የ N-channel ማሻሻያ ሁነታ MOSFET የስራ መርህ

(1) በመታወቂያ እና በሰርጥ ላይ የvGS ቁጥጥር ውጤት

① የvGS=0 ጉዳይ

በፍሳሽ መ እና በማሻሻያ ሁነታ መካከል ሁለት ከኋላ-ወደ-ኋላ ፒኤን መገናኛዎች እንዳሉ ማየት ይቻላልMOSFET.

የጌት-ምንጭ ቮልቴጅ vGS=0, የፍሳሽ-ምንጭ ቮልቴጅ vDS ቢጨመርም, እና የ vDS polarity ምንም ይሁን ምን, በተገላቢጦሽ አድሏዊ ሁኔታ ውስጥ ሁልጊዜ የፒኤን መገናኛ አለ. በፍሳሹ እና በምንጩ መካከል ምንም የሚመራ ሰርጥ የለም፣ስለዚህ የፍሳሽ አሁኑ መታወቂያ≈0 በዚህ ጊዜ።

② የvGS>0 ጉዳይ

vGS>0 ከሆነ፣ በበሩ እና በስርአቱ መካከል ባለው የሲኦ2 መከላከያ ንብርብር ውስጥ የኤሌክትሪክ መስክ ይፈጠራል። የኤሌክትሪክ መስክ አቅጣጫ ሴሚኮንዳክተር ወለል ላይ substrate ወደ በር ከ የሚመሩ የኤሌክትሪክ መስክ perpendicular ነው. ይህ የኤሌክትሪክ መስክ ቀዳዳዎችን ያስወግዳል እና ኤሌክትሮኖችን ይስባል. መመለሻ ጉድጓዶች፡- በበሩ አጠገብ ባለው የፒ-አይነት ንኡስ ክፍል ውስጥ ያሉት ቀዳዳዎች ወደ ኋላ ተመልሰዋል፣ የማይንቀሳቀሱ ተቀባይ ions (አሉታዊ ionዎች) የመቀነስ ንብርብር ይፈጥራሉ። ኤሌክትሮኖችን ይሳቡ፡- በP-type substrate ውስጥ ያሉት ኤሌክትሮኖች (አናሳ ተሸካሚዎች) ወደ ታችኛው ወለል ይሳባሉ።

(2) የመተላለፊያ ቻናል ምስረታ፡-

የvGS እሴት ትንሽ ሲሆን ኤሌክትሮኖችን የመሳብ ችሎታው ጠንካራ ካልሆነ በፍሳሹ እና በምንጩ መካከል ምንም ማስተላለፊያ ሰርጥ አሁንም የለም። vGS ሲጨምር፣ ብዙ ኤሌክትሮኖች ወደ P substrate የወለል ንጣፍ ይሳባሉ። vGS የተወሰነ እሴት ላይ ሲደርስ እነዚህ ኤሌክትሮኖች በበሩ አጠገብ ባለው የ P substrate ወለል ላይ N-አይነት ስስ ሽፋን ይፈጥራሉ እና ከሁለቱ N+ ክልሎች ጋር ይገናኛሉ, በፍሳሽ እና በምንጩ መካከል N-type conductive channel ይፈጥራሉ. የመተላለፊያው አይነት ከ P substrate ጋር ተቃራኒ ነው, ስለዚህም የተገላቢጦሽ ንብርብር ተብሎም ይጠራል. ትልቁ vGS ነው ፣ በሴሚኮንዳክተር ወለል ላይ የሚሠራው የኤሌክትሪክ መስክ የበለጠ ጠንካራ ነው ፣ ኤሌክትሮኖች በ P substrate ወለል ላይ ይሳባሉ ፣ የ conductive ሰርጥ ወፍራም ነው ፣ እና የሰርጥ መከላከያው አነስተኛ ነው። ሰርጡ መፈጠር ሲጀምር የጌት-ምንጭ ቮልቴጅ በ VT የተወከለው የማብራት ቮልቴጅ ይባላል.