ-የማይንቀሳቀስ ጥበቃ

ከፍተኛ-ኃይል MOSFET insulated በር የመስክ ውጤት ቱቦ ነው, በሩ ምንም ቀጥተኛ የአሁኑ የወረዳ ነው, የግቤት impedance እጅግ ከፍተኛ ነው, ይህ የማይንቀሳቀስ ክፍያ ድምር መንስኤ በጣም ቀላል ነው, ከፍተኛ ቮልቴጅ በር እና ምንጭ ይሆናል ምክንያት. በመጥፋቱ መካከል ያለው የንጥል ሽፋን.

አብዛኛው የ MOSFET የመጀመሪያ ምርት ፀረ-ስታቲክ እርምጃዎች የሉትም ፣ ስለሆነም በጥበቃ እና በትግበራ ​​​​ላይ በጣም ይጠንቀቁ ፣ በተለይም አነስተኛ ኃይል MOSFETs ፣ ምክንያቱም አነስተኛ ኃይል MOSFET የግብዓት አቅም በአንጻራዊ ሁኔታ አነስተኛ ነው ፣ ለስታቲክ ኤሌክትሪክ ሲጋለጥ ከፍተኛ ቮልቴጅ, በቀላሉ በኤሌክትሮስታቲክ ብልሽት ምክንያት የሚፈጠር.

የከፍተኛ ኃይል MOSFET የቅርብ ጊዜ ማሻሻያ በአንፃራዊነት ትልቅ ልዩነት ነው ፣ በመጀመሪያ ፣ በትልቁ የግብዓት አቅም ተግባር ምክንያት ትልቅ ነው ፣ ስለሆነም ከስታቲክ ኤሌክትሪክ ጋር መገናኘት የኃይል መሙያ ሂደት አለው ፣ በዚህም ምክንያት አነስተኛ ቮልቴጅ ያስከትላል ፣ ብልሽት ያስከትላል። ትንሽ የመሆን እድሉ እና ከዚያ እንደገና ፣ አሁን በውስጠኛው በር ውስጥ ከፍተኛ ኃይል ያለው MOSFET እና በር እና የተጠበቀው ተቆጣጣሪ DZ ምንጭ ፣ የማይንቀሳቀስ በ ጥበቃ ውስጥ የተካተተ regulator diode የቮልቴጅ ተቆጣጣሪ እሴት ከዚህ በታች ውጤታማ በሆነ መንገድ መከላከያውን በር እና ምንጭ ይከላከሉ, የተለየ ኃይል, የ MOSFET ጥበቃ ተቆጣጣሪ diode የቮልቴጅ ተቆጣጣሪ እሴት የተለያዩ ሞዴሎች.

ምንም እንኳን ከፍተኛ ኃይል ያለው MOSFET የውስጥ ጥበቃ እርምጃዎች እኛ ግን በፀረ-ስታቲክ ኦፕሬቲንግ ኦፕሬቲንግ ኦፕሬሽኖች መሰረት መስራት አለብን, ይህም ብቃት ያለው የጥገና ሰራተኛ ሊኖረው ይገባል.

መለየት እና መተካት

በቴሌቪዥኖች እና በኤሌክትሪክ መሳሪያዎች ጥገና ላይ የተለያዩ የአካል ክፍሎች ጉዳት ያጋጥማቸዋል,MOSFETከነሱም መካከል አንዱ ነው፡ ይህም የጥገና ሰራተኞቻችን መልካሙን እና መጥፎውን፣ ጥሩውን እና መጥፎውን MOSFETን ለመለየት በተለምዶ የሚጠቀመውን መልቲሜትር እንዴት እንደሚጠቀሙ ነው። በ MOSFET ምትክ ተመሳሳይ አምራች እና ተመሳሳይ ሞዴል ከሌለ ችግሩን እንዴት መተካት እንደሚቻል.

1፣ ከፍተኛ ኃይል ያለው MOSFET ሙከራ፡-

እንደ ክሪስታል ትራንዚስተሮች ወይም ዳዮዶች የመለኪያ ውስጥ አጠቃላይ የኤሌክትሪክ ቲቪ ጥገና ሠራተኞች, በአጠቃላይ አንድ ተራ multimeter በመጠቀም ጥሩ እና መጥፎ ትራንዚስተሮች ወይም ዳዮዶች, ትራንዚስተር ወይም diode የኤሌክትሪክ መለኪያዎች መካከል ያለውን ፍርድ ማረጋገጥ አይችልም ቢሆንም, ነገር ግን እንደ ረጅም. ዘዴው ክሪስታል ትራንዚስተሮችን ለማረጋገጥ "ጥሩ" እና "መጥፎ" ወይም "መጥፎ" ለማረጋገጥ ትክክለኛ ነው. "መጥፎ" ወይም ምንም ችግር የለም. በተመሳሳይ፣ MOSFET እንዲሁ ሊሆን ይችላል።

መልቲሜትሩን "ጥሩ" እና "መጥፎ" ለመወሰን, ከአጠቃላይ ጥገና, ፍላጎቶችን ሊያሟላ ይችላል.

ማወቂያው የጠቋሚ አይነት መልቲሜትር መጠቀም አለበት (ዲጂታል ሜትር ሴሚኮንዳክተር መሳሪያዎችን ለመለካት ተስማሚ አይደለም). ለኃይል አይነት MOSFET የመቀየሪያ ቱቦ የኤን-ቻናል ማሻሻያ ናቸው ፣ የአምራቾቹ ምርቶች ከሞላ ጎደል ሁሉም ተመሳሳይ የ TO-220F ጥቅል ፎርም እየተጠቀሙ ነው (የመስክ ተፅእኖ መቀየሪያ ቱቦ ከ50-200W የኃይል አቅርቦትን ያመለክታል) , የሶስቱ ኤሌክትሮዶች አቀማመጥም ወጥነት ያለው ነው, ማለትም, ሶስት

ፒን ወደ ታች፣ የህትመት ሞዴል ራስን ትይዩ፣ የግራው ፒን ለበሩ፣ ትክክለኛው የፍተሻ ፒን የምንጩ፣ የመሃከለኛው ፒን የፍሳሽ ማስወገጃ።

(1) መልቲሜትር እና ተዛማጅ ዝግጅቶች፡-

በመጀመሪያ ደረጃ, የመለኪያ multimeter መጠቀም መቻል አለበት በፊት, በተለይ ohm የማርሽ ማመልከቻ, ohm የማገጃ ወደ ክሪስታል ትራንዚስተር እና ለመለካት ohm የማገጃ ትክክለኛ መተግበሪያ ይሆናል ለመረዳት.MOSFET.

በ multimeter ohm የማገጃ ohm መሃል ልኬት በጣም ትልቅ ሊሆን አይችልም, ይመረጣል 12 Ω ያነሰ (500-ዓይነት ሰንጠረዥ ለ 12 Ω), ስለዚህ R × 1 የማገጃ ውስጥ ወደፊት ያለውን PN መጋጠሚያ የሚሆን ትልቅ የአሁኑ, ሊኖረው ይችላል. የፍርድ ባህሪያት የበለጠ ትክክለኛ ናቸው. መልቲሜትር R × 10K የማገጃ የውስጥ ባትሪ ከ 9V በላይ የተሻለ ነው, ስለዚህ PN መጋጠሚያ ተገላቢጦሽ መፍሰስ የአሁኑ መለካት ውስጥ ይበልጥ ትክክለኛ ነው, አለበለዚያ መፍሰስ ሊለካ አይችልም.

አሁን በምርት ሂደቱ እድገት ምክንያት የፋብሪካው ማጣሪያ, ሙከራው በጣም ጥብቅ ነው, በአጠቃላይ የ MOSFET ፍርድ እስካልተፈታ ድረስ, በአጭር ዙር ውስጥ እስካልተጣሰ ድረስ, ውስጣዊ ያልሆነ ዑደት, ሊሆን ይችላል. በመንገዱ ላይ ሲሰፋ ፣ ዘዴው በጣም ቀላል ነው-

መልቲሜትር R × 10K እገዳን በመጠቀም; R × 10K የማገጃ የውስጥ ባትሪ በአጠቃላይ 9V ሲደመር 1.5V ወደ 10.5V ይህ ቮልቴጅ በአጠቃላይ በቂ PN መጋጠሚያ ተገላቢጦሽ መፍሰስ እንደሆነ ይገመታል, መልቲሜትር ያለውን ቀይ ብዕር አሉታዊ እምቅ ነው (ከውስጥ ባትሪው አሉታዊ ተርሚናል ጋር የተገናኘ), የ የመልቲሜተር ጥቁር ብዕር አዎንታዊ አቅም ነው (ከውስጣዊው ባትሪ አወንታዊ ተርሚናል ጋር የተገናኘ)።

(2) የሙከራ ሂደት;

ቀዩን ብዕር ከ MOSFET S ምንጭ ጋር ያገናኙ; ጥቁሩን ፔን ከ MOSFET D ፍሳሽ ጋር ያገናኙ. በዚህ ጊዜ, የመርፌ ጠቋሚው ማለቂያ የሌለው መሆን አለበት. በሙከራ ላይ ያለው ቱቦ የመፍሰሻ ክስተት እንዳለው የሚያመለክተው ኦሚክ ኢንዴክስ ካለ፣ ይህ ቱቦ መጠቀም አይቻልም።

ከላይ ያለውን ሁኔታ ይንከባከቡ; በዚህ ጊዜ በ 100K ~ 200K resistor ከበሩ እና ፍሳሽ ጋር የተገናኘ; በዚህ ጊዜ መርፌው የ ohms ብዛትን መጠቆም አለበት ፣ በጣም ትንሽ ነው ፣ በአጠቃላይ ወደ 0 ohms ሊጠቆም ይችላል ፣ በዚህ ጊዜ በ MOSFET በር ላይ ባለው 100K resistor በኩል አዎንታዊ ክፍያ ነው ፣ ይህም በር ኤሌክትሪክን ያስከትላል ፣ በመተላለፊያው ሰርጥ የሚፈጠረው የኤሌክትሪክ መስክ የፍሳሽ ማስወገጃውን እና የምንጩን ፍሰት ያስከትላል ፣ ስለሆነም መልቲሜትሩ መርፌ መዞር ፣ የማዞር አንግል ትልቅ ነው (የኦም ኢንዴክስ ትንሽ ነው) ወደ የፍሳሽ አፈፃፀም ጥሩ መሆኑን ያረጋግጡ.

እና ከዚያ ከተቃዋሚው ጋር ተገናኝቷል ፣ ከዚያ መልቲሜትሩ ጠቋሚው አሁንም በመረጃ ጠቋሚው ላይ MOSFET መሆን አለበት። የ resistor ለመውሰድ ቢሆንም, ነገር ግን ክፍያ በ ክስ በር resistor አይጠፋም ምክንያቱም, በር የኤሌክትሪክ መስክ የውስጥ conductive ሰርጥ ለመጠበቅ ይቀጥላል, ይህም insulated በር አይነት MOSFET ባህሪያት ነው.

መርፌውን ለመውሰድ ተቃዋሚው ቀስ በቀስ እና ቀስ በቀስ ወደ ከፍተኛ ተቃውሞ ይመለሳል ወይም ወደ ማለቂያነት እንኳን ይመለሳል ፣ የሚለካው ቱቦ በር መውጣቱን ከግምት ውስጥ ማስገባት።

በዚህ ጊዜ በሽቦ ፣ በሙከራ ላይ ካለው የቱቦው በር እና ምንጭ ጋር የተገናኘ ፣ የመልቲሜትሩ ጠቋሚ ወዲያውኑ ወደ ማለቂያ ተመለሰ። የሽቦው ግንኙነት የሚለካው MOSFET, የበር ክፍያ መለቀቅ, የውስጥ ኤሌክትሪክ መስክ ይጠፋል; conductive ሰርጥ እንዲሁ ይጠፋል, ስለዚህ እዳሪ እና የመቋቋም መካከል ምንጭ እና ማለቂያ የሌለው ይሆናል.

2, ከፍተኛ ኃይል ያለው MOSFET መተካት

በቴሌቪዥኖች እና በሁሉም አይነት የኤሌክትሪክ መሳሪያዎች ጥገና ላይ የተጋረጡ አካላት መበላሸት በአንድ አይነት ክፍሎች መተካት አለባቸው. ነገር ግን አንዳንድ ጊዜ ተመሳሳይ ክፍሎች በእጃቸው ላይ አይደሉም, ሌሎች የመተኪያ ዓይነቶችን መጠቀም አስፈላጊ ነው, ስለዚህም ሁሉንም የአፈፃፀም, መለኪያዎች, ልኬቶች, ወዘተ የመሳሰሉትን ግምት ውስጥ ማስገባት አለብን, ለምሳሌ በመስመር የውጤት ቱቦ ውስጥ እንደ ቴሌቪዥን, እንደ የቮልቴጁን ግምት ግምት ውስጥ በማስገባት የአሁኑን, ኃይልን በአጠቃላይ መተካት ይቻላል (የመስመር ውፅዓት ቱቦ ከሞላ ጎደል ተመሳሳይ የመልክ ልኬቶች), እና ኃይሉ የበለጠ እና የተሻለ ይሆናል.

ለ MOSFET ምትክ ፣ ምንም እንኳን ይህ መርህ ፣ ምርጡን መተየብ ጥሩ ነው ፣ በተለይም ኃይሉ ትልቅ ስለሆነ ኃይሉን አይከተሉ ፣ የግቤት capacitance ትልቅ ነው, ተቀይሯል እና excitation ወረዳዎች የመቋቋም ዋጋ እና MOSFET ያለውን ግብዓት capacitance መጠን ያለውን የመስኖ የወረዳ ያለውን ክፍያ የአሁኑ መገደብ resistor ያለውን excitation ጋር አይዛመድም, ቢሆንም ትልቅ ኃይል ያለውን ምርጫ ጋር የተያያዘ ነው. ትልቅ አቅም, ነገር ግን የግብአት አቅምም ትልቅ ነው, እና የግቤት አቅምም ትልቅ ነው, እና ኃይሉ ትልቅ አይደለም.

የግቤት አቅምም ትልቅ ነው፣ የኤክስቲሽን ዑደቱ ጥሩ አይደለም፣ ይህ ደግሞ MOSFET ማብራት እና ማጥፋት አፈጻጸምን ያባብሰዋል። የዚህን ግቤት አቅም ግምት ውስጥ በማስገባት የተለያዩ የ MOSFET ሞዴሎችን መተካት ያሳያል።

ለምሳሌ ፣ የ 42 ኢንች ኤልሲዲ ቲቪ የኋላ መብራት ከፍተኛ-ቮልቴጅ ቦርድ ብልሽት አለ ፣ የውስጣዊውን ከፍተኛ ኃይል MOSFET ጉዳት ካጣራ በኋላ ፣ ምክንያቱም ምንም የመተኪያ ብዛት የለም ፣ የቮልቴጅ ምርጫ ፣ የአሁኑ ፣ ኃይል ያነሰ አይደሉም። የመጀመሪያውን MOSFET መተካት ውጤቱ የጀርባው ብርሃን ቱቦ ቀጣይነት ያለው ብልጭ ድርግም የሚል ይመስላል (የጅማሬ ችግሮች) እና በመጨረሻም ችግሩን ለመፍታት በተመሳሳይ ኦሪጅናል ተተካ።

ከፍተኛ ኃይል ባለው MOSFET ላይ የተገኘ ጉዳት፣ የፔሮፊሽን ወረዳውን የፔሪፈራል ክፍሎቹን መተካት እንዲሁ መተካት አለበት ምክንያቱም በMOSFET ላይ የሚደርሰው ጉዳት በMOSFET ላይ በሚደርሰው ጉዳት ደካማ የደም መፍሰስ የወረዳ አካላት ሊሆን ይችላል። MOSFET ራሱ ቢጎዳም፣ MOSFET በተበላሽበት ቅጽበት፣ የፐርፍዩሽን ሰርኩይ ክፍሎችም ይጎዳሉ እና መተካት አለባቸው።

የ A3 መቀያየርን የኃይል አቅርቦት ጥገና ላይ ብዙ ብልህ የጥገና ጌታ እንዳለን ሁሉ; የመቀየሪያ ቱቦው ተበላሽቶ እስካልተገኘ ድረስ የ 2SC3807 excitation tube ፊት ለፊት ነው ከተመሳሳዩ ምክኒያት መተካት (ምንም እንኳን የ 2SC3807 ቱቦው በመልቲሜትር የሚለካው ጥሩ ነው).